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[发明专利]室内定位系统、方法和通导一体化网络-CN202110334027.4在审
发明人：林垄龙;沈一春;谢书鸿;徐宗铭;王斌;赵瑞静;许波华 -专利权人：中天射频电缆有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H04W4/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种室内定位系统、方法和通导一体化网络，包括：信源模块、网关、合路器、第一漏缆、第二漏缆、第一定位器件和第二定位器件；信源模块和网关通过合路器合路后分别馈线接入第一漏缆的第一端和第二漏缆的第一端；第一定位器件设置在第一漏缆的第一端和馈线之间，接受网关或信源模块的供电；第二定位器件设置在第二漏缆的第一端和馈线之间，接受网关或信源模块的供电；第一定位器件和第二定位器件，接收网关发送的配置信号或向网关发送定位信号
室内定位系统方法一体化网络

[发明专利]一种房屋内部环境监测装置-CN202210358012.6在审
发明人：张安佶;薛伶俐;秦莉雯;江恩彩 -专利权人：四川省建筑科学研究院有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种房屋内部环境监测装置，包括位于房屋内的监测组件和安装在房屋外侧壁的电力组件，所述监测组件包括蓄电及控制器件、由多个支撑框组成的位于蓄电及控制器件上方的支撑组件和分别位于支撑框内的多个监测器件，所述监测器件通过导线与蓄电及控制器件连接，所述电力组件包括安装在房屋外侧壁的支撑杆组、套设在支撑杆组上的风力发电机构、下端插入支撑杆组内的伸缩杆和安装在伸缩杆上端的光伏发电机构，所述风力发电机构和光伏发电机构通过线缆与蓄电及控制器件连接
一种房屋内部环境监测装置

[发明专利]一种具有三重多晶硅栅联合圆柱形JLT器件-CN202210506289.9在审
发明人：陈伟中;周铸;魏子凯;沈文良 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有三重多晶硅栅联合圆柱形JLT器件，属于半导体技术领域。该器件包括源极电极、漏极电极、体硅N+区、多晶硅栅电极层、二氧化硅隔离层和二氧化铪隔离层；多晶硅栅电极层包括靠近源极电极一侧的栅极P+多晶硅控制区、位于体硅N+区中央的栅极P+多晶硅第一屏蔽区和靠近漏极电极一侧的栅极本发明在传统JLT器件的结构上，通过使用三重多晶硅联合栅技术，在器件尺寸较小的纳米尺度上，能够大幅降低器件的漏致势垒降低效应、栅漏电流和亚阈值摆幅，增加了抗沟道长度降低的中心势变化能力，最终改善了器件的短沟道效应
一种具有三重多晶联合圆柱形 jlt 器件

[发明专利]InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用-CN202210616335.0在审
发明人：王新强;陈兆营;盛博文;刘上锋;李铎;刘放;梁文骥;赵春雷 -专利权人：材料科学姑苏实验室;东莞阿尔泰显示技术有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种InGaN基光电子器件的复合衬底及其制备方法和应用。InGaN基光电子器件的复合衬底包括：晶体基底；AlN过渡层，位于晶体基底上，AlN过渡层由若干第一三维生长小岛组成；以及GaN过渡层，位于AlN过渡层上，GaN过渡层由若干第二三维生长小岛组成，且GaN上述InGaN基光电子器件的复合衬底中，AlN过渡层和GaN过渡层组成复合过渡层，可以调制氮化物异质外延薄膜中的应力状态，提高InGaN基光电子器件中InGaN材料外延过程中In原子的并入效率，从而提高此外，本发明还涉及上述InGaN基光电子器件的复合衬底的制备方法、InGaN基光电子器件的模板及其制备方法。
ingan 光电子器件复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]磁性器件及其制作方法、电源设备-CN202210842535.8在审
发明人：沈欢;洪瑜鹏 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01F27/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性器件及其制作方法、电源设备，磁性器件包括：PIN针；线包引出线，所述线包引出线从所述磁性器件的器身引出，并在所述PIN针表面缠绕以形成缠绕段，所述缠绕段包括第一分段和第二分段，所述第一分段与所述磁性器件的器身的距离小于所述第二分段与所述磁性器件的器身的距离根据本实施例的技术方案，在通过第二分段确保电气连接可靠性的情况下，以不进行锡焊的第一分段作为缓冲区，避免该部分的引出线浸锡，有效提高了线包引出线能够承受的应力，降低了锡焊导致的线路断开风险，提高了磁性器件的线路可靠性
磁性器件及其制作方法电源设备

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202210288150.1在审
发明人：王明强;张家祥;包征;王畅;陈功;穆鑫;鞠亮亮;李新;方远;胡宏锦;张斌;吴承龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示面板包括：位于透光显示区内的多个阵列排布的第一发光器件；位于正常显示区内的多个阵列排布的第二发光器件；位于正常显示区内的多个阵列排布的第一像素驱动电路和多个阵列排布的第二像素驱动电路；以及，多条第一驱动信号线和多条第二驱动信号线，一条第一驱动信号线与同一列第一像素驱动电路电连接，一条第二驱动信号线与同一列第二像素驱动电路电连接；由于第一驱动信号线与第二驱动信号线绝缘设置，这样驱动芯片可以单独控制第一发光器件和第二发光器件发光，使得第一发光器件的发光亮度近似等于第二发光器件的发光亮度，从而提高了显示面板的整体显示效果。
显示面板显示装置

[发明专利]一种激光光强三维空间分布的非接触测量系统及方法-CN202210426069.5在审
发明人：陶波;陈绍武;叶景峰;杨鹏翎;王大辉;王振宝;冯国斌 -专利权人：西北核技术研究所
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01J1/04 文献下载
摘要：该激光光强三维空间分布的非接触测量系统，包括三维测量机构；三维测量机构包括依次连接的像增强器件、第一成像器件、传像光纤组件、多个第二成像器件以及环形角度调节架；传像光纤束汇聚段的一端与第一成像器件连接；每个传像光纤束分叉段的一端分别连接对应的第二成像器件；多个第二成像器件沿环形角度调节架设置。
一种激光三维空间分布接触测量系统方法

[发明专利]光模块、通信设备以及PoE设备-CN202180005423.0在审
发明人：高士民;曹璐;尹雪;谭健思;刘大大 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：该光模块包括壳体(1)、光器件(2)和供电器件(3)；壳体(1)具有第一插口(11)和第二插口(12)；光器件(2)包括依次相连的第一光接头(21)、光电转换器件(22)和第二光接头(23)；供电器件(3)包括依次相连的第一电接头(31)、供电线路(32)和第二电接头(33)；光电转换器件(22)和供电线路(32)均位于壳体(1)中，第一光接头(21)位于第一插口(11)中，第一电接头(31)位于第一插口
模块通信设备以及 poe

[发明专利]光模块、通信设备及PoE设备-CN202180005770.3在审
发明人：高士民;曹璐;尹雪;谭健思;刘大大 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种光模块、通信设备及PoE设备，光模块包括壳体(1)、光器件(2)和供电器件(3)。壳体(1)具有第一插口(11)和第二插口(12)。光器件(2)包括依次相连的第一光接头(21)、光电转换器件(22)和第二光接头(23)。供电器件(3)包括依次相连的第一电接头(31)、供电线路(32)和第二电接头(33)。光电转换器件(22)和供电线路(32)均位于壳体(1)中。第一光接头(21)位于第一插口(11)中，第一电接头(31)位于第一插口(11)处，第一光接头(21)和第一电接头(31)相互独立。
模块通信设备 poe

[发明专利]自动感应移动电源-CN202210290972.3在审
发明人：许光;朱家居;邓飞飞;吴海波;方郡华 -专利权人：东莞市开来电子有限公司;东莞市瀛通电线有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：板电性连接并可输出电能为电子产品充电的充电电池，外壳上设有用于对电子产品进行磁吸自动对位及无线充电的无线充磁吸模组，无线充磁吸模组内的线圈与PCBA板电性连接，且外壳内还设有用于与电子产品内设置的感应磁铁对应的霍尔感应器件，霍尔感应器件与PCBA板电性连接；当电子产品放置在外壳上后，无线充磁吸模组与电子产品的第一对位磁铁磁吸对位，且电子产品的感应磁铁靠近霍尔感应器件以触发霍尔感应器件，由霍尔感应器件配合PCBA板控制线圈对电子产品进行无线充电，整个过程无需按键，仅采用霍尔感应器件感应触发以启动移动电源，实现对电子产品智能充电，使用方便。
自动感应移动电源

[发明专利]像素驱动电路、显示模组及显示装置、智能手表-CN202210427079.0在审
发明人：李盛义;程海涛;刘乾乾;陈晶;毕鑫 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：所述像素驱动电路包括光敏器件和调光子电路。光敏器件的第一端被配置为接收控制信号，光敏器件的第二端与第一节点电连接；光敏器件被配置为基于控制信号，调节第一节点的电压。调光子电路连接在第一电压端和发光器件之间，且与第一节点电连接。调光子电路的导通状态随第一节点的电压的变化而变化，调光子电路被配置为在第一节点的电压的控制下，基于来自第一电压端的第一电压信号，调节发光器件的亮度。
像素驱动电路显示模组显示装置智能手表

[发明专利]具有内建电场的多孔结构大面积光催化器件及其制备方法-CN202210337683.4在审
发明人：彭勇;王继泽 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有内建电场的多孔结构大面积光催化器件，包括依次叠层设置的基板、导电层、第一光催化层以及介孔层，介孔层中填充有第二光催化层，第二光催化层材料的导带低和价带顶均高于第一光催化层中的光催化材料还提供一种具有内建电场的多孔结构大面积光催化器件的制备方法。本发明在不额外消耗外来能量的条件下，通过构建内建电场解决光生电荷无序移动易复合的问题，提高了太阳燃料器件的转换效率；器件的多孔结构提供了气体传输通道以及反应活性位点，实现了高效光催化反应，提高了太阳燃料技术高效大面积应用的可行性；光催化器件采用丝网印刷的制备方法，使得器件面积具有可扩展性。
具有电场多孔结构大面积光催化器件及其制备方法

[发明专利]显示器件-CN202011616642.6在审
发明人：马兴远;徐威 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示器件，包括若干个像素点结构，每个像素点结构包括一个红绿色子像素点单元和一个蓝色子像素点单元；红绿色子像素点单元包括依次层叠设置的包括依次层叠设置的第一电极、第一量子点发光层、第二电极、第二量子点发光层和第三电极，第二电极连接有TFT薄膜晶体管，第一电极、第一量子点发光层和第二电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的一者，第二电极、第二量子点发光层和第三电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的同一者本发明将红光子像素单元和绿光子像素单元整合至一个像素单元中，从而减少了单个像素点结构中子像素点单元的个数，减小了单个像素点结构的面积，进而提高了打印显示器件的分辨率。
显示器件

[发明专利]一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法-CN202011638912.3在审
发明人：赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法，涉及氮化镓功率半导体器件。漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向型氮化镓肖特基势垒二极管结构或者仅有垂直漂移区的垂直型氮化镓肖特基势垒二极管结构，漂移区的路径总长度大于制作在相同基板及外延层尺寸的横向型器件结构本案具有提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件平面集成等特点。
一种氮化肖特基势垒二极管制备方法

[发明专利]一种屏蔽栅型功率器件及其制造方法-CN202210256220.5在审
发明人：许海东;谌容 -专利权人：南京晟芯半导体有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种屏蔽栅型功率器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域，器件包括半导体衬底、第一介质层、第一导电层、第二介质层、第二导电层、第三介质层、第三导电层、体区、源区、层间膜、接触孔、正面金属层和漏极本发明的功率器件器件在具有屏蔽栅的典型优点，即低的米勒电容和比导通电阻，同时也克服了常见的屏蔽栅结构的大输入电容的缺陷，使得器件整体开通时间变得更短，动态损耗变得更小。
一种屏蔽功率器件及其制造方法