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[发明专利]疏水型纳米二氧化硅及其制备方法和应用-CN201911212071.7有效
发明人：吴雪鹏;宋兆辉;甄剑武;宋碧涛;韩子轩 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油工程技术研究院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C09K8/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含疏水型纳米二氧化硅的疏水型纳米二氧化硅流体，其中，疏水型纳米二氧化硅包括：纳米二氧化硅颗粒；以及结合至所述纳米二氧化硅颗粒表面的烷基硅烷偶联剂。通过结合至纳米二氧化硅颗粒表面的烷基硅烷偶联剂改善纳米二氧化硅颗粒的疏水性能。本发明的烷基修饰的疏水改性纳米二氧化硅颗粒可以被良好的分散从而获得纳米流体，并可作为封堵剂、抑制剂应用在常见水基钻井液中。
疏水纳米二氧化硅及其制备方法应用

[发明专利]非晶态纳米球形二氧化硅的制备方法-CN202010831745.8有效
发明人：叶高英;古忠涛 -专利权人：苏州英纳特纳米科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶态纳米球形二氧化硅的制备方法，包括以下步骤：步骤S1：将制备非晶态纳米球形二氧化硅的设备抽真空，将气态的四氯化硅送入高温等离子体炬中，气态的四氯化硅在高温等离子体炬的作用下与氧反应生成二氧化硅；步骤S2：生成的二氧化硅冷却后依次分离出微米级二氧化硅粉末、准纳米级二氧化硅粉末和纳米级二氧化硅粉末；步骤S3：对生成二氧化硅后的混合气体中的氯气进行分离和回收。上述制备方法能够高效地制备非晶态纳米球形二氧化硅。
晶态纳米球形二氧化硅制备方法

[发明专利]湿法研磨纳米级二氧化硅制备方法-CN201310446370.3有效
发明人：林峰;徐浩 -专利权人：上海冠旗电子新材料股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：一种湿法研磨纳米级二氧化硅制备方法，制备过程分成三个研磨阶段进行，每阶段研磨利用研磨机和循环桶进行循环研磨直到完成目标进入下一阶段研磨，具体包括以下步骤，二氧化硅粉体原料、水、分散剂混合后进行搅拌，混合均匀成为二氧化硅浆料；二氧化硅浆料由一阶段研磨机进行循环研磨直到其中二氧化硅颗粒的粒径达到1.5微米D50标准成为初级二氧化硅料；二阶段研磨机进行循环研磨直到其中二氧化硅颗粒的粒径达到500纳米D50标准成为次级二氧化硅料；三阶段研磨机进行循环研磨直到其中二氧化硅颗粒的粒径达到10纳米D90标准成为最终二氧化硅料。本发明通过三个阶段最终将二氧化硅粉体原料研磨成为纳米级二氧化硅，大大提高了最终成品的质量。
湿法研磨纳米二氧化硅制备方法

[发明专利]双球状二氧化硅及其制备方法与应用-CN202011214878.7有效
发明人：雷群;江波;王平美;肖沛文;贾新利;彭宝亮;罗健辉;叶银珠;王小聪 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种双球状二氧化硅及其制备方法与应用。该双球状二氧化硅是通过将氨基硅烷偶联剂修饰的二氧化硅与卤代硅烷偶联剂修饰的二氧化硅在水相条件通过化学结合得到的。本发明还提供了上述双球状二氧化硅的制备方法，包括将氨基硅烷偶联剂修饰的二氧化硅与卤代硅烷偶联剂修饰的二氧化硅混合进行反应，得到所述双球状二氧化硅。上述制备方法可以在温和的水相条件下制备水相双球状二氧化硅，反应条件环保无污染，制备工艺简单、规模化制备、成本低廉。本发明的双球状二氧化硅在防油污、制备亲水性织物、油田提高采收率等方面具有重要应用。
球状二氧化硅及其制备方法应用

[发明专利]一种超支化聚酯改性二氧化硅纳米线及制备方法-CN202211141838.3在审
发明人：林锦昌 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二五研究所
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09D7/62 文献下载
摘要：本发明提供一种超支化聚酯改性二氧化硅纳米线及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、二氧化硅纳米线的合成；S2、氨基化改性二氧化硅纳米线；S3、超支化聚酯改性二氧化硅纳米线。本发明所述的超支化聚酯改性二氧化硅纳米线及制备方法，先在二氧化硅纳米线上引入氨基，然后使得二氧化硅纳米线的氨基与超支化聚酯表面的羧基反应，形成表面包覆超支化聚酯的二氧化硅纳米线，一方面引入了超支化聚酯上丰富的末端基团，增强二氧化硅纳米线在基体中的溶解性和相容性，使得二氧化硅纳米线在基体中分散均匀；另一方面超支化聚酯高度支化形成的三维孔洞有效地增强二氧化硅纳米线与基体材料的结合强度，进一步增强二氧化硅纳米线在基体中的分散性
一种超支聚酯改性二氧化硅纳米制备方法

[发明专利]制备聚合催化剂的方法-CN201410090858.1有效
发明人： M·P·麦克丹尼尔;K·S·柯林斯 -专利权人：切弗朗菲利浦化学公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C08F4/02 文献下载
摘要：方法，包括使二氧化硅载体材料与硫酸化剂接触以形成包含硫酸根阴离子的硫酸化二氧化硅载体材料；热处理所述硫酸化二氧化硅载体材料以形成经热处理的硫酸化二氧化硅载体材料；使经热处理的硫酸化二氧化硅载体材料与含铬化合物接触以形成混合物方法，包括热处理二氧化硅载体材料以形成热处理的二氧化硅载体材料；使所述热处理的二氧化硅载体材料与硫酸化剂接触以形成经热处理的硫酸化二氧化硅载体材料；热处理所述经热处理的硫酸化二氧化硅载体材料以形成经加工的二氧化硅载体材料；使所述经加工的二氧化硅载体材料与含铬化合物接触以形成前驱体聚合催化剂；和热处理所述前驱体聚合催化剂以形成聚合催化剂。
制备聚合催化剂方法

[发明专利]一种二氧化硅气凝胶毡及其制备方法-CN201710467656.8有效
发明人：陈庆;曾军堂;陈兵 -专利权人：山东大唐节能材料有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C01B33/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化硅气凝胶毡及其制备方法。该二氧化硅气凝胶毡为由二氧化硅气凝胶纤维、无机纤维复合而成的三维网络结构，二氧化硅气凝胶纤维与无机纤维相互穿插，其中，二氧化硅气凝胶纤维与无机纤维的质量比为2:3‑3:2。该制备方法将无机纤维毡浸入混有发泡剂的二氧化硅溶液，使无机纤维毡充分吸附二氧化硅溶液，通过无机纤维毡间拉拔使混合液丝化，然后经溶胶、老化、常压分级干燥、分级发泡得到呈蓬松状的二氧化硅气凝胶毡。本发明提供的二氧化硅气凝胶毡机械强度高、韧性好，具有较高的保温隔热效果；提供的制备方法能在二氧化硅气凝胶制备过程中进行纤维毡的复合，且能通过分级发泡使二氧化硅气凝胶蓬松并使纤维毡泡沫化，提高二氧化硅气凝胶毡的保温隔热性
一种二氧化硅凝胶及其制备方法

[发明专利]一种高分散二氧化硅的制备方法-CN202010035134.2有效
发明人：曾土儿;张起森 -专利权人：福建省三明正元化工有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/193 文献下载
摘要：本发明公开了二氧化硅制备方法技术领域的一种高分散二氧化硅的制备方法，用规定的水玻璃和浓硫酸作为原材料，通过底液中完全不加水玻璃，使水玻璃和稀硫酸在完全水溶液和一定条件下直接化学合成，且通过控制体系pH的梯度增加来不断调整二氧化硅粒子的粒径分布，然后在加硫酸酸化过程中引入电解质（硫酸钠溶液），电解质能有效阻止生成的二氧化硅粒子紧密团聚，最后对压滤后的二氧化硅以正丁醇作为分散剂进行共沸干燥，再次阻止二氧化硅粒子间的相互接触和凝聚，调整二氧化硅粒径的分布，本发明提供了一种高分散二氧化硅的制备方法，沉淀得到的二氧化硅原始粒子粒径分布均匀，最终形成的二氧化硅粒子更易分散到橡胶中，电解质能有效阻二氧化硅粒子紧密团聚，二氧化硅粒子分散更加均匀。
一种分散二氧化硅制备方法

[实用新型]纳米玉锅锅具-CN201720182231.8有效
发明人：曾庆安 -专利权人：济宁孝行天下电子商务有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： A47J36/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种纳米玉锅锅体，由二氧化硅锅身及二氧化硅锅底组成，所述二氧化硅锅身和所述二氧化硅锅底一体成型，二氧化硅锅底设置在二氧化硅锅身的下端，二氧化硅锅身和二氧化硅锅底之间设置有内腔。本实用新型的有益效果在于1、纳米玉锅锅体，由二氧化硅锅身及二氧化硅锅底组成，用于充当洗菜和凉拌菜品的容器，稳定性强、安全环保。2、锅耳为二氧化硅锅耳，所述锅耳和所述二氧化硅锅身一体成型，且采用锅盖，避免金属螺栓污染，安全环保、不粘锅底和受热快导热迅速，保持温度恒定，洗刷灵活，清洗干净，使用寿命长，节省能源，广泛用于家庭宾馆饭店厨房中耐高温
纳米玉锅锅具

[发明专利]利用回收的二氧化硅滤液制备高硅沸石的方法以及根据该方法制得的高硅沸石-CN201380048789.1有效
发明人：姜拏永;朴容起;崔源春;徐辉旼;李哲伟 -专利权人：韩国化学研究院
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C01B39/38 文献下载
摘要：本发明提供了利用回收的二氧化硅滤液制备高硅沸石的方法以及根据该方法制得的高硅沸石。为此，本发明提供了利用回收的二氧化硅滤液制备高硅沸石的方法，其包括：由含有金属盐的二氧化硅滤液制备溶胶化凝聚二氧化硅(步骤1)；过滤和洗涤步骤1的溶胶化凝聚二氧化硅以制备其中除去所述金属盐的二氧化硅滤饼(步骤2)；使二氧化硅滤饼溶胶化以制备二氧化硅溶胶(步骤3)；以及利用步骤3所制得的二氧化硅溶胶作为二氧化硅源制备高硅沸石(步骤4)。此外，本发明提供通过所述制备方法由回收的二氧化硅滤液制得的并且Si/Al摩尔比为5或更大的高硅沸石。根据本发明，可能提供制备高硅沸石的工艺，其中通过重复利用回收的二氧化硅滤液制备沸石降低了经济可行性、制备成本以及工艺步骤的制备时间。
利用回收二氧化硅滤液制备高硅沸石方法以及根据法制

[发明专利]二氧化硅粉、二氧化硅容器及该粉或容器的制造方法-CN201080036839.0有效
发明人：山形茂;笛吹友美 -专利权人：信越石英株式会社
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明是一种二氧化硅容器的制造方法，该二氧化硅容器具备：基体，其具有旋转对称性，以二氧化硅作为主成分，且至少在外周部分含有气泡；以及内层，其被形成在该基体的内表面上，并由透明二氧化硅玻璃所构成；其中，所述二氧化硅容器的制造方法，至少准备二氧化硅粉来作为用以形成前述内层的原料粉，并利用该内层形成用原料粉即二氧化硅粉来形成前述内层，该二氧化硅粉，其粒径为10～1000μm，含有合计浓度为50～5000重量ppm(wt.ppm)的由此，提供一种二氧化硅容器及其制造方法，该二氧化硅容器是高尺寸精确度，且该二氧化硅容器的内壁是实质上不含气泡且厚度大的透明二氧化硅玻璃层，而在高温下也具有高度耐久性，并能以低成本来制造；以及提供一种用以制造这样的二氧化硅容器的二氧化硅粉及其制造方法
二氧化硅容器制造方法

[发明专利]二氧化硅系复合微粒分散液及其制造方法-CN201780024719.0在审
发明人：俵迫祐二;小松通郎;中山和洋;岩崎幸博;若宫義宪;川上翔大;碓田真也 -专利权人：日挥触媒化成株式会社
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨，同时可以达成高面精度(低擦痕等)，可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题，所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11～316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时，仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的前述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10～25nm。
二氧化硅复合微粒二氧化铈分散液研磨结晶性非晶质二氧化硅半导体基板半导体装置二氧化硅膜难加工材料布线基板微晶粒径结晶相母颗粒质量比子颗粒擦痕高面检出晶圆优选制造

[发明专利]二氧化硅气凝胶的制备方法和由其制备的二氧化硅气凝胶-CN201780003990.6有效
发明人：金永勋;李悌均 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C01B33/145 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅气凝胶的制备方法和由其制备的二氧化硅气凝胶。更具体地，使用第一水玻璃溶液形成第一二氧化硅湿凝胶，然后另外添加第二水玻璃溶液，以形成与充当基本骨架的第一二氧化硅湿凝胶有机结合的第二二氧化硅湿凝胶，从而形成具有提高的物理性能的二氧化硅气凝胶，以提高在常压干燥中的抗收缩性，以及分别控制第一水玻璃溶液和第二水玻璃溶液中二氧化硅的浓度，由此提供制备二氧化硅气凝胶的方法，通过该方法制备具有特定的振实密度和可控密度的二氧化硅气凝胶，而且还提供一种由该方法制备的二氧化硅气凝胶。
二氧化硅凝胶制备方法

[发明专利]一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器-CN201710772624.9有效
发明人：蒲浩;王家友;吴关平;王秉国;吴俊;郁赛华;张肖可 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器，其中，该指标方法在形成沟道的二氧化硅层时，分为两步进行，首先在多晶硅层表面沉积二氧化硅层，以获得第一二氧化硅层，然后提高沉积温度，再次沉积二氧化硅层，以获得第二二氧化硅层；由于第二二氧化硅层的沉积温度较高，因此第二二氧化硅层相较于第一二氧化硅层的致密程度更高，从而使得在后续对二氧化硅层进行刻蚀的过程中，第二二氧化硅层的刻蚀速率小于第一二氧化硅层的刻蚀速率，以使得刻蚀完成后，获得较为平整的平面，避免在后续沉积多晶硅时由于二氧化硅层表面凹陷而出现指向衬底的突出区域的情况，进而提升三维存储器的电学性能。
一种三维存储器沟道制备方法

[发明专利]一种无掺杂硅基二氧化硅波导-CN201310176143.3有效
发明人：冯丽爽;王俊杰;刘惠兰 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种无掺杂硅基二氧化硅波导，包括：硅片经热氧化而形成的二氧化硅层B，采用化学气相沉积法（包括但不限于等离子体增强化学气相沉积法PECVD和低压化学气相沉积法LPCVD）形成的二氧化硅层C，采用沉积非晶硅薄膜后经完全热氧化形成的二氧化硅层所述二氧化硅层B用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的下包层；所述二氧化硅层C用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的芯层，该层可以作为平板波导结构的芯层，也可以经刻蚀形成条状波导结构的芯层；所述二氧化硅层T用作所述无掺杂硅基二氧化硅波导的上包层由于采用了无掺杂设计，所述硅基二氧化硅波导具有抗辐照能力强，缺陷少，损耗低的特点。
一种掺杂二氧化硅波导

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