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- [发明专利]坩埚下降法晶体生长炉的下降装置-CN201210509805.X有效
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臧春雨;臧春和;姜晓光;李毅;葛济铭;万玉春;贾志旭
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长春理工大学
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2012-12-03
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2013-04-17
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C30B11/00
- 坩埚下降法生长晶体炉的下降装置,适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长,属于晶体生长技术领域。现有技术存在中频和低频振动,通过坩埚形成对晶体生长的干扰,降低了晶体质量。本发明之坩埚下降法生长晶体炉的下降装置其特征在于,升降杆下端的活塞位于液压缸中;位于液压缸底部的滴油阀一端通向液压缸内部,另一端通向储油槽;安装在临近升降杆侧壁处的位移传感器与降速控制器连接,降速控制器与滴油阀的控制部分连接采用本发明下降法生长无掺杂LiCaAlF6晶体,晶体直径20 mm、长度200 mm,单晶结构完整,劈裂获得的晶体解理面光滑平整,切割截取晶体中部测量,其应力双折射小于10 nm/cm,吸收系数小于2×
- 坩埚下降晶体生长装置
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