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[发明专利]加氢处理催化剂及其制备方法-CN02144949.X有效
发明人：姚颂东;梁相程;刘雪玲;温德荣;喻正南;王继锋 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2002-12-19 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： C10G45/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种加氢处理催化剂及其制备方法，该催化剂载体含有氧化铝，活性组分包括钼和/或钨及镍，镍原子数与镍、钼和/或钨的总原子数之比为0.3～0.9，孔径为2～6nm的孔占总孔容的70％～90％。该催化剂是采用几种不同孔结构的氧化铝混合制成载体，再用含钼和/或钨化合物及含镍化合物的水溶液浸渍制成催化剂。与现有技术相比，本发明的用于加氢裂化后处理催化剂的活性组分中镍/(镍+钼和/或钨)的总原子比较高，催化剂中的中小孔数量多且分布集中，加氢脱硫醇、烯烃饱和活性高，尤其适用于加氢裂化后处理脱硫醇硫过程。
加氢处理催化剂及其制备方法

[发明专利]一种钨合金或钼合金的电解抛光液及电解抛光方法-CN201610317798.1有效
发明人：高选乔;胡忠武;殷涛;郭林江;任广鹏;张文;李来平 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： C25F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨合金或钼合金的电解抛光液，由氢氧化钠、碳酸钠、钼酸钠和水混合配制而成。另外，本发明还公开了利用该电解抛光液对钨合金或钼合金进行电解抛光的方法，该方法为将钨合金或钼合金置于电解抛光液中作为阳极，以不锈钢作为阴极，调节电解抛光液的温度以及直流稳压电源的电压和电流密度，对钨合金或钼合金表面进行电解抛光本发明电解抛光液为氢氧化钠、碳酸钠和少量钼酸钠的水溶液，采用该电解抛光液进行电解抛光的过程中不产生污染性气体，因此安全、环保，而且工件表面无不溶性电解产物生成，无需进行清洗，抛光效率高。
一种合金电解抛光方法

[发明专利]一种短流程制备金属弥散强化铜的方法-CN201910549203.9有效
发明人：陈存广;郭志猛;王雯雯;石辅仟;陆天行;路新;杨芳;李沛 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明基于喷雾热解技术，将可溶性铜盐与含钨或钼的可溶性盐共同溶解后实现铜与钨或钼元素在离子级别均匀混合，经喷雾还原一体化工艺制取钨或钼弥散强化铜粉末，通过压制、烧结制备出钨或钼弥散强化铜坯体材料。本发明技术易于实现工业化生产，制备的弥散强化铜中金属强化相尺度为纳米级，在基体中均匀弥散分布，与基体之间界面结合良好，不仅大幅提升铜基体的力学性能，还使材料保持优异的导电导热特性，在电子电气、核工业等领域要求高导电导热的关键零部件中具有重要应用前景
一种流程制备金属弥散强化方法

[发明专利]一种从高钼白钨矿中提取钨、钼的方法-CN201210457552.6有效
发明人：赵中伟;何利华;吴金玲;李江涛;刘旭恒;陈星宇 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：一种从高钼白钨矿中提取钨、钼的方法。工艺为：将高钼白钨矿采用硫酸-磷酸混合酸浸出；浸出液采用冷却结晶法分离得一次磷钨酸晶体后溶于酸溶液中二次冷却结晶，再经氨溶-铵镁盐法除磷-选择性沉淀法除钼-蒸发结晶处理即可得符合国家0级标准的APT；一次冷却结晶母液经萃取提钼本发明实现了钨钼的高效、常压提取，钨、钼浸出率在98.5%以上；采用冷冻结晶和萃取工艺可有效实现钨、钼的彻底地分离，减轻了后续工序处理负担；浸出过程简单，酸耗量少，且大部分酸实现了循环浸出，极大地降低了生产成本和废水排放
一种白钨矿提取方法

[发明专利]一种钨冶炼过程中钨、钼分离除杂的方法-CN202210460653.2有效
发明人：冯浩;周伟;蔡祥;黄健;黄毅 -专利权人：湖北绿钨资源循环有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种钨冶炼过程中钨、钼分离除杂的方法，包括以下步骤：(1)调节含钼钨酸盐溶液的pH值至5～10，得到溶液A；(2)向溶液A中加入硫酸盐还原菌菌种及碳源，进行硫化反应，得到溶液B；(3)调节溶液B至酸性，保温反应生成沉淀，滤除沉淀，完成钨、钼分离除杂。本发明利用生物转化技术与化学沉淀相结合，先利用硫酸盐还原菌将硫酸根离子还原成硫离子，硫离子再与钨酸盐溶液中的钼酸根离子硫代化反应，形成硫代钼酸盐，硫化过程完全后，调节pH，使MoS42‑转化为MoS3沉淀，从而达到高效除钼的目的，提供了一种全新钨冶炼过程中钨、钼高效分离技术，能够有效去除钨酸钠溶液中94％以上的钼。
一种冶炼过程分离方法

[发明专利]一种降低N1923负载有机相中钼含量的方法-CN202211343363.6在审
发明人：王俊杰;王欣欣;琚成新;龙锦;陈利革;刘德智;候凯;王露露;王璇 -专利权人：洛阳栾川钼业集团股份有限公司;洛阳栾川钼业集团钨业有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C22B34/34 文献下载
摘要：一种降低N1923负载有机相中钼含量的方法，首先采用加氨水方式将废弃氨水pH调为8.5‑9.6，然后使用废弃氨水作为洗涤剂洗涤N1923负载有机相中的钼，将尽可能多的钨留在负载有机相中，利用碳酸氢铵反萃，得到钨钼比大于7：1的反萃液，反萃液进入钨钼蒸发结晶环节，反萃后的空白有机相采用硫酸再生，达到再生标准后重新回到萃取环节，实现既能将有机相中大部分钼洗脱，又避免造成有机相中钨过多损失的目的，本发明具有钼洗涤率高，钨损失率小、经济可行、环境友好、简单有效等优点。
一种降低 n1923 负载有机相中含量方法

[实用新型]一种分体式泡生法蓝宝石炉底保温结构-CN201820276645.1有效
发明人：徐永亮;于海群 -专利权人：内蒙古恒嘉晶体材料有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种分体式泡生法蓝宝石炉底保温结构，包括钼屏组件、钨屏组件、竖屏组件和氧化锆保温层。钼屏组件、钨屏组件、竖屏组件和氧化锆保温层均为圆环形，以钨轴为中心设置。竖屏组件、钼屏组件分别位于钨屏组件的下方，竖屏组件位于钼屏组件的内侧，钨屏组件、竖屏组件均与钨轴不粘连。氧化锆保温层位于钼屏组件的下方，竖屏组件的外侧。竖屏组件可阻挡底部钼屏组件向钨轴传递热量，还可将钨轴周围的热量传递至炉底部，进一步降低钨轴温度，进而降低坩埚底部中心温度，提高坩埚底部径向温差，避免长晶界面翻转，提高晶体利用率，为大重量蓝宝石晶体提供良好的生长环境
屏组件竖屏炉底保温结构保温层分体式氧化锆蓝宝石泡生法坩埚底部中心本实用新型晶体利用率蓝宝石晶体便于拆卸界面翻转径向温差热量传递生长环境中心设置圆环形坩埚轴粘连粘接坩埚保温阻挡传递

[发明专利]一种二硫化钨/二硫化钼/蒙脱土复合物及其制备方法-CN201510416871.6有效
发明人：胡坤宏;晁先泉;史彬;陈浩;姜进洪;胡恩柱 -专利权人：合肥学院
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C10M103/06 文献下载
摘要：一种二硫化钨/二硫化钼/蒙脱土复合物及其制备方法，涉及润滑剂与光催化剂技术领域。利用强酸活化蒙脱土表面；再通过硫代乙酰胺在强酸性条件下水解产生硫化氢来硫化钼酸盐，从而获得非晶态硫化钼；同时，通过强酸酸化钨酸盐获得水合氧化钨，非晶态硫化钼与水合氧化钨从反应体系中共沉淀在活化的蒙脱土上，生成复合物前驱体；再将该前驱体与单质硫混合并加热硫化使氧化钨转变为二硫化钨，接着再加热使非晶态硫化钼煅烧脱硫，获得二硫化钨/二硫化钼/蒙脱土复合物。
二硫化钨蒙脱土复合物二硫化钼非晶态硫化钼水合氧化钨蒙脱土前驱体制备硫化氢硫代乙酰胺强酸性条件生产成本低光催化剂加热硫化硫化钼酸强酸活化强酸酸化制备工艺单质硫复合物润滑剂钨酸盐氧化钨再加热活化脱硫煅烧沉淀下水生产

[发明专利]去除六氟化钨中金属杂质的工艺-CN202310505399.8在审
发明人：王杰;王新喜;温娜;崔同超;曲昆;刘丙德;王大兵 -专利权人：乌兰察布南大微电子材料有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01G41/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除六氟化钨中金属杂质的工艺，属于六氟化钨生产技术领域。其技术方案为：通过化学还原法，用金属钨将六氟化钨中的六氟化钼、六氟化铬还原成固相的金属钼和铬析出，附着在金属钨粉上，与六氟化钨气体分离。本发明解决了六氟化钨中Mo和Cr金属杂质难去除且去除过程复杂的问题以及六氟化钼的熔点和六氟化钨的沸点相近且在熔点附近有较高的蒸气压使六氟化钼较难分离的问题，去除金属杂质的效果好。
去除氟化金属杂质工艺

[发明专利]除钼渣的处理方法-CN202110055040.6有效
发明人：杜庆华;陈杰;王海军 -专利权人：厦门钨业股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种除钼渣的处理方法，除钼渣中含有铜、钨和钼，处理方法包括以下步骤：S1、检测除钼渣中钨、钼和水分含量，按照预定固液比加入反应物，对除钼渣进行第一浸出处理，获得第一滤渣和第一滤液，第一滤渣包括硫铜渣，第一滤液包括钨钼浸出液；S2、对第一滤液进行第二浸出处理，以用于获得第二滤渣和第二滤出液，第二滤渣包括钨沉淀和钼沉淀；S3、对第二滤渣进行第三浸出处理，获得第三滤出液，第三滤出液中包括钨溶液和钼溶液；根据本发明的除钼渣的处理方法能够针对原除钼渣中含钨含钼偏高或存放已久被氧化的混合处理，提高对于除钼渣中钨钼铜的有效回收。
处理方法

[发明专利]一种从钼渣中高效提取钨、钼、铜的方法-CN201710530104.7在审
发明人：曾斌;江亲义;袁善禧;胡亦发;胡俊杰;郭红花 -专利权人：信丰华锐钨钼新材料有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种从钼渣中高效提取钨、钼、铜的方法，通过预处理脱S2‑、碱溶浸出钨和钼、伯胺萃取分离钨钼、无机酸浸出铜、酮肟和醛肟复合萃取剂进行萃取富集提纯、铜电积的工艺，实现从钼渣中高效提取钨、钼、铜，
一种钼渣中高效提取方法

[发明专利]一种制备极薄金属钼箔材的方法-CN201710448842.7有效
发明人：喻海良;崔晓辉;王青山 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B21B1/40 文献下载
摘要：一种制备极薄金属钼箔材的方法，将纯钨箔材和纯钼箔材加工成完全相同尺寸的片材；按照纯钨箔材/纯钼箔材/纯钨箔材进行堆叠；将堆叠后的材料放入加热炉内加热，加热温度为700℃‑850℃之间，加热3‑5分钟；将加热后材料取出，进行冷轧；将轧制后的材料继续放入加热炉内加热，加热温度为700℃‑850℃之间，加热2‑3分钟；将加热后材料取出，进行冷轧；在冷轧过程中，利用钨片和钼片之间的摩擦力将钼表层的氧化物进行机械剥离；重复直到钼材厚度降低到1μm以下，本发明利用钼箔与钨箔进行叠轧，制备出极薄钼箔材。本发明所得钼箔厚度低于1μm，该极薄钼箔在电子器件、二维催化材料等领域具有良好应用前景。
一种制备金属钼箔材方法

[实用新型]一种直热式阴极综合性能测试装置-CN201820742487.4有效
发明人：漆世锴;刘理;魏罗娜 -专利权人：九江学院
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种直热式阴极综合性能测试装置，包括经多根固定钼杆分别固定在导电芯柱上端的高真空接口、吸气剂装置、电子轰击源、带状阴极、钼片阳极，所述电子轰击源和钼片阳极为上下叠层结构固定，带状阴极置于电子轰击源和钼片阳极之间；所述带状阴极包括钨带和发射体，发射体被烧结置于钨带表面上；所述电子轰击源包括发射能力较强的Ba‑W阴极和热子组件。
电子轰击源带状阴极钼片综合性能测试装置直热式阴极阳极发射体钨带阴极吸气剂装置测试装置导电芯柱叠层结构发射能力热子组件烧结高真空上端钼杆耗时

[实用新型]新型钨电极-CN201721061258.8有效
发明人：吴玉民;郭一桃 -专利权人：洛阳市玉隆钨钼材料有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型钨电极，包括钨棒本体，钨棒本体为金属钨成型的钨棒，钨棒的一端设置有带内丝的圆柱形洞状结构，圆柱形洞状结构的轴线与钨棒轴线重合，且圆柱形洞状结构与金属钼制成的螺丝杆螺接，并形成一体结构，钨棒为轧制成型后待用的钨棒坯经磨光和/或抛光工艺后形成的产品，钨棒的尺寸为φ80mm*300mm，内丝的尺寸为M48*3*40mm，螺丝杆的尺寸为M48*3*80mm；本实用新型通过钨棒与钼棒之间的螺接，实现钨棒与钼棒为一体结构，解决了螺丝断裂造成钨棒的浪费，同时由于钼比钨的密度小，减轻了钨棒的重量，降低了人员的劳动强度。
新型电极

[发明专利]一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构-CN202010707407.3在审
发明人：左洪波;杨鑫宏;李铁;马宗羽 -专利权人：哈尔滨秋硕半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，该结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接，圆环钼板包括至少两层圆形钼片；圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔，整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定；坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环，上半部圆环外径大于下半部圆环外径，上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同，同心圆内孔直径从上到下先变小在变大；每层钼片内径尺寸也不相同，坩埚盖的最下层钨板为圆形；每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔，通过钼螺栓、钼丝穿接固定。本发明由钼丝以及间隔钼片的钼螺母穿接固定，形成头尾片可灵活拆卸结构，可以有效减小放肩阶段生长界面的底部圆锥角度，降低大尺寸晶体肩部缺陷，提高晶体晶体良率。
一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚结构