“高结温 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3743430个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高结温半导体可控硅-CN201110045494.1无效
发明人：伍林;潘建英;左亚兵 -专利权人：宜兴市环洲微电子有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种高结温半导体可控硅，具体为高结温半导体可控硅BTB16，它包括铜电极底座、设置在铜电极底座上的两个铜引脚、焊接在铜电极底座上的高结温可控硅芯片、焊接在铜电极底座上的塑封料，其中高结温可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝用超声波焊接到二个铜引脚上，其中塑封料将整个高结温可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的高结温BTB16可控硅。在国内半导体可控硅PN结最高温度为110℃，本发明提供的改良半导体可控硅最高结温可达到140℃以上，可应用于更广泛的领域、满足更高要求的标准。
一种高结温半导体可控硅

[实用新型]一种高结温半导体可控硅-CN201120047513.X无效
发明人：伍林;潘建英;左亚兵 -专利权人：宜兴市环洲微电子有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高结温半导体可控硅，具体为高结温半导体可控硅BTB16，它包括铜电极底座、设置在铜电极底座上的两个铜引脚、焊接在铜电极底座上的高结温可控硅芯片、焊接在铜电极底座上的塑封料，其中高结温可控硅芯片的门极和阴极分别通过金属丝用超声波焊接到二个铜引脚上，其中塑封料将整个高结温可控硅芯片封装在铜电极底座上，形成一个完整的高结温BTB16可控硅。在国内半导体可控硅PN结最高温度为110℃，本实用新型提供的改良半导体可控硅最高结温可达到140℃以上，可应用于更广泛的领域、满足更高要求的标准。
一种高结温半导体可控硅

[发明专利]一种服务器CPU结温调控方法及装置-CN202011318655.5在审
发明人：管彦广 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F11/30 文献下载
摘要：本发明公开一种服务器CPU结温调控方法及装置，服务器有多个CPU核；CPU处理器获取各个CPU核的结温；将所获取各个CPU核的结温与第一预设结温阈值进行比较；根据比较情况直接发送调控风扇转速指令至SAS控制器，或将所获取各个CPU核的结温与第二预设结温阈值进行比较；第二预设结温阈值的范围大于第一预设结温阈值的范围；当与第二预设结温阈值进行比较时，根据比较结果发送调控风扇转速指令至SAS控制器；SAS控制器根据调控风扇转速指令对风扇进行调速本发明实现CPU结温自动调控，使CPU处于一定结温范围内，以便进行CPU的高结温压力测试。
一种服务器 cpu 调控方法装置

[发明专利]基于改进ABC-SVR的IGBT结温预测方法-CN201910619741.0有效
发明人：何怡刚;刘嘉诚;何鎏璐;袁伟博;阮义 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：基于改进ABC‑SVR的IGBT结温预测方法，采集多组IGBT结温和结温相关电学参数，作为样本数据集；对人工蜂群算法中搜索蜜源的公式进行改进；对搜索蜜源的公式进行改进后的人工蜂群算法对支持向量回归机的参数组合进行寻优，得到基于改进人工蜂群算法优化的IGBT结温预测支持向量回归机模型的最佳参数组合；根据最佳参数组合建立最佳IGBT结温预测支持向量回归机模型；对建立的最佳IGBT结温预测支持向量回归机模型进行训练和准确性判断；利用最佳的最佳IGBT结温预测支持向量回归机模型预测结温。本发明所需参数少，实现简单，预测精度高，可广泛适用于IGBT结温测量难度大、要求精度高的应用场合。
基于改进 abc svr igbt 预测方法

[发明专利]一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法-CN202010995804.5有效
发明人：刘克明;杨金龙;骆健;黄全全;王立;胡小刚;臧传龙 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
一种用于高结温功率模块芯片正面连接封装材料结构及其制作方法

[发明专利]SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路-CN202010971576.8在审
发明人：王莉;钱叶彤;赵瑞博 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC MOSFET结温实时动态预测方法及电压检测电路，所述的结温在线预测方法包括以下步骤：SiC MOSFET壳温检测、SiC MOSFET实时功率损耗检测、基于勒贝格采样的结温实时动态预测本发明可以获取未知工作状态下功率器件的实时结温，兼具实时性强和预测精度高的优势。
sic mosfet 实时动态预测方法电压检测电路

[发明专利]基于国产化多NUMA节点CPU结温均衡策略的任务调度方法-CN202110292192.8在审
发明人：郭申;谭智敏;赵博颖;段心明;刘更 -专利权人：北京计算机技术及应用研究所
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于国产化多NUMA节点CPU结温均衡策略的任务调度方法，属于操作系统任务调度技术领域。本发明提出一种基于国产化多NUMA节点CPU结温均衡策略的任务调度方法，当NUMA接电脑结温超过阈值时，将高负载计算任务调度至结温较低的核心，保证CPU的稳定运行。该任务调度方法能有效降低CPU最高工作结温，且对计算负载任务性能损失小，避免CPU长时间超结温阈值工作，提升CPU工作的稳定性。
基于国产化 numa 节点 cpu 均衡策略任务调度方法

[发明专利]一种LED结温或LED阵列平均结温的测量方法-CN201410268725.9在审
发明人：饶丰;朱锡芳;徐安成;周详才 -专利权人：常州工学院
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01J5/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED结温或LED阵列平均结温的测量方法，首先要对LED结温建立公式，小电流所产生的LED光源的自加热过程对结温影响较小，恒温器与LED光源之间的热阻较小，使用恒温器温度代替LED结温。测量不同恒温器温度下的质心波长，建立质心波长与结温的关系式。再根据公式及测量的工作条件下LED光源的质心波长，便可方便的求出工作条件下LED的结温。本发明单次标定，多次测量。质心波长测量的可重复性高，用于表征结温误差小。不接触LED引脚。可以用于单颗LED结温测量，也可以用于多颗LED组成的阵列的平均结温测量，使用范围广。
一种 led 阵列平均测量方法

[发明专利]一种半导体发光器件结温的测量方法-CN201510134296.0有效
发明人：云峰;赵宇坤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光器件结温的测量方法，首先确定蓝移和红移的交汇点，得到最小峰值波长λ0及λ0对应的结温T0，然后根据蓝移区结温函数得到其对应的结温Tblue，根据红移区结温函数得到其对应的结温Tred本发明考虑了蓝移效应的影响，使得对结温的实际测量更为简便和精确；结温函数中包含了器件发光区组分含量x，使其能够应用于具有不同波长的器件的测量，具有更强的实用性；采用对多个具有不同波长或多波长器件的测量来确定相关结温函数的系数该方法能够达到同时具有精确性高，成本低和实用性强的效果，这对于提高半导体发光器件的性能和寿命具有重要意义。
一种半导体发光器件测量方法

[发明专利]IGBT结温测量方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202010423056.3在审
发明人：徐海波;刘洋;王浩;张胜发;李锡光;乔良 -专利权人：东莞南方半导体科技有限公司;华中科技大学
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT结温测量方法、装置、计算机设备及存储介质，其中方法包括获取待测试的IGBT结温的特征参数；将IGBT结温的特征参数输入预设的随机森林模型；根据随机森林模型的输出结果确定特征参数对应的IGBT结温。通过随机森林模型，可准确测算IGBT结温，从而实现一种准确率高、工业实用性强的IGBT结温测量方法。
igbt 测量方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种用加权宽度表征GaN基LED结温的方法-CN201410268532.3有效
发明人：饶丰;朱锡芳;徐安成;周详才 -专利权人：常州工学院
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用加权宽度表征GaN基LED结温的方法，首先要对LED结温建立公式，小电流所产生的LED光源的自加热过程对结温影响较小，恒温器与LED光源之间的热阻较小，使用恒温器温度代替LED结温。测量不同恒温器温度下的加权宽度，建立加权宽度与结温的关系式。再根据公式及测量的工作条件下LED光源的加权宽度，便可方便的求出工作条件下LED的结温。本发明单次标定，多次测量。加权宽度容易准确测量，测量的可重复性高。不接触LED引脚。可以用于单颗LED结温测量，也可以用于多颗LED组成的阵列的平均结温测量，使用范围广。
一种加权宽度表征 gan led 方法

[发明专利]功率器件通态电阻测量电路及结温测量方法、系统-CN202211213174.7在审
发明人：徐千鸣;刘蕊;唐成;郭鹏;张立鑫;邹周;王子航;杨钰;汪洪亮;罗安 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件通态电阻测量电路及结温测量方法、系统，通过通态电阻测量模块解决测量设备宽量程与高精度之间的矛盾，同时保证测量的高速响应能力，实现高精度高响应能力的通态电阻测量；结温模型搭建模块通过单脉冲标定环节得到通态电阻和负载电流等热敏参数的数据，进而通过全连接神经网络预测模型建立结温在线测量模型；结温在线测量模块实时采集通态电阻和负载电流，并将其输入至结温在线测量模型中，通过上位机界面实时显示出结温波动情况，实现高精度结温在线实时测量。所述系统能够真实、准确地反映SiC‑MOSFET功率模块的结温波动，为SiC‑MOSFET功率模块的可靠性评估、寿命预测及健康管理提供重要依据，有利于保证电力电子系统的可靠运行。
功率器件电阻测量电路测量方法系统

[发明专利]IGBT寿命估算方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211502092.4在审
发明人：汪扬;杜长虹;刘立;冉彦杰;周洪波 -专利权人：重庆长安新能源汽车科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请涉及电机控制技术领域，特别涉及一种IGBT寿命估算方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：采集绝缘栅双极型晶体管IGBT集电极‑发射极的饱和压降；基于预设的饱和压降‑结温模型，根据饱和压降计算IGBT的结温值，并根据IGBT的结温值提取IGBT的结温循环数据，其中，预设的饱和压降‑结温模型由饱和压降‑结温曲线或训练目标神经网络得到；将IGBT的结温循环数据输入至预设的IGBT寿命预测模型，计算由此，解决了对IGBT模块的可靠性准确的评估等问题，耗时短，精度高且工作量低，保证了电机控制器工作时的稳定性。
igbt 寿命估算方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种多参数融合的电力电子器件结温估计方法及系统-CN202210250392.1在审
发明人：徐国卿;潘正云;向大为;肖正炜;佘辰;赵晖;吴天宜 -专利权人：煤炭工业合肥设计研究院有限责任公司;上海大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多参数融合的电力电子器件结温估计方法及系统，涉及电力电子器件健康管理领域，包括对测试电力电子器件进行标定实验；基于测试电力电子器件的标定实验数据，建立关于关断时间的电力电子器件结温估计模型和关于关断损耗的电力电子器件结温估计模型；基于上述电力电子器件结温估计模型，建立关于关断损耗和关断时间的多参数融合的电力电子器件结温估计模型；确定电力电子设备中的目标电力电子器件在运行时的电气参数；基于电气参数和多参数融合的电力电子器件结温估计模型，确定目标电力电子器件的结温。本发明具有精确度高，抗干扰性强的优点，对电力电子器件的可靠性研究具有重要的价值。
一种参数融合电力电子器件估计方法系统

[发明专利]一种IGBT结温监测装置及方法-CN201910829782.2有效
发明人：张品佳;杨雁勇;夏科睿;闵锐 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种IGBT结温监测装置及方法，利用二极管反向恢复电流峰值与二极管结温的关系，结合IGBT模块热阻抗网络模型实现IGBT芯片结温的间接监测。通过监测集电极开通电流过冲实现IGBT模块的结温在线监测，该监测方法对电路的正常工作没有干扰，只需要增加采样电路即可，该发明基于电流型热敏电参数对IGBT模块结温进行估算，不受IGBT键合线老化的影响，解决了电力电子变流器中IGBT结温难以精确测量的难题，采样频率高，成本低，对于IGBT的监测和电力电子变流器的可靠性评估具有重要意义。
一种 igbt 监测装置方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条