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[发明专利]高纯磷烷规模化连续生产方法和装置的研制-CN201810741845.4在审
发明人：吴来发 -专利权人：吴来发
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C01B25/06 文献下载
摘要：本发明是一种制备高纯磷烷规模化连续生产方法和装置的研制，属于电子气体制备纯化技术领域；该方法包括步骤(1)、粗制磷烷的制备过程：先用亚磷酸加热反应得到粗制磷烷；和(2)、高纯磷烷的纯化过程：对粗制磷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓‑铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和碳氢化合物等电子材料中有害杂质，一般可以达到0.01～0.1ppm以下；纯化剂主体镓‑铟合金可以反复使用，使用寿命除化学处理稍许损失外，理论上具有很长的使用寿命。
高纯磷烷粗制磷烷方法和装置使用寿命规模化铟合金制备分子筛吸附深吸附脱水碳氢化合物低温真空电子材料电子气体化学处理加热反应液氮冷阱制备过程纯化剂亚磷酸脱除

[发明专利]一种合成高纯砷烷的方法-CN201010233369.9无效
发明人：尹恩华;武峰;巩建民 -专利权人：武峰
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C01G28/00 文献下载
摘要：本发明一种合成高纯砷烷的方法，属于电子气体合成纯化技术领域；该方法包括步骤(1)、粗制砷烷的合成过程：先用砷粉和锌粉制成砷化锌，再与稀硫酸反应得到粗制砷烷；和(2)、高纯砷烷的纯化过程：对粗制砷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓-铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和二氧化碳等电子材料中有害杂质，一般可以达到0.01～0.1ppm以下；纯化剂主体镓-铟合金可以反复使用，使用寿命除化学处理稍许损失外，理论上具有很长的使用寿命。
一种合成高纯方法

[发明专利]一步法制备高纯三甲基镓的方法-CN201110390184.3有效
发明人：茅嘉原;王士峰;李敏;洪海燕 -专利权人：苏州普耀光电材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明属于含周期表第Ⅲ族元素的化合物的制备领域，涉及一步法制备高纯三甲基镓的方法，包括以下步骤：在惰性气体保护下，以聚乙二醇二甲醚为溶剂，以镓镁合金、金属镁为原料，边搅拌边将卤代甲烷加入反应体系，通过控制滴加速度控制反应速度；反应完成后，蒸馏去除低沸点物质，然后解配聚乙二醇类二甲醚溶剂和三甲基镓的配合物，得到三甲基镓。与传统工业化方法相比，原材料更便宜，反应产率高，安全性更强。且未反应的原材料可回收利用，大大降低的生产成本。原材料没有自然物质，反应过程安全系数高，特别适合工业化生产。
一步法制备高纯甲基方法

[发明专利]一步法制备高纯三乙基镓的方法-CN201110390183.9有效
发明人：茅嘉原;王士峰;李敏;洪海燕 -专利权人：苏州普耀光电材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：本发明属于含周期表第Ⅲ族元素的化合物的制备领域，涉及一步法制备高纯三乙基镓的方法，包括以下步骤：在惰性气体保护下，以聚乙二醇二甲醚为溶剂，以镓镁合金、金属镁为原料，边搅拌边将卤代乙烷加入反应体系，通过控制滴加速度控制反应速度；反应完成后，蒸馏去除低沸点物质，然后解配聚乙二醇二甲醚溶剂和三乙基镓的配合物，得到三乙基镓。与传统工业化方法相比，原材料更便宜，反应产率高，安全性更强。且未反应的原材料可回收利用，大大降低的生产成本。原材料没有自然物质，反应过程安全系数高，特别适合工业化生产。
一步法制备高纯乙基方法

[发明专利]铜铟镓硒的处理方法-CN201810804867.0在审
发明人：潘勇进;葛鹏 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种铜铟镓硒的处理方法，包括以下步骤：铜铟镓硒中加入碳酸钠进行烧结，得到二氧化碳和烧结料，所述烧结料为亚硒酸钠和铜铟镓氧化物的混合物；烧结料中加入硫酸浸出，过滤得到含有硫酸铜、硫酸镓、硫酸铟和亚硒酸钠的混合溶液；将所述含有硫酸铜、硫酸镓、硫酸铟和亚硒酸钠的混合溶液通过阴离子交换树脂进行离子交换，得到铜铟镓溶液；阴离子交换树脂通过解吸后得到亚硒酸盐溶液；将亚硒酸盐溶液结晶后得到亚硒酸盐或将亚硒酸盐溶液加工后得到高纯硒；对铜铟镓溶液处理得到铜、铟、镓。本发明利用铜铟镓硒废料主要为硒化物的特点，使用碳酸钠烧结将铜铟镓硒转化为易溶于酸的氧化物，减少了酸和强氧化剂的消耗。
铜铟镓硒亚硒酸盐亚硒酸钠烧结料铜铟镓阴离子交换树脂混合溶液烧结硫酸铜硫酸铟硫酸镓碳酸钠氧化物离子交换强氧化剂溶液处理溶液加工溶液结晶混合物高纯硒硒化物二氧化碳解吸浸出易溶硫酸过滤消耗申请转化

[发明专利]一种电加热设备用超温自保护晶闸管的制作方法-CN201410487218.4有效
发明人：于能斌;于泽;张宏伟;王景波;刘欣宇 -专利权人：鞍山市良溪电力科技有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明涉及一种电加热设备用超温自保护晶闸管的制作方法，包括以下步骤1)清洗硅片；2)石英闭管清洗；3)镓、铝源一次全扩散；4)P+扩散；5)氧化；6)一次光刻；7)磷扩散；8)割圆；9)烧结；10)蒸发1)在控制极回路中加入温度控制器，实现超高温保护；2)采用高纯镓、高纯铝源一次全扩散的制造工艺技术，扩散均匀，效率高；3)采用阳极P+扩散技术降低硅片与钼片接触的压降；4)烧结过程采用电脑程控仪控制设备烧结温度，精确稳定，一致性好；5)外密封管壳采用无氧铜加陶瓷密封，热阻小，防潮性能高。
一种加热备用保护晶闸管制作方法

[发明专利]非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法-CN99100087.0无效
发明人：陈诺夫;林兰英;王玉田;何宏家;钟兴儒 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 1999-01-08 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次测量晶格常数后，测量标准样品的晶格常数，计算仪器误差：Δa’＝a’-a’0其中，a’0＝5.431058为硅单晶的标准晶格常数；按下式消除仪器的测量误差，得到准确的单晶晶格常数：a＝am-Δa’，am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值
破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比方法

[发明专利]一种粗镓的电解精炼装置及电解精炼方法-CN202110770844.4有效
发明人：许志鹏;邹铭金;郭学益;田庆华;李栋 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C25C7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种粗镓的电解精炼装置，包括电解槽，所述电解槽内设有用于容置粗镓阳极的阳极区和用于容置高纯镓阴极的阴极区，所述阳极区和阴极区相互独立，所述阴极区为螺旋阶梯式流道结构，所述螺旋阶梯式流道结构的流道两侧及底部封闭本发明还提供一种利用上述的电解精炼装置电解粗镓的电解精炼方法。本发明的粗镓的电解精炼装置，该装置的阴极区为螺旋阶梯式流道结构，极大地扩展阴极区面积，实现低电流密度下大工作电流生产，在保证了产品的纯度的同时能够增产提效。
一种电解精炼装置方法

[发明专利]一种高纯镓的生产设备及方法-CN202010180668.4有效
发明人：王友彬;洪标;韦悦周;袁增崟;林学亮;邹睿 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯镓的生产设备及方法，包括结晶槽，介质循环槽，隔热层和液态镓排出装置。方法为：介质循环槽通入循环热水，通过结晶槽入口将处理好的液态粗镓放置于结晶槽内，往第一介质循环槽通入循环冷水，待达到临界结晶温度后，通过结晶槽入口放置晶种，每结晶一段时间后，往下一个介质循环槽通入循环冷水，直到倒数第二个介质循环槽通入循环冷水，待充分结晶后，通过液态镓排出装置排出残余镓液，重复结晶5‑7次，最终产品的纯度可以达到6‑7N。
一种高纯生产设备方法

[发明专利]一种基于固定点温坪技术的标准黑体辐射源-CN201811398057.6在审
发明人：张俊祺;张奇;王阔传;王文革;黄赜;罗兆明;刘浩 -专利权人：北京航天计量测试技术研究所;中国运载火箭技术研究院
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：连接螺旋状加热管路，螺旋状加入管路缠绕在固定点坩埚上，并连通控温流道出口，控温流道出口穿出外壳，控温液体从控温流道入口流入，经螺旋状加热管路后从控温流道出口流出，从而控制整个装置的温度，固定点坩埚内部为高纯镓金属，高纯镓金属围成空腔；在外壳内部还有后温度补偿，其与均温块连接，而均温块连接固定点坩埚左端，后温度补偿对均温块进行温度补偿，进而对固定点坩埚进行温度补偿，固定点坩埚的右侧接触光阑，光阑连接前温度补偿。
控温温度补偿坩埚流道出口均温块螺旋状标准黑体辐射源加热管路流道入口高纯镓光阑金属连接固定点外壳内部成空腔穿出穿入左端连通缠绕流出

[发明专利]一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法-CN202011070429.X有效
发明人：咸冯林;徐林华;杨明珠;匡文剑;郑改革;李金花;曹兆楼;裴世鑫 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
一种 alpha 氧化薄膜制备方法

[实用新型]一种高纯镓结晶装置-CN202020975308.9有效
发明人：卢鹏荐;曾小龙;张林 -专利权人：武汉拓材科技有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B01D9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯镓结晶装置，属于结晶设备技术领域，其包括壳体，所述壳体的左侧面卡接有第一转动机构，所述第一转动机构的两端分别与转盘的左侧面和电机的输出轴固定连接，所述电机的上表面和下表面均通过连接杆与壳体的左侧面固定连接该高纯镓结晶装置，通过设置转盘、转轴、滑动架和安装板，工作人员控制电机工作，使得电机通过转轴和转盘带动滑动架上下运动，使得滑动架带动第一滑杆和第二滑杆分别在第一滑套和第二滑套内滑动，使得滑动架在运动时不会发生晃动
一种高纯结晶装置

[发明专利]高纯磷烷的净化和分析-CN201010284480.0无效
发明人：尹恩华;武峰;陆方喜 -专利权人：武峰
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C01B25/06 文献下载
摘要：高纯磷烷研制的工艺过程分为两步，第一步为磷烷气体的生成，即用起始原料亚磷酸生产出约2N纯度的磷烷；第二步是采用低温真空分离、吸附干燥、精馏和镓-铟合金或催化剂深吸附脱水、氧。最后纯度为5N5。过滤除颗粒(常见金属)以及高纯气体灌装，生产出适合我国电子行业需要的5N5高纯气体。高纯磷烷分析内容包括：痕量氧+氩、氮、总烃、一氧化碳、二氧化碳、水和砷烷杂质分析(浓缩或DID色谱)。
高纯净化分析

[发明专利]一种GaN纳米线生长方法-CN201210317228.4无效
发明人：修向前;华雪梅;张士英;林增钦;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种制备GaN纳米线的方法，蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5-50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1-20sccm，HCl载气流量10-200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm
一种 gan 纳米生长方法

[发明专利]一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法-CN202110146360.2有效
发明人：陈杰;齐超;孙本双;淮志远;何季麟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法，其原料按照质量百分比，由氧化锡及氧化镓高纯纳米粉末组成，其组分比例为氧化镓2~10%，氧化锡90~98%。粉末称量混合后加入聚丙烯酸铵，聚乙烯醇及纯水，混合浆料经球磨后造粒干燥，得到混合粉末依次使用油压机、等静压机压制成型，之后使用脱脂‑多步烧结一体化烧结技术在不同烧结温度下制备了氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材。本发明掺杂的氧化镓有效提高了氧化锡陶瓷的烧结性能，显著提升了氧化锡陶瓷靶材的致密度，同时通过制备工艺的有效控制，获得了组织均匀且晶粒细小的氧化镓掺杂氧化锡靶材。
一种氧化掺杂陶瓷制备方法

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