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[发明专利]高硅瓷-CN200910016254.1无效
发明人：任允鹏;曾德斌;尚庆刚;岳剑;陈化东;樊震坤 -专利权人：山东硅元新型材料有限责任公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硅瓷，属于日用陶瓷技术领域，其化学重量百分组成为：SiO₂ 80～89％、Al₂O₃ 10～15％、CaO 0.3～1.6采用了结合性能好的复合粘土，突破了配料中脊性原料多、泥料成型性能差、生坯强度差的瓶颈，制得的坯体变形小，最终获得的全新组成的高硅瓷，机械强度高，透光度好，
高硅瓷

[发明专利]高硅β沸石-CN90107432.2无效
发明人：张奎喜;童广明;陈学大;张国宏;尹泽群;阮彩安 -专利权人：中国石油化工总公司抚顺石油化工研究院
申请日： 1990-09-06 - 公布日： 1997-07-16 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：一种高硅β沸石，以有机胺法合成的β沸石为原料，除经焙烧脱胺和酸处理脱铝外，再经过加压水热处理而制得，其X光衍射特征峰强度较原料β沸石有明显的增强。
沸石

[发明专利]生产高纯硅坯料的方法和装置-CN200910163402.2有效
发明人：储晞 -专利权人：储晞
申请日： 2009-08-17 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种生产高纯硅坯料的方法和装置，该装置包括：高纯硅生产设备，用于制备流态高纯硅；高纯硅坯料加工设备，用于将所述高纯硅生产设备制备得到的流态高纯硅进行加工处理制成高纯硅坯料；输送管道，所述输送管道的一端与所述高纯硅生产设备的产品出口相连，所述输送管道的另一端与所述高纯硅坯料加工设备的原料入口相连。本发明提供的生产高纯硅坯料的方法和装置，通过输送管道将高纯硅生产设备和高纯硅坯料加工设备进行连接，使得制备出的流态高纯硅直接被加工为高纯硅坯料，减少了冷却和运输高纯硅的过程，降低了生产高纯硅坯料的能耗。
生产高纯坯料方法装置

[实用新型]桥式整流二极管-CN201621469010.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm，有源区尺寸4.72mm×4.72mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管反向击穿电压高，正向电流高。
整流二极管

[发明专利]间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备-CN201910768723.9在审
发明人：董秀奇;钟国平 -专利权人：惠州市华顺祥实业有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明提供用硅粉间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺，以铝液和硅粉为原料，其中硅粉占总量的22‑70％，间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料，将铝液和硅粉充分混合形成液态高硅铝合金或者将其冷却形成高硅铝合金半固态浆料其用硅粉间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的设备，用于间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料，包括进料组件、制浆机、保温炉、保温炉盖、输出管以及冷却装置，所述制浆机穿过保温炉盖伸入保温炉内，所述输出管一端伸入温炉内，所述冷却装置设置于保温炉底部，进料组件包括硅粉进料装置以及铝水进料装置，硅粉进料装置与铝水进料装置分别将硅粉与铝液加入保温炉内。
高硅铝合金硅粉半固态浆料制备进料装置保温炉铝液保温炉盖进料组件冷却装置输出管制浆机铝水伸入工艺及其设备充分混合炉内冷却穿过

[发明专利]用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料-CN201280073015.X有效
发明人：德丸慎司;日吉正孝;近藤次郎;堂野前等;岸田丰;中泽滋;尾上浩三 -专利权人：菲罗索拉硅太阳能公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。
用于制造高纯方法通过得到以及原料

[实用新型]一种桥式整流二极管-CN201721882359.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管尺寸小，反向击穿电压高。
高掺杂衬底低掺杂基环桥式整流二极管本实用新型沉积金属石墨烯层反向击穿电压阳极金属电极阴极金属电极圆角长方体二极管阴极阳极保护膜硅晶片源区背面

[发明专利]高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法-CN200910173834.1有效
发明人：储晞 -专利权人：储晞
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法，该方法包括：采用高纯硅为原材料，通过机械加工、压制、浇铸或气相沉积成型的方法制备得到用于生产高纯硅的器具；将所述器具在保护气氛中或真空中、且在高温下进行退火处理本发明提供的高纯硅生产器具及高纯硅生产器具的制备方法，采用高纯硅为原料，通过机械加工、压制、浇铸或气相沉积成型的方法对不同形态的高纯硅进行相应的处理，制备得到用于生产高纯硅的器具，并将该器具在保护气氛或真空中进行退火处理以消除该器具中残余的内应力，使用该器具生产高纯硅，可以避免对高纯硅的污染，提高和保证高纯硅的质量，降低高纯硅的生产成本。
高纯生产器具制备方法

[实用新型]一种快恢复二极管-CN201520928417.4有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，硅晶片尺寸为2.7mm×1.8mm，厚度为270±10μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有4个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有三个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型反向击穿电压高，正向压降低，开关特性好。
一种恢复二极管

[实用新型]开关电源用整流二极管-CN201922467605.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。
开关电源整流二极管

[实用新型]一种微型硅光电二极管-CN201520974428.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：一种微型硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.5mm×0.3mm，有源区面积0.43mm×0.23mm，厚度为280±10μm，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环上有氮化硅钝化薄膜，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述氮化硅钝化薄膜上有圆角正方形状接触孔，所述接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积金属Au作为阴极。本实用新型尺寸小，灵敏度高，可应用于光通信、激光二极管功率控制等领域。
一种微型光电二极管

[实用新型]一种高压整流二极管-CN201520928435.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度为252±15μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角正方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有高掺杂P型硅基双环结构，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管（CNT）层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型尺寸小，反向击穿电压高，正向压降低，稳定性好。
一种高压整流二极管

[实用新型]高硅氧线-CN202120359743.3有效
发明人：徐夏鸣 -专利权人：达必温汽车零部件(上海)有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： D07B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了高硅氧线，包括高硅氧线本体，所述高硅氧线本体的内侧设置有中间隔套，所述中间隔套的内侧设置有加强层，所述高硅氧线本体与中间隔套紧密贴合固定，所述中间隔套与加强层紧密贴合固定。该高硅氧线，高硅氧线本体具体采用高硅氧纤维条，高硅氧线本体由多根高硅氧纤维条同向捻合成股，使其在保证耐温性能的情况下尽量减少对玻璃纤维表面的损伤，最大限度的保持高硅氧线的强度，将其应用于三元催化器这样的高温位置，既能满足强度要求又不会因为耐温度不够造成烧失堵塞三元催化孔；通过设置的扣结使高硅氧线本体的多根高硅氧纤维条具备多个固定部位，使得高硅氧线本体不易断裂松散，提高整体的使用效果。
高硅氧线

[实用新型]电子书触控板传感器用光电二极管-CN201721880634.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积Cr/Au混合金属作为阴极。本实用新型的二极管尺寸小，寿命长，灵敏度高，适用于电子书触控板传感器。
高掺杂衬底低掺杂触控板传感器光电二极管接触孔碳纳米阴极本实用新型圆角正方形二极管沉积金属混合金属外延硅层阳极灵敏度外凸起沉积背面

[发明专利]高纯硅棒的热处理方法和硅片的制备方法-CN202010809469.5在审
发明人：王体虎;宗冰;丁小海;肖建忠;鲍守珍 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯硅棒的热处理方法和硅片的制备方法。高纯硅棒的热处理方法，包括：将高纯硅棒置于绝缘保护套中，然后射频加热所述高纯硅棒；所述射频加热之前使用微波进行第一预热，然后射频加热至结束；或者，在所述绝缘保护套中设置用于热辐射的感应体，通过射频加热所述感应体进而对所述高纯硅棒进行第二预热硅片的制备方法，包括：使用所述的高纯硅棒的热处理方法加热高纯硅棒，然后经过热应力破碎得到高纯硅块；将所述高纯硅制成晶体硅棒，然后切片得到所述硅片。本申请提供的加热高纯硅棒的方法，热效率高，加热过程中硅棒污染少。
高纯热处理方法硅片制备

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