“高区”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4038709个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种生物质气化炉-CN202311045722.4在审
发明人：刘嘉璇;张国杰;李天善;刘俊;阎煌煜;吕永康;王宝俊;章日光;吕登科;李若昕;魏晓芬;陈康翟;李俞良;武欣阳 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C10J3/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种生物质气化炉，属于气化炉技术领域，包括炉体，炉体从上至下依次为干燥区、热解区、氧化区、还原区和排灰区，所述炉体内设有燃烧室，炉体的顶端设有进料装置，底部设有排灰装置，炉体的两侧分别设有与热解区连通的进气管一以及与氧化区连通的进气管二，炉体的底部设有出料管，通过使用本发明，可成功地从生产气体中去除焦油，气化炉热效率高，操作温度高，冷气效率高，碳转化效率高，热值高，提高了整体工艺效率。
一种生物气化

[发明专利]使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件-CN201210243181.1有效
发明人：李俊宏;李平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括漂移区、硅衬底、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极和绝缘栅极介质，其特征在于，漂移区、硅衬底、源极为第一种导电类型，沟道区、欧姆接触重掺杂区为第二种导电类型，高介电常数材料柱设置于栅极与硅衬底之间，栅极与高介电常数材料柱直接接触，漂移区环绕于高介电常数材料柱。本发明使高介电材料功率器件的比导通电阻和纵向Super Junction功率器件相比，出现超过三个数量级的降低。
使用介电常数结构通电纵向功率器件

[发明专利]金属氧化物半导体混成静态感应半导体闸流管-CN92112889.4无效
发明人：西泽润一;铃木壮兵卫 -专利权人：财团法人半导体研究振兴会
申请日： 1992-11-09 - 公布日： 1999-07-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：Ｓ１闸流管单元具有高杂质浓度第一导电类型的阴极区、高杂质浓度第二导电类型的栅极区和低杂质浓度第一导电型的沟道区。ＭＯＳ管具有与阴极区相同的漏极区，一在沟道区附近形成的第二导电型的阱或基极以及高杂质浓度第一导电型的源极区。在阱或基极上形成源极区。稳压元件含第二导电型的第一半导体区和第一导电型的第二半导体区，二者都具高杂质浓度。
金属氧化物半导体混成静态感应流管

[发明专利]一种通过序列预测抗体上结合位点的深度学习方法-CN202011269669.2有效
发明人：杨跃东;张磐 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G16B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及抗体结合位点预测领域，具体提供一种通过序列预测抗体上结合位点的深度学习方法，包括如下步骤：获取抗体上若干个高变区，将若干个高变区串连为一条高变区序列，在不同的高变区序列之间加入一种未知类型的氨基酸作为区分标识；所述的高变区序列中每个氨基酸的特征包括词嵌入特征、额外特征；将词嵌入特征和额外特征合并得到最后的特征矩阵，并将特征矩阵输入神经网络模型；所述的神经网络模型采用双向长短期记忆网络与transformer编码器学习高变区序列信息以及不同高变区之间的相互作用信息，预测抗体结合位点。本发明能通过学习不同高变区之间的相互作用信息，准确地预测抗体结合位点。
一种通过序列预测抗体结合深度学习方法

[发明专利]一种管道完整性高后果区识别方法-CN202310188317.1在审
发明人：徐国亮;李梅;周红霞 -专利权人：西安东方宏业科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种管道完整性高后果区识别方法，包括：获取目标管道两侧高分影像和目标管道中心线数据，将目标管道中心线数据与目标管道两侧高分影像进行叠加，确定识别距离界线；基于识别距离界线内的建筑物训练深度学习模型，输出识别结果；基于识别结果提取建筑物的户数，并基于输气管道高后果区识别准则进行区段拆分与合并，完成高后果区的识别。本发明通过遥感影像与深度学习模型相结合，完成对管道高后果区识别，解决现有高后果区识别模式中存在的时效低、人力成本高以及高后果区识别精度低等问题。
一种管道完整性后果识别方法

[实用新型]一种防滑高开叉内裤-CN202220722561.2有效
发明人：钭雅前;安晓萌;刘晓 -专利权人：彼悦（北京）科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： A41B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防滑高开叉内裤，包括前片、后片、底裆片和防滑条，前片上对称设置有两个高开叉区，两个高开叉区的顶点之间的距离为防滑高开叉内裤的腰围的25％‑40％，且高开叉区的角度为100°‑115°，防滑条固定在防滑高开叉内裤的腿围的边缘上，且防滑条的一端位于后片和底裆片的连接处，防滑条的另一端位于高开叉区的顶点处。本实用新型的防滑高开叉内裤的高开叉区的角度及两个高开叉区的顶点之间的距离限定可达到腿根面料不堆积和与髋部外围充分贴合的效果，结合防滑条的设置可有效防止下滑及夹裆的问题，提高穿着的舒适性。
一种防滑开叉内裤

[发明专利]半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构-CN202310725552.8在审
发明人：吴梦影;于海洋;李韶杰;赵秦丰;曹玉莲 -专利权人：山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体DFB激光器大电流下保持单横模激射的结构，它属于有源芯片，其在高阶侧模有光场分布而基模无光场分布的双沟两侧的高折射脊台下生长离子吸收区和高阻区，其在增加高阶侧模损耗的同时，减小高阶侧模的增益它主要包括包括离子吸收区和高阻区，在激光器双沟脊波导双沟两侧的高折射率脊台下生长离子吸收区和高阻区，离子吸收区为掺杂高阶侧模自由载流子吸收损耗区，即离子吸收层；高阻区为生长在P型限制层中与限制层材料晶格匹配的绝缘层，即高阻层；离子吸收层，离子吸收层位于P型掺杂限制层Ⅰ上方。
半导体 dfb 激光器流下保持单横模激射结构

[发明专利]垂直腔面发射激光器以及垂直腔面发射激光器的制造方法-CN202210648909.2在审
发明人：井上大辅;藤田朗人 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：第二分布式布拉格反射器包含半导体区以及高电阻区。高电阻区具有比半导体区的电阻高的电阻。第一轴通过半导体区。高电阻区包围半导体区。在包含第一轴的截面中，高电阻区具有以高电阻区的内径在第一轴的方向上随着远离有源层而变大的方式在相对于第一轴倾斜的方向上延伸的内缘。
垂直发射激光器以及制造方法

[发明专利]基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法-CN202311019567.9在审
发明人：姚佳飞;林琰琰;李昂;胡子伟;姚清;郭宇锋;蔡志匡;李曼;杨可萌;张珺;陈静;张茂林 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。
基于介质定位空场功率器件制备方法

[发明专利]双金属栅极晶体管的制造方法-CN201110207853.9有效
发明人：李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种双金属栅极晶体管的制造方法，包括：提供衬底，在衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区，在衬底上形成覆盖所述第一掺杂区和第二掺杂区的高K介质层，在高K介质层上形成牺牲栅极；去除位于第一掺杂区上的部分牺牲栅极，露出第一掺杂区上的高K介质层，形成由高K介质层和剩余牺牲栅极围成的第一开口；在所述第一开口内形成位于第一掺杂区上的第一金属栅极；在所述第一金属栅极上形成覆盖所述第一金属栅极的阻挡层；去除位于第二掺杂区上剩余牺牲栅极，露出第二掺杂区上的高K介质层，形成由高K介质层、第一金属栅极围成的第二开口；在所述第二开口中形成第二金属栅极；去除阻挡层。
双金属栅极晶体管制造方法

[发明专利]一种闪存及其制备方法-CN201910919833.0有效
发明人：刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存及其制造方法，所述闪存的制造方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底包括相邻的单元区和高电阻多晶硅区，在单元区和高电阻多晶硅区的半导体衬底上均形成有字线结构；对字线结构进行P型离子注入；形成图形化的掩模层，掩模层覆盖了高电阻多晶硅区，并暴露出单元区的字线结构；以图形化的掩模层为掩模，对单元区的字线结构进行N型离子注入，并清除掩模层，以形成闪存。本发明通过在高电阻多晶硅区形成字线结构，使得无需增加掩模板的情况下，可以利用现有的掩模板制备的电阻多晶硅，其降低了生产成本；还通过上述步骤在高电阻多晶硅区形成了表面电阻高，温度系数低的字线结构。
一种闪存及其制备方法

[实用新型]一种水压水量恒定的分区供水系统-CN202121305113.4有效
发明人：向龙;冯泽;李智超;赖启辉 -专利权人：湖南龙新净水科技有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： E03B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水压水量恒定的分区供水系统，涉及直饮水、纯净水、纳滤、超滤等系统水处理领域，包括净水设备，所述净水设备一端法兰连接有进水管，所述净水设备另一端法兰连接有原水箱，位于所述原水箱另一端依次法兰连接有高区供水泵、中区供水泵、低区供水泵；所述高区供水泵、中区供水泵、低区供水泵均对应法兰连接有高区止回阀、中区止回阀、低区止回阀；位于所述高区止回阀远离高区供水泵的一端法兰连接有高区供水管；本实用新型将各管道同程布置
一种水压水量恒定分区供水系统

[发明专利]一种高流动性马来酸酐接枝聚乙烯及其制备方法-CN202111546085.X在审
发明人：刘嘉贤;刘耀春 -专利权人：佛山（华南）新材料研究院
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C08F255/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高流动性马来酸酐接枝聚乙烯的制备方法，所述高流动性马来酸酐接枝聚乙烯利用挤出设备经过熔融反应挤出，所述挤出设备包括混合区、接枝区和终止区，具体包括以下步骤：将PE树脂原料、引发剂和硅类润滑剂混合均匀后置于挤出设备的混合区中进行熔融混合；向挤出设备的混合区中加入马来酸酐单体；向挤出设备的终止区中加入抗氧化剂；向挤出设备的混合区和终止区通入惰性气体；所述挤出设备挤出造粒，得到成品。相应地，本发明还提供了上述方法制备得到的高流动性马来酸酐接枝聚乙烯，其熔融指数高，接枝率高。
一种流动性马来酸酐接枝聚乙烯及其制备方法

[实用新型]一种单模稳定的DFB激光器-CN202123412574.4有效
发明人：唐涌波 -专利权人：深圳市斑岩光子技术有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型适用于激光器领域，提供了一种单模稳定的DFB激光器，所述DFB激光器包括左DFB及右DFB，及设置在所述左DFB及所述右DFB之间且连接所述左DFB及所述右DFB的共用高反侧解理区，所述共用高反侧解理区包括由下到上依次设置的解理区下电极、解理区下包层、解理区量子阱有源层、解理区上包层、解理区上电极及设置在所述解理区上包层内的均匀光栅结构。旨在解决现有技术中DFB激光器的高反面是通过在解理面镀高反膜来实现，受工艺容差影响，解理面的位置无法精确控制，这导致DFB高反面的相位随机不定，进而影响了DFB激光器的单模产出的技术问题。
一种单模稳定 dfb 激光器

[发明专利]光波导探测器与光模块-CN201610113602.7有效
发明人：费永浩;崔积适;朱以胜 -专利权人：华为技术有限公司;北京大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供一种光波导探测器与光模块，包括沿第一方向堆叠的波导层、上包层和电极层；波导层包括硅波导层和锗波导层，锗波导层位于硅波导层和上包层之间；硅波导层包括沿第二方向排列的P型硅高掺杂区、P型硅轻掺杂区、N型硅轻掺杂区和N型硅高掺杂区，第二方向垂直于第一方向；锗波导层包括第一锗高掺杂区和锗未掺杂区，锗波导层的第一表面包括第一锗高掺杂区的表面，第一表面为锗波导层在第一方向上背向硅波导层的表面，第一锗高掺杂区的宽度小于或等于第一表面宽度的一半，第一锗高掺杂区的厚度大于或等于5nm且小于或等于200nm；上包层包括连接第一锗高掺杂区与电极层的金属过孔。
波导探测器模块