专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体晶片的制造方法-CN201811496979.0有效
  • 冈部秀光 - 胜高股份有限公司
  • 2018-12-07 - 2022-12-27 - H01L21/306
  • 根据本发明所述的半导体晶片的制造方法包括:加工倾向获取步骤S10,求出使用局部干式蚀刻法的平坦化装置的加工倾向;加工前膜厚分布测定步骤S20,测定半导体层的平坦化加工前的膜厚分布;步骤S30,设定前述半导体层的预想膜厚分布;步骤S40,基于前述半导体层的目标膜厚分布和前述预想膜厚分布,在前述平坦化装置中设定目标蚀刻量分布;以及平坦化步骤S50,基于前述目标蚀刻量分布,对前述半导体层的整面进行局部干式蚀刻加工。
  • 半导体晶片制造方法

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