专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电流传感器-CN200810178762.5在审
  • 西浦龙一;牧田阳;西沢博志;吉田忠广;金太炫 - 三菱电机株式会社
  • 2008-11-26 - 2009-10-21 - H01F38/28
  • 在初级导体(5)所贯通的芯部(1)的圆周方向交替配置多个磁性体部(3)以及非磁性体部(4)而进行分割。在包括卷绕在芯部(1)上的次级绕组(2)的各导体(2a)的剖面的芯部(1)的各芯部截面与上述磁性体部以及上述非磁性体部交差,且上述芯部截面中的上述磁性体部的磁性体部截面面积与上述非磁性体部的非磁性体部截面面积之比在各芯部截面相同这样的条件下进而,芯部(1)具有多个分割芯部,各分割芯部中的上述磁性体部截面面积与上述非磁性体部截面面积之比不同。
  • 电流传感器
  • [发明专利]功能性辊体及其制造方法-CN201680003706.0有效
  • 重田龙男;重田核;菅原申太郎 - 株式会社新克
  • 2016-03-29 - 2019-08-06 - B41N1/06
  • 本申请提供一种形成磁性图案与非磁性图案相邻的多层结构的功能性辊体及其制造方法。制作一种功能性辊体,其至少包括:辊体主体;具有磁性材料或非磁性材料的任一者构成的第一材料层所形成的凹部,从而形成有第一凹部图案与第一非凹部图案的第一图案、及由埋设于所述第一凹部图案的磁性材料或非磁性材料的任一者所形成的第一功能性图案的第一功能性图案部;以及在比所述第一凹部图案浅的辊体主体位置处,磁性材料的磁性图案和非磁性材料的非磁性图案相邻形成的第二功能性图案部。
  • 功能性辊体及其制造方法
  • [实用新型]一种用于生产陶瓷制品的物料输送装置-CN201720132680.1有效
  • 乐莹 - 佛山市创羿自动化科技有限公司
  • 2017-02-14 - 2017-10-27 - B03C1/02
  • 本实用新型公开了一种用于生产陶瓷制品的物料输送装置,包括有电机,电机的输出轴上连接有减速机,减速机的顶部设置有送料管道,送料管道内设置有管道叶片,送料管道的右侧设置有除铁管道,除铁管道由若干个磁性介质环和非磁性介质环焊接而成,磁性介质环和非磁性介质环相间隔排列,每一个磁性介质环又包括有若干个磁性介质段和非磁性介质段,除铁管道内部设置有空腔,空腔的内壁上设置有若干个挡条,整体结构简单,设计合理,送料速度快,由于采用磁性介质环和非磁性介质环相间隔排列,而每个磁性介质环又是由若干个磁性介质段和非磁性介质段焊接而成,使得工作时物料可以最大限度的将物料中的铁磁性物质吸出,生产效率高。
  • 一种用于生产陶瓷制品物料输送装置
  • [发明专利]非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶-CN200980107201.9有效
  • 佐藤敦 - JX日矿日石金属株式会社
  • 2009-03-27 - 2011-02-23 - C23C14/34
  • 本发明提供一种非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶,具有非磁性材料粒子分散在包含Co-Cr合金的强磁性材料中而形成的相(A)和在所述相(A)中包含短片为30~100μm、长片为50~300μm的Co-Cr合金相的片状组织(B),所述Co-Cr合金中Cr为5原子%以上且20原子%以下、其余为Co,并且所述非磁性材料粒子具有比以非磁性材料粒子内的任意点为中心形成的半径1μm的全部假想圆更小,或者在强磁性材料和非磁性材料的界面与该假想圆之间具有至少两个以上的接触点或交叉点的形状和尺寸得到提高靶的PTF(漏磁通)从而可以通过磁控管DC溅射装置高速成膜,可以减少溅射时产生的粉粒(粉尘)或结核,品质的波动少,并可以提高批量生产率,并且晶粒微细的高密度非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶。
  • 磁性材料粒子分散溅射
  • [发明专利]垂直磁记录介质的制造方法-CN201580003028.3在审
  • 片冈弘康;菊池洋人;吉田旭;岛津武仁 - 富士电机株式会社
  • 2015-05-12 - 2016-07-27 - G11B5/851
  • 该垂直磁记录介质的制造方法包括:准备非磁性基板的工序;在非磁性基板上层叠磁记录层的工序;以及将层叠有磁记录层的非磁性基板加热到400℃~600℃的温度的工序,其中,工序(B)至少包括形成第1磁记录层的工序和在第1磁记录层上形成第2磁记录层的工序,第1磁记录层具有包括由有序合金构成的第1磁性晶粒和包围它的由碳构成的第1非磁性晶界的粒状构造,第2磁记录层具有包括由有序合金构成的第2磁性晶粒和包围它的通过由硼和碳构成的非磁性材料来构成的第2非磁性晶界的粒状构造。
  • 垂直记录介质制造方法
  • [发明专利]磁阻效应元件、薄膜磁头、磁头万向节组件和硬盘装置-CN200710184983.9无效
  • 岛泽幸司;土屋芳弘;水野友人;平田京 - TDK株式会社
  • 2007-10-31 - 2008-05-07 - G11B5/39
  • 在层叠方向施加读出电流的CPP(Current Perpendicularto Plane:电流垂直于平面)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件),由于上述自由层具有使磁化方向随外部磁场变化的功能,上述间隔层具有由非磁性金属材料形成的第1非磁性金属层和第2非磁性金属层以及在所述第1非磁性金属层与第2非磁性金属层之间形成的半导体层,上述半导体层是n型的氧化物半导体,上述第1非磁性金属层是在成膜顺序比上述第2非磁性金属层先成膜的膜,在该第1非磁性金属层与上述半导体层之间,形成防氧化层,上述防氧化层由在与上述半导体层的接合中不生成肖特基势垒(Schottoky barrier)的材料形成,故在不使磁头噪声增大,得到高的MR特性的同时,得到抑制元件面电阻率
  • 磁阻效应元件薄膜磁头万向节组件硬盘装置
  • [发明专利]垂直磁记录介质-CN201380051719.1在审
  • 小野拓也;岛津武仁 - 富士电机株式会社
  • 2013-12-06 - 2015-06-17 - G11B5/65
  • 本发明提供一种垂直磁记录介质,其磁性晶粒被充分有序化且晶粒分离、并且具有较高的磁各向异性常数。提供一种具有较高矫顽力的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质包括非磁性基板和磁记录层。特征在于:上述磁记录层具有包括磁性晶粒和包围上述磁性晶粒的非磁性晶界的粒状结构,上述磁性晶粒含有有序合金,上述非磁性晶界含有Ge氧化物。
  • 垂直记录介质

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