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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201080045173.5有效
发明人：王晨;何华锋;俞昌 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有水，研磨剂，氧化剂和两种或两种以上的非铁过渡元素金属盐。本发明的化学机械抛光液可显著提高钨的抛光速度。
一种化学机械抛光

[发明专利]在制造集成电路过程中用于使非保形层平面化的方法-CN98119767.1有效
发明人：凯瑟琳·H·瓦里安;德克·托本;马修·森德尔巴赫 -专利权人：西门子公司;国际商业机器公司
申请日： 1998-09-28 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种在制造集成电路过程中用于使非保形层平面化的方法。从形成于复杂图形之上的非保形层形成一基本上平面的表面，它包括带有窄间隙的窄图形和带有宽间隙的宽图形。在非保形层上沉积一保形层。该表面然后被抛光，以暴露宽图形上的非保形层。然后，用对非保形层具有选择性的蚀刻基本除去宽图形之上的非保形层。然后，除去保形层，暴露非保形层。和以前相比，现在的非保形层的厚度更加均匀。这就使抛光可以形成一平表面，其宽间隙内的表面凹隔减少了。
制造集成电路过程用于使非保形层平面化方法

[发明专利]一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用-CN202110299539.1有效
发明人：谢毓;王凯;田骐源 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用，所述抛光垫包括一种具有连续径向沟槽和不连续圆周向沟槽形式、所述沟槽底部为非平面形状的抛光层。本发明的化学机械抛光垫各沟槽形式结构相互配合，具有高移除速率、低表面划伤的特点。
一种去除速率划伤化学机械抛光及其应用

[发明专利]一种硅片抛光装置及采用该装置的抛光方法-CN202210930114.0在审
发明人：刘宜森;张硕东;张江涛;许普增;曹会倩;王帅;谭永麟;孙晨光;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅片抛光装置，包括：抛光盘；以及用于承载硅片的辅助盘；其中，在硅片的非抛光面上设有蜡层，硅片与所述辅助盘通过所述蜡层连接，贴附在所述辅助盘上的硅片的抛光面再在所述抛光盘上抛光。本发明还提出一种采用该抛光装置的抛光方法。本发明一种硅片抛光装置，整体结构配置合理，可对多组硅片进行抛光，尤其是可使硅片边缘完全被抛光覆盖到；并可基于不同工艺要求更换相应抛光垫和抛光液而不用改变其它结构，并可获得不同标准要求的平整度和粗糙度的硅片表面
一种硅片抛光装置采用方法

[发明专利]包含表面活性剂的化学机械抛光(CMP)组合物-CN200580036004.4无效
发明人：孙韬;罗伯特·梅兹克 -专利权人：卡伯特微电子公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种抛光组合物，其包括热解法氧化铝，α－氧化铝，二氧化硅，非离子表面活性剂，金属螯合有机酸，及液体载体。本发明还提供一种化学机械抛光基板的方法，其包括将基板与抛光垫和化学机械抛光组合物接触，并磨掉至少部分基板以抛光该基板。
包含表面活性剂化学机械抛光 cmp 组合

[发明专利]一种硅基光电催化材料及其制备方法与应用-CN202211344350.0在审
发明人：潘晖;吴如成;刘地 -专利权人：澳门大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C25B11/087 文献下载
摘要：该硅基光电催化材料包括硅衬底，硅衬底具有相对的抛光面和非抛光面，抛光面的表面沉积有镍金属纳米颗粒，非抛光面的表面设置有绝缘层。该硅基光电催化材料具有较高的催化性能以及较高的光电催化水分解的饱和光电流。
一种光电催化材料及其制备方法应用

[发明专利]具有改善的稳定性和改善的抛光特性的选择性氮化物淤浆-CN201680052336.X有效
发明人： P.潘戴伊;张柱然;B.瑞斯 -专利权人： CMC材料股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包括以下组分、基本上由以下组分组成、或由以下组分组成：(a)约0.01重量％至约1重量％的湿加工氧化铈，(b)约10ppm至约200ppm包含季氨基团的阳离子聚合物，(c)约10ppm至约2000ppm非氟化非离子表面活性剂，(d)氨基酸，和(e)水，其中该抛光组合物具有约3至约8的pH。本发明进一步提供一种使用该抛光组合物抛光基板的方法。
具有改善稳定性抛光特性选择性氮化物

[发明专利]CMP浆料组合物及抛光方法-CN201080056417.X有效
发明人：申东穆;崔银美;曹升范 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及CMP浆料组合物，其包含：研磨颗粒；分散剂；离子聚合物添加剂；和非离子聚合物添加剂，该非离子聚合物添加剂包括含有两个或更多个聚乙二醇重复单元的聚烯烃-聚乙二醇共聚物，其中至少一个聚乙二醇重复单元是支化的，并涉及一种使用该浆料组合物的抛光方法。CMP浆料组合物对单晶硅膜或多晶硅膜具有低的抛光率并对硅氧化物膜具有高的抛光率，从而表现出优异的抛光选择性。
cmp 浆料组合抛光方法

[发明专利]一种基于毛刷辅助的力流变抛光技术的轮毂抛光方法-CN202110652806.9在审
发明人：吕冰海;邵蓝樱;邵琦;周亚峰;王佳焕;邓乾发 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种基于毛刷辅助的力流变抛光技术的轮毂抛光方法，机械臂按要求调节到相应位置，使毛刷抛光头与轮毂表面接触，将抛光液倒入抛光液回收装置，启动毛刷自转电机、轮毂自转电机、抛光液泵，抛光液通过软管输送至毛刷抛光头，在毛刷抛光头的驱动下和轮毂产生相对运动，形成力流变效应，非牛顿流体抛光液的粘度迅速上升，形成“固着磨具”并粘附在毛刷抛光头上，通过机械臂对毛刷抛光头位置与姿态的调整，实现对轮毂不同位置曲面的抛光。本发明提出一种基于毛刷辅助的力流变抛光技术的适用于轮毂、高效、高质量的抛光方法。
一种基于毛刷辅助流变抛光技术轮毂方法

[实用新型]一种硅片抛光装置-CN202222028887.8有效
发明人：刘宜森;张硕东;张江涛;许普增;曹会倩;王帅;谭永麟;孙晨光;王彦君 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅片抛光装置，包括：抛光盘；以及用于承载硅片的辅助盘；其中，在硅片的非抛光面上设有蜡层，硅片与所述辅助盘通过所述蜡层连接，贴附在所述辅助盘上的硅片的抛光面再在所述抛光盘上抛光。本实用新型一种硅片抛光装置，整体结构配置合理，可对多组硅片进行抛光，尤其是可使硅片边缘完全被抛光覆盖到；并可基于不同工艺要求更换相应抛光垫和抛光液而不用改变其它结构，并可获得不同标准要求的平整度和粗糙度的硅片表面
一种硅片抛光装置

[发明专利]一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法-CN202310843212.5在审
发明人：陈军;程鑫;王林;顿爱欢;徐学科;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：一种具有光滑表面和高损伤阈值熔石英元件的加工方法，包括：对熔石英坯料的切割、铣磨成型、等离子体深刻蚀、等离子体浅刻蚀和离子束抛光进行后处理抛光。本发明全工艺加工过程采用非接触式加工，基于非接触式的等离子体刻蚀和离子束抛光处理工艺，直接对精密铣磨后的熔石英坯料进行组合加工，获得具有光滑表面和高损伤阈值的熔石英元件。
一种具有光滑表面损伤阈值石英元件加工方法

[发明专利]一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法-CN202210153149.8有效
发明人：雷红;陈怡;张佰春;董越;雷逸凡;杨小强;周代圆;陈巍巍 -专利权人：太仓硅源纳米材料有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒，所述硅溶胶磨粒具有非球状外形，且所述硅溶胶磨粒包含具有化学活性的二氧化锰化合物。本发明提供的一种用于化学机械抛光的硅溶胶活性磨粒及制备方法，该硅溶胶磨粒具有非球状外形，且外表面包含具有化学活性的二氧化锰化合物；可以显著提高蓝宝石的抛光效率。
一种用于化学机械抛光硅溶胶活性制备方法

[发明专利]一种数控抛光用非接触式喷液磨头-CN200410011215.X无效
发明人：王君林 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：一种数控抛光用非接触式喷液磨头，属于光学冷加工技术领域涉及的一种磨头，本发明要解决的技术问题是：提供一种数控抛光用非接触式喷液磨头。解决的技术方案是：包括空心驱动轴、空心磨头、磨头空腔、抛光液出孔；空心驱动轴垂直空心磨头，两者为一体件或配合件，轴的空心与磨头的空腔相通，空心磨头上分布着抛光液出孔，分布遵循中心部位孔大，越往边缘过渡孔就越小的规律，分布可以是规则的，也可以是不规则的，规则的有同心圆式分布或螺旋式分布，该磨头可消除抛光局部去除量的不均匀性，保证抛光质量。
一种数控抛光接触式喷液磨头

[发明专利]CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用-CN201511000051.5在审
发明人：刘玉岭;潘辉;高宝红 -专利权人：天津晶岭微电子材料有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C09G1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMP中碱性抛光液抑制GLSI铜钴阻挡层电偶腐蚀的应用，主要由水溶胶、FA/0 Ⅰ型鳌合剂、pH无机酸调节剂和复合型非离子活性剂组成的碱性抛光液，其特征是：所述复合型非离子活性剂为FA/0有益效果：本发明采用在碱性抛光液基础上添加复合型非离子活性剂，使得Co与Cu之间的电位差几乎为零，且界面应力得到了有效控制，CMP中应用碱性抛光液的FA/0 Ⅰ型表面活性剂使得Co与Cu之间的电偶腐蚀得到了很好的抑制
cmp 碱性抛光抑制 glsi 阻挡层电偶腐蚀应用

[发明专利]非晶合金激光低温抛光系统及方法-CN201711483641.7在审
发明人：翟会阳;赵海;柳先锋;李定春;钟伟 -专利权人：上海驰声新材料有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶合金激光低温抛光系统及方法，其中系统包括一加工箱室、一夹装平台、一激光发射机构、一激光传动平台、一面型检测反馈机构和一控制端，所述激光发射机构与所述激光传动平台传动连接地设置于所述加工箱室内本发明的一种非晶合金激光低温抛光系统及方法，可实现对非晶合金激光的低温抛光，并具有抛光效果好、精度高和通用性强的优点。
激光发射机构激光低温抛光非晶合金加工箱传动平台反馈机构夹装面型检测控制端室内传动连接抛光效果平台设置通用性强发射检测

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