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[发明专利]电子装置制造方法-CN01122310.3无效
发明人：周钟霖 -专利权人：环宇真空科技股份有限公司
申请日： 2001-06-25 - 公布日： 2003-01-29 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子装置制造方法，其步骤包括将一基层上的一金属膜经选择性非多孔阳极氧化，以于金属膜第一外露区形成一密实非多孔氧化层，并将金属膜及密实非多孔氧化层经选择性多孔阳极氧化，以转化该密实非多孔氧化层及该第二外露区的该金属膜成为一多孔氧化层
电子装置制造方法

[发明专利]多孔材料孔隙率测量方法及装置-CN201310576359.9无效
发明人：周新;胡阳;潘浩波;王金慧;朱勇军 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明涉及多孔材料表征领域，具体公开一种用于测量多孔材料孔隙率的方法和装置。本发明的孔隙率测量方法包括：在真空压力容器中，将所述多孔材料浸入非润湿性溶剂，记录所述非润湿性溶剂在浸入前的体积V1；进行真空压缩循环，以使所述非润湿性溶剂挤入所述多孔材料的孔隙，并充满所述多孔材料的开口孔隙，记录所述非润湿性溶剂与浸入的所述多孔材料的总体积V2；移除浸有所述非润湿性溶剂的所述多孔材料，记录剩余的所述非润湿性溶剂的体积V3；以及根据式：孔隙率(%)=[(V1-V3)/(V2-V3)]*100，计算所述多孔材料的孔隙率。本发明采用液体置换法测量多孔材料孔隙率，不仅测定方法简单快速便捷，而且测试成本低廉，污染低，安全性能高。
多孔材料孔隙率测量方法装置

[发明专利]半导体基体材料的制作方法-CN92108981.3无效
发明人：市川武史;米原隆夫;坂口清文 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1992-07-31 - 公布日： 1999-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基体上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。
半导体基体材料制作方法

[发明专利]一种纳米多孔Fe基非晶合金及制备方法和在析氧催化电极上的应用-CN201610739105.8有效
发明人：张涛;靳宇;李然 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米多孔Fe基非晶合金及制备方法和在析氧催化电极上的应用，具体为以Fe基非晶/纳米晶合金为前驱体，根据非晶相与纳米晶相具有不同的耐蚀性，通过对纳米晶相进行选择性腐蚀制备纳米多孔Fe基非晶合金制备的纳米多孔Fe基非晶结构稳定，比表面积大，成分与形貌可调，可形成多孔结构与非晶纳米晶基体结合紧密的“多孔/基体/多孔”新型复合结构，有优异的析氧催化活性，可广泛应用在电解水析氧电极等领域。本发明所述制备方法简单，适用性广泛。
一种纳米多孔 fe 基非晶合金制备方法催化电极应用

[发明专利]用于可进行离子交换的玻璃基材的装饰性非多孔层-CN201680074531.2在审
发明人： B·G·艾特肯;M·J·M·孔德;P·勒于得 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C03C3/062 文献下载
摘要：本文公开了非多孔性无机玻璃料组合物，其允许在对可进行离子交换的玻璃基基材进行离子交换化学强化处理之前对其进行装饰。烧制时，所述非多孔性无机玻璃料组合物具有结晶相和/或大于约80℃的ΔT。还公开了具有一个或更多个非多孔性无机层的经过强化的玻璃基基材、包含具有一个或更多个非多孔性无机层的经过强化的玻璃基基材的玻璃基制品及其制造方法。
非多孔性玻璃基离子交换基材无机玻璃料无机层装饰性玻璃基材非多孔层化学强化烧制制造

[发明专利]固体电解电容器的结构及固体电解电容器的制作方法-CN94104479.3无效
发明人：中村伸二;长谷川美树 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 1994-04-08 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： H01G9/15 文献下载
摘要：本发明的固体电解电容器的结构是在将钽等金属颗粒烧结成多孔性的芯片的一端设有非多孔性部分，在芯片上除一端的端面以外的其余部分上形成五氧化钽等介质膜，在芯片上除去非多孔性部分外的部分上形成二氧化锰等固体电解质层及阴极膜，在非多孔性部分的端面上形成阳极端子膜。
固体电解电容器结构制作方法

[发明专利]用于光学用途的挠性材料-CN200680055471.6有效
发明人：罗伯特·贝尔;吉尔贝特·古格勒;马尔克·波沙尔;斯特凡·许特尔 -专利权人：依福德成像瑞士有限公司
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在λ₁至λ₂的波长范围内的光学用途的挠性材料，λ₁小于λ₂。所述挠性材料由挠性载体和至少一个多层体组成，所述多层体包括多孔或纳米多孔层以及非多孔聚合物层，所述多孔或纳米多孔层具有低折射率并含有无机纳米粒子和至少一种粘合剂，所述非多孔聚合物层具有高折射率并与所述多孔或纳米多孔层直接接触所公开的挠性材料的特征在于界面层的最大厚度等于波长λ₂的0.2倍，所述界面层中折射率从一个值变化到另一个值，并且所述界面层位于所述多孔或纳米多孔层和与其直接接触的所述非多孔聚合物层之间所述多孔或纳米多孔层与所述非多孔聚合物层的折射率差至少为0.20，λ₁和λ₂的典型值为200nm和2500nm。
用于光学用途材料

[发明专利]一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法-CN201710317742.0有效
发明人：徐海阳;王中强;陶冶;黎旭红;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法，包括惰性金属，第一层多孔非晶碳，第二层多孔非晶碳，活性金属，所述惰性金属为底电极，第一层多孔非晶碳设在所述底电极上，所述第二层多孔非晶碳设在第一层多孔非晶碳上，在所述第二层多孔非晶碳上设有活性金属，所述活性金属为顶电极，所述第二层多孔非晶碳上的多孔的孔径尺寸大于第一层非晶碳上的多孔的孔径尺寸。本发明免去了初始化的过程，很大程度的提高了器件的产出率；通过控制氮气含量，精确控制介质层中的孔洞尺寸，有效控制导电细丝的形成与断裂，提升了器件的循环中的均一性。
一种双层多孔结构非晶碳材料存储器及其制备方法

[发明专利]一种多孔石墨/非晶硅/软碳锂离子电池负极材料及其制备方法-CN202310711061.8在审
发明人：万琦;魏锡均;宋英泽;张青春 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔石墨/非晶硅/软碳锂离子电池负极材料及其制备方法，属于锂离子电池材料技术领域。所述多孔石墨/非晶硅/软碳锂离子电池负极材料，包括：多孔石墨基体，在所述多孔石墨基体上均匀沉积有硅层，在所述硅层外均匀附有含碳包覆层。本发明提供的多孔石墨/非晶硅/软碳锂离子电池负极材料，利用多孔石墨可以容纳非晶硅的体积膨胀，同时有利于离子和电子的传输，增强导电性；与晶体硅对比，本发明采用的非晶硅体积效应较小，通过表面软碳可以减少非晶硅与电解液的接触，提高材料首效，此外，可以进一步提高导电性，减小体积效应。
一种多孔石墨非晶硅锂离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]电泳元件和显示装置-CN201210029915.6有效
发明人：安井淳人;高梨英彦;小林健;加瀬川亮;首藤绫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：一种电泳元件，包括：电泳颗粒；多孔层，其由包含非迁移性颗粒的纤维状结构形成，非迁移性颗粒具有不同于电泳颗粒的光反射特性并且具有多个微孔；和分隔部，其部分邻近于多孔层并且限定用于容纳电泳颗粒的空间。多孔层的微孔每单元面积的面积比率在其中分隔部与多孔层邻近的邻近区域中与在其中分隔部不与多孔层邻近的非邻近区域中相比较小。
电泳元件显示装置

[发明专利]耐热性多孔质膜、非水电池用隔膜以及非水电池-CN201180049375.1无效
发明人：松本修明;神崎寿夫 -专利权人：日立麦克赛尔株式会社
申请日： 2011-10-03 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明提供具有高安全性和高温贮藏特性的非水电池、能够作为正极和负极的隔离材料发挥作用且能够构成所述非水电池的耐热性多孔质膜、以及能够构成所述非水电池的隔膜。通过耐热性多孔质膜、在多孔质基材上具有所述耐热性多孔质膜的非水电池用隔膜、以及具有所述非水电池用隔膜或具有所述耐热性多孔质膜一体化所得的电极的非水电池，从而解决上述课题。所述耐热性多孔质膜为在多孔质基材上或者电极上形成的耐热性多孔质膜，至少含有耐热温度为130℃以上的微粒和有机粘合剂，作为有机粘合剂，含有具有含有含酰胺键的环状结构的基团和来自聚合性双键的骨架、玻璃化温度为130℃以上、并且重均分子量为35万以上的聚合物，耐热性多孔质膜与多孔质基材或者电极之间的180°剥离强度为0.6N/cm以上。
耐热性多孔质膜水电隔膜以及

[发明专利]半导体基体材料的制作方法-CN92103908.5无效
发明人：坂口清文;米原隆夫 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1992-05-22 - 公布日： 2000-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体基体材料的制作方法，其特征为具有以下工序使硅基体形成多孔性后，在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序；通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序；在上述一次贴合工序后，用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序；以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。
半导体基体材料制作方法

[发明专利]非水系二次电池用隔膜及非水系二次电池-CN201810841445.0在审
发明人：樱井博志;西川聪;赤松哲也 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明涉及非水系二次电池用隔膜及非水系二次电池。非水系二次电池用隔膜，其是由具备多孔质基材和耐热粘接性多孔质层的复合膜形成的，所述耐热粘接性多孔质层被设置于前述多孔质基材的一面或两面，包含玻璃化转变温度为200℃以上的具有酰胺结构的耐热性树脂、和丙烯酸系树脂
非水系二次电池隔膜多孔质基材耐热粘接性多孔质层丙烯酸系树脂玻璃化转变耐热性树脂酰胺结构复合膜

[发明专利]非水电解质电池用隔膜、非水电解质电池及非水电解质电池的制造方法-CN201580067564.X有效
发明人：中广贵;本多劝 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种非水电解质电池用隔膜，其由具备多孔基材和粘接性多孔层的复合膜形成，所述粘接性多孔层设置于所述多孔基材的一面或两面上、且含有粘接性树脂，其中，在所述粘接性多孔层中还以与所述粘接性树脂混合的状态含有丙烯酸树脂，所述多孔基材与所述粘接性多孔层之间的剥离强度为0.20N/10mm以上，所述非水电解质电池用隔膜的Gurley值为200秒/100cc以下。
水电电池隔膜制造方法

[发明专利]非多孔质体与多孔质体的熔敷物-CN03802093.9有效
发明人：松浦良畅;友浦诚一郎 -专利权人：旭医学株式会社
申请日： 2003-01-09 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： B32B3/02 文献下载
摘要：本发明以提供耐剥离性优良的非多孔质体与多孔质体的熔敷物为目的。本发明的熔敷物通过熔敷包括非多孔质体和多孔质体的叠层物的一部分而形成，其特征在于，熔敷部位的断面至少由三层构成：只由非多孔质材料构成的层(A)、混合有非多孔质材料和多孔质材料的复合材料层(B)、只由多孔质材料构成的层(C)，复合材料层(B)与多孔质材料层(C)的边界线长度L_BC在1.2mm～2.5mm的范围内。
多孔质体熔敷物

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