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[实用新型]线切割机用功率回路及脉冲电源系统-CN201921014061.8有效
发明人：于佳怡 -专利权人：于佳怡
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H02M9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及线切割技术领域，具体的说是一种能够有效提高工件切割质量的线切割机用功率回路及脉冲电源系统，其特征在于所述功率回路中设有第一电源、第一组集成功率器件、第二组集成功率器件、第三组集成功率器件以及第四组集成功率器件，其中第一组集成功率器件、第二组集成功率器件、第三组集成功率器件以及第四组集成功率器件中分别设有两个以上的功率器件，所述功率器件采用MOS管或IGBT管。
切割机用功回路脉冲电源系统

[发明专利]线切割机用功率回路及脉冲电源系统-CN201910588430.2在审
发明人：于佳怡 -专利权人：于佳怡
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H02M9/00 文献下载
摘要：本发明涉及线切割技术领域，具体的说是一种能够有效提高工件切割质量的线切割机用功率回路及脉冲电源系统，其特征在于所述功率回路中一种线切割机用功率回路，其特征在于所述功率回路中设有第一电源、第一组集成功率器件、第二组集成功率器件、第三组集成功率器件以及第四组集成功率器件，其中第一组集成功率器件、第二组集成功率器件、第三组集成功率器件以及第四组集成功率器件中分别设有一个以上的功率器件，所述功率器件采用MOS管或
集成功率器件功率回路线切割机脉冲电源系统功率器件线切割技术工件切割电源

[发明专利]一种H桥快控电源以及应用该电源的电子装置-CN202110183065.4在审
发明人：熊义勇;赵镜红;吴旭升;孙兆龙;孙盼;高键鑫;陈瀚斯;李尚宇 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H02M7/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种H桥快控电源以及应用该电源的电子装置，该电源包括供能器件及与供能器件的输出端相连的至少两路H桥输出总路；每路H桥输出总路包含有移相变压器和四个集成功率器件；第一个集成功率器件的正输出端跨接至第二个集成功率器件的负输出端形成一供电支路，第三个集成功率器件的正输出端跨接至第四个集成功率器件的负输出端形成另一供电支路；第一个集成功率器件的负输出端连接第三个集成功率器件的负输出端形成两路供电支路的负输出；第二个集成功率器件的正输出端连接第四个集成功率器件的正输出端形成两路供电支路的正输出
一种桥快控电源以及应用电子装置

[实用新型]一种H桥快控电源以及应用该电源的电子装置-CN202120372274.9有效
发明人：熊义勇;赵镜红;吴旭升;孙兆龙;孙盼;高键鑫;陈瀚斯;李尚宇 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H02M7/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种H桥快控电源以及应用该电源的电子装置，该电源包括供能器件及与供能器件的输出端相连的至少两路H桥输出总路；每路H桥输出总路包含移相变压器和四个集成功率器件；第一个集成功率器件的正输出端跨接第二个集成功率器件的负输出端形成一供电支路，第三个集成功率器件的正输出端跨接第四个集成功率器件的负输出端形成另一供电支路；第一个集成功率器件的负输出端连接第三个集成功率器件的负输出端形成两路供电支路的负输出；第二个集成功率器件的正输出端连接第四个集成功率器件的正输出端形成两路供电支路的正输出
一种桥快控电源以及应用电子装置

[实用新型]控制器和空调-CN202321717768.1有效
发明人：冯君璞;张杰楠;毕然;王颜章;颜小君;刘文龙 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种控制器和空调，其中，控制器包括：电路基板以及布置在电路基板正面的元器件集，元器件集包括：电源输入回路，靠近电路基板的边缘布置；集成功率模块，与电源输入回路电气耦合；功率外挂器件，与集成功率模块电气耦合实现功率控制；以及，集成功率模块和功率外挂器件均布置于电源输入回路远离电路基板的边缘的一侧。由此，通过将电源输入回路布置于靠近电路基板的边缘，并将集成功率模块和功率外挂器件均布置于电源输入回路远离电路基板的边缘的一侧，以使得与电源输入回路、集成功率模块和功率外挂器件之间的电流路径互不交叉，避免信号串扰
控制器空调

[发明专利]纵向可集成功率器件-CN201910171878.4在审
发明人：李俊宏;胡斌;刘奎方 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：纵向可集成功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括源区，漂移区，沟道区，漏区，栅区，栅介质，连接漏区的漏区引出线与栅区同处于漂移区的上方，连接源区的源区引出线位于漂移区的下方。本发明通过将纵向功率器件的高电平电极与低压电路置于晶圆的同一侧，使纵向功率器件与低压控制电路可以单片集成，从而用纵向可集成的功率器件替代传统的横向功率器件，提高器件的集成功率密度。
漂移区漏区集成功率器件纵向功率器件引出线源区栅区半导体功率器件低压控制电路横向功率器件单片集成低压电路功率器件电极传统的高电平沟道区可集成连接源栅介质晶圆成功率替代

[发明专利]高集成功率模块和电器-CN201811287338.4在审
发明人：甘弟;马博斌;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了高集成功率模块和电器。该高集成功率模块包括：基板，所述基板沿长度方向从左到右依次包括第一区域、第二区域和第三区域；整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块，其中，所述整流桥设置在所述第一区域内，所述功率因数校正器件设置在所述第二区域内，所述智能功率模块设置在所述第三区域内；所述整流桥与所述功率因数校正器件电连接，所述功率因数校正器件与所述智能功率模块电连接。该高集成功率模块将整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块集成设置在一块基板上，并通过优化各构件的布局，有效提高了高集成功率模块的散热性能，确保了模块驱动电路的稳定性，使模块具有更高的可靠性和更长的使用寿命
高集成功率模块功率因数校正智能功率模块整流桥第二区域第一区域电连接基板电器集成设置模块驱动器件设置散热性能使用寿命基板沿电路优化

[实用新型]高集成功率模块和电器-CN201821785966.0有效
发明人：甘弟;马博斌;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了高集成功率模块和电器。该高集成功率模块包括：基板，所述基板沿长度方向从左到右依次包括第一区域、第二区域和第三区域；整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块，其中，所述整流桥设置在所述第一区域内，所述功率因数校正器件设置在所述第二区域内，所述智能功率模块设置在所述第三区域内；所述整流桥与所述功率因数校正器件电连接，所述功率因数校正器件与所述智能功率模块电连接。该高集成功率模块将整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块集成设置在一块基板上，并通过优化各构件的布局，有效提高了高集成功率模块的散热性能，确保了模块驱动电路的稳定性，使模块具有更高的可靠性和更长的使用寿命
高集成功率模块功率因数校正智能功率模块整流桥第二区域第一区域电连接基板本实用新型电器集成设置模块驱动器件设置散热性能使用寿命基板沿电路优化

[发明专利]一种内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统及制备方法-CN201510296250.9有效
发明人：傅兴华;林洁馨;马奎;杨发顺 -专利权人：贵州大学
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统及制备方法，它包括散热片（1），散热片（1）上方为高压大功率器件层（2），高压大功率器件层（2）上方为低压器件及传感器器件层（3），制备方法包括步骤1、低压器件及传感器器件层（3）制作；步骤2、高压大功率器件层的制作及嵌入芯片层的散热通孔制作；步骤3、高压大功率器件层（2）芯片层堆叠；步骤4、将高压大功率器件层（2）堆叠在散热片（1）上后，将低压器件及传感器器件层（3）堆叠在高压大功率器件层（2）上，形成内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统等，本发明解决了三维集成功率系统的散热问题，因此具有集成度高，功率容量更大等优点。
一种内嵌式复合散热结构三维集成功率系统制备方法

[实用新型]高集成功率模块和电器-CN201822273483.9有效
发明人：甘弟;马博斌;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： F24F11/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了高集成功率模块和电器。该高集成功率模块包括：基板，所述基板包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域位于所述基板的中部，所述第二区域和所述第三区域围绕所述第一区域；整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块，其中，整流桥设置在第二区域内，功率因数校正器件设置在第一区域内，智能功率模块设置在第三区域内；整流桥与功率因数校正器件电连接，功率因数校正器件与智能功率模块电连接。该高集成功率模块将整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块集成设置在一块基板上，并通过优化各构件的布局，有效提高了高集成功率模块的散热性能，确保了模块驱动电路的稳定性，使模块具有更高的可靠性和更长的使用寿命
高集成功率模块功率因数校正智能功率模块第一区域整流桥基板第二区域电连接本实用新型电器集成设置模块驱动器件设置散热性能使用寿命电路优化

[实用新型]集成功率模块和空调器-CN201520168098.1有效
发明人：于文涛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种集成功率模块和一种空调器，集成功率模块包括：压缩机驱动电路，用于驱动所述空调器的压缩机；风机驱动电路，用于驱动所述空调器的风机；供电电源，连接至所述压缩机驱动电路和所述风机驱动电路，通过本实用新型的技术方案，通过将空调器中的压缩机驱动电路和风机驱动电路集成在一个集成功率模块上，避免了压缩机驱动电路和风机驱动电路的重复器件的重复使用，从而减少了压缩机驱动电路和风机驱动电路所占用的电路板的空间，进而提高了集成功率模块的集成度，同时，还可以简化集成功率模块的外部电路板的布局，以便于对集成功率模块的批量生产。
集成功率模块空调器

[发明专利]一种集成功率级及其自校准的输出电流检测方法-CN202110678771.6在审
发明人：杜睿;朱从义 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成功率级及其自校准的输出电流检测方法。所述集成功率级包括高侧开关、低侧开关和驱动电路，高侧开关采用LDMOS器件，低侧开关采用LDMOS器件或VDMOS器件，且高侧开关与驱动电路单片集成于同一个第一管芯，所述低侧开关外接于第一管芯之外形成分立器件本发明提出的集成功率级方案，其高侧开关为LDMOS器件，方便实现驱动电路和LDMOS器件的单片集成，可以最大程度优化开关性能；同时LDMOS器件易于兼容检测晶体管技术，可以实现精确的模拟输出电流功能。
一种集成功率及其校准输出电流检测方法

[发明专利]一种集成功率器件的电源模块电路及PCB板-CN202210301538.0在审
发明人：王晓文;周锐鹏 -专利权人：深圳亿思腾达集成股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本申请涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种集成功率器件的电源模块电路及PCB板，一种集成功率器件的电源模块电路包括：交流电输入模块，所述交流电输入模块包括电磁干扰滤波单元和整流滤波单元，所述电磁干扰滤波单元与所述整流滤波单元连接本申请提供的一种集成功率器件的电源模块电路及PCB板可以提升电源模块的转换效率。
一种集成功率器件电源模块电路 pcb

[发明专利]用于固态照明器件的集成功率和控制单元-CN200780014351.6无效
发明人： P·琼格沃思;O·佩林塞克 -专利权人： TIR科技公司
申请日： 2007-04-23 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明提供一种用于与固态照明器件一起使用的集成功率和控制单元。这种集成功率和控制单元包括功率输入端和数据输入端。这种功率输入端从电源接收功率，其中，以第一功率格式构造这种功率，且这种数据输入端从控制数据源接收控制数据，其中，以第一数据格式构造这种控制数据。这种集成功率和控制单元还包括耦合到这种功率输入端和数据输入端的转换器件。将这种转换器件构造成将第一功率格式的功率变换至第二功率格式的功率，并且还将这种转换器件构造成将第一数据格式的控制数据变换至第二数据格式的控制数据。第二功率格式和第二数据格式与该所要求的固态照明器件的功率格式和数据格式兼容，并且利用功率和数据输出端传输所要求的固态照明器件的功率格式和数据格式。
用于固态照明器件集成功率控制单元

[发明专利]基于TMV和Fanout的集成功率模块及其制备方法-CN202211439069.5有效
发明人：廖安谋;王云;任广辉 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于TMV和Fanout的集成功率模块及其制备方法，包括上下集成的驱动电路和DCB功率电路；所述DCB功率电路包括陶瓷基覆铜板、键合于陶瓷基覆铜板最上层的半导体功率器件和无源器件、从DCB功率塑封体的顶部延伸至陶瓷基覆铜板最上层和半导体功率器件顶部的金属孔以及设置在DCB功率塑封体顶部的金属化层；陶瓷基覆铜板的最上层和最下层的四周边缘上均刻蚀有爬电凹槽，以使陶瓷基覆铜板最上层与最下层之间满足预设的爬电距离本发明通过扇出封装技术和三维垂直集成协同设计驱动电路和功率电路，降低了集成功率模块中的寄生参数，缩小了集成功率模块的体积。
基于 tmv fanout 集成功率模块及其制备方法

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