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[发明专利]隧道磁阻效应膜和磁性装置-CN200710159763.0有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜，具有可工作的负MR比率的特性，可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括：隧道势垒层；和夹着所述隧道势垒层的磁性层。
隧道磁阻效应磁性装置

[发明专利]一种隧道磁阻效应传感器的低频噪声抑制装置及方法-CN201811454912.0有效
发明人：石明慧;姚莹飞;徐大诚;高路 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道磁阻效应传感器的低频噪声抑制装置及方法，包括敏感结构，所述敏感结构包括依次设置在同一水平线上的微型线圈、隧道磁阻效应传感器和软磁磁导，所述微型线圈的轴向垂直于水平线设置，所述微型线圈和隧道磁阻效应传感器间隔预设距离，所述隧道磁阻效应传感器的敏感方向垂直于所述微型线圈的轴向；振荡电路，所述振荡电路与所述微型线圈连接以驱动微型线圈产生周期性交变磁场；低噪声电路，所述低噪声电路与隧道磁阻效应传感器连接并对隧道磁阻效应传感器的输出信号进行处理
一种隧道磁阻效应传感器低频噪声抑制装置方法

[发明专利]磁传感器和存储装置-CN200710096498.6无效
发明人：北岛政充 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及磁传感器和存储装置，提供了一种隧道效应型磁阻头，该磁阻头可在不降低屏蔽效应的情况下，防止由于与磁记录介质进行接触而引起的隧道效应型磁阻效应元件的劣化。为了以上目的，在该隧道效应型磁阻头中，减小了从气垫面观看的屏蔽电极层的暴露表面积，并且在该屏蔽电极层外侧还设置有屏蔽层。
传感器存储装置

[发明专利]用来测试隧道磁阻效应元件的方法和装置-CN200510067701.8无效
发明人：猿木俊司;稻毛健治;蜂须贺望;清野浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-04-22 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： G11B5/455 文献下载
摘要：一种测试TMR元件的方法，包括：初始测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第一电阻值；在从反基片侧到基片侧连续馈送通过所述隧道磁阻效应元件的电流达预定时间间隔之后，测量所述隧道磁阻效应元件的电阻值以将所测量的电阻值提供作为第二电阻值；和，通过相互比较所述第一电阻值和所述第二电阻值来评价所述隧道磁阻效应元件。
用来测试隧道磁阻效应元件方法装置

[发明专利]一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器-CN201910565537.5在审
发明人：杨波;梁卓玥;张婷;王斌龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： G01P5/08 文献下载
摘要：本发明提出一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器主要包括圆柱型硅毛发体、第一隧道磁阻传感器、第二隧道磁阻传感器、绝缘层和底层基座组成；其中，绝缘层位于底层基座的正上方，圆柱型硅毛发体安装在绝缘层的中心位置，第一隧道磁阻传感器和第二隧道磁阻传感器安装在绝缘层的两侧并关于圆柱型硅毛发体对称分布，圆柱型硅毛发体的顶部包含刻蚀的电磁激励线圈用于产生磁场。采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行流速信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小、测量带宽大等优点，同时提出的基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器具有结构简单、体积小、灵敏度高、测量精度高等优点
绝缘层隧道磁阻效应隧道磁阻圆柱型毛发流速传感器传感器灵敏度电磁激励线圈传感器安装饱和磁场对称分布高灵敏度工作磁场基座组成流速信号温度系数测量带体积小刻蚀磁场测量检测

[实用新型]一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器-CN201920979954.X有效
发明人：杨波;梁卓玥;张婷;王斌龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01P5/08 文献下载
摘要：本实用新型提出一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器主要包括圆柱型硅毛发体、第一隧道磁阻传感器、第二隧道磁阻传感器、绝缘层和底层基座组成；其中，绝缘层位于底层基座的正上方，圆柱型硅毛发体安装在绝缘层的中心位置，第一隧道磁阻传感器和第二隧道磁阻传感器安装在绝缘层的两侧并关于圆柱型硅毛发体对称分布，圆柱型硅毛发体的顶部包含刻蚀的电磁激励线圈用于产生磁场。采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行流速信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小、测量带宽大等优点，同时提出的基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器具有结构简单、体积小、灵敏度高、测量精度高等优点
一种基于隧道磁阻效应 mems 流速传感器

[发明专利]双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器及其制备方法-CN202211384861.5在审
发明人：李鹏;田兵;骆柏锋;尹旭;吕前程;刘仲;张佳明;钟枚汕;何毅;张伟勋;卢星宇;陈仁泽;樊小鹏;王志明;孙宏棣;林力;徐振恒;韦杰;谭则杰;林秉章 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本申请涉及一种双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器及其制备方法。双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器包括：双超导环、超导窄区和隧道磁阻效应磁电阻传感器组件；双超导环基于两个结构相同的超导环构成，且每个超导环相同位置设有单个超导窄区；超导环在每个超导窄区的一侧对应放置有两个隧道磁阻效应磁电阻传感器组件；其中，双超导环和布置的隧道磁阻效应磁电阻传感器组件的尺寸相同且对称分布。
超导隧道磁阻效应复合传感器及其制备方法

[发明专利]一种压电驱动式隧道磁阻面内检测的微陀螺装置-CN201911278616.4在审
发明人：李孟委;王旭虎 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G01C19/5656 文献下载
摘要：一种压电驱动式隧道磁阻面内检测的微陀螺装置，主要结构由键合基板、支撑框架、驱动组合梁组件、检测组合梁组件、驱动质量块、检测质量块、检测磁体、隧道磁阻元件、压电薄膜驱动电极组件、导线、电极组成。隧道磁阻元件放置在检测质量块上表面中心与键合基板中心凹槽内沉积的检测磁体相对应。本发明采用压电效应驱动，驱动位移大，功耗低；隧道磁阻效应检测，隧道磁阻元件对微弱磁场变化具有高灵敏特性，此装置结构设计合理、简单，使用方便，适合微型化。
一种压电驱动隧道磁阻检测陀螺装置

[实用新型]一种压电驱动式隧道磁阻面内检测的微陀螺装置-CN201922228620.1有效
发明人：李孟委;王旭虎 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G01C19/5656 文献下载
摘要：一种压电驱动式隧道磁阻面内检测的微陀螺装置，主要结构由键合基板、支撑框架、驱动组合梁组件、检测组合梁组件、驱动质量块、检测质量块、检测磁体、隧道磁阻元件、压电薄膜驱动电极组件、导线、电极组成。隧道磁阻元件放置在检测质量块上表面中心与键合基板中心凹槽内沉积的检测磁体相对应。本实用新型采用压电效应驱动，驱动位移大，功耗低；隧道磁阻效应检测，隧道磁阻元件对微弱磁场变化具有高灵敏特性，此装置结构设计合理、简单，使用方便，适合微型化。
一种压电驱动隧道磁阻检测陀螺装置

[发明专利]压控层间交换耦合磁阻存储器设备及其操作方法-CN202080081800.4在审
发明人： A·卡利佐夫;B·普拉萨德 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁阻存储器设备，该磁阻存储器设备包括磁隧道结，该磁隧道结包括自由层、参考层和位于该自由层与该参考层之间的绝缘隧道势垒层、与该自由层竖直地间隔的垂直磁各向异性(PMA)铁磁层、位于该自由层与该该磁阻存储器设备是混合磁阻存储器设备，其通过自旋扭矩转移效应和压控交换耦合效应的组合来编程。
压控层间交换耦合磁阻存储器设备及其操作方法

[发明专利]一种基于杠杆机构的差动质量块式隧道磁阻加速度计装置-CN201811049038.2有效
发明人：杨波;李成;高小勇;王斌龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于杠杆机构的差动质量块式隧道磁阻微加速度计装置，包括上层隧道磁阻传感元件结构、中层硅微传感器结构、下层布有电极引线的玻璃衬底结构；上层结构和中层结构分别通过两组锚点键合在下层结构上。本发明结合了MEMS技术与量子力学中的隧道磁阻效应，结构合理简单、易于加工、体积小、测量精度高、灵敏度高；利用磁场强度改变实现隧道磁阻效应，通过磁片位移使隧道磁阻元件周围磁场强度变化，线性度好、性能优；采用杠杆机构连接质量块与外部框架，当有加速度信号输入时，质量块与外部框架形成差动；两个隧道磁阻敏感元件反向对称布置，输出值反向偏离初始值，实现差分检测，有效抑制干扰引起的共模误差、增强装置可靠性。
一种基于杠杆机构差动质量隧道磁阻加速度计装置

[发明专利]磁阻效应元件、使用其的磁存储单元及磁随机存取存储器-CN200980149349.9有效
发明人：早川纯;高桥宏昌 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供具有氧化镁钝化层的磁阻效应元件以及使用该磁阻效应元件的高速超低耗电非易失性存储器。通过在包括强磁性自由层、绝缘层、强磁性固定层的隧道磁阻效应(TMR)膜和保护层、取向控制层的侧壁具有MgO钝化层，抑制由350度以上的热处理引起的从隧道磁阻效应(TMR)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出
磁阻效应元件使用存储单元随机存取存储器

[发明专利]一种基于间隙改变的隧道磁阻效应加速度计装置-CN201610942129.3有效
发明人：杨波;王斌龙;陆城富;汪秋华;吴磊;胡迪 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于间隙改变的隧道磁阻效应加速度计装置，包括顶层结构、底层结构、第一锚点和第二锚点，顶层结构通过分别设置在底层结构两端的第一锚点和第二锚点支撑在底层结构上。本发明采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行加速度信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小，测量带宽大等优点，提出隧道磁阻效应加速度计结构方案简单、紧凑、体积较小、灵敏度高、测量精度高。
一种基于间隙改变隧道磁阻效应加速度计装置

[实用新型]一种基于间隙改变的隧道磁阻效应加速度计装置-CN201621166335.1有效
发明人：杨波;王斌龙;陆城富;汪秋华;吴磊;胡迪 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于间隙改变的隧道磁阻效应加速度计装置，包括顶层结构、底层结构、第一锚点和第二锚点，顶层结构通过分别设置在底层结构两端的第一锚点和第二锚点支撑在底层结构上。本实用新型采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行加速度信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小，测量带宽大等优点，提出隧道磁阻效应加速度计结构方案简单、紧凑、体积较小、灵敏度高、测量精度高。
一种基于间隙改变隧道磁阻效应加速度计装置

[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法-CN201910114243.0在审
发明人：市川心人;中田胜之;三谷诚司;介川裕章;宝野和博;大久保忠胜 -专利权人： TDK株式会社;国立研究开发法人物质·材料研究机构
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种隧道势垒层稳定地采用阳离子无序尖晶石结构的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和被夹持于它们之间的隧道势垒层，所述隧道势垒层为Mg_xAl_1‑x(0≤x<1)的氧化物，所述隧道势垒层的氧量低于所述氧化物具有有序的尖晶石结构的完全氧化状态下的氧量
隧道势垒层磁阻效应元件尖晶石结构铁磁性层氧化物氧化状态阳离子夹持制造

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