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[发明专利]具有复合介质层宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN201710624383.3有效
发明人：段宝兴;曹震;师通通;吕建梅;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)宽带隙半导体纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方超结漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层在器件关断时SIPOS柱与High K介质上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的超结漂移区内的电场分布均匀。同时，宽带隙超结漂移区与复合介质层共同辅助耗尽超结漂移区，大幅度提高了器件超结漂移区的耗尽能力，使得器件的漂移区掺杂浓度增加；在器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低
具有复合介质宽带半导体纵向超结双扩散金属氧化物场效应及其制作方法

[发明专利]氮化物半导体装置-CN202310187023.7在审
发明人：森朋彦;庄司智幸;中田尚幸 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供具备电场强度的峰值低且抑制了漏电电流的极化超结部的氮化物半导体装置。一种氮化物半导体装置，具备设置于栅电极与漏电极之间的极化超结部，极化超结部具有：第1氮化物半导体层；第2氮化物半导体层，其设置在第1氮化物半导体层上，并具有比第1氮化物半导体层的带隙宽的带隙；第3氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙；和第4氮化物半导体层，其设置在第2氮化物半导体层的上表面的局部，离开第3氮化物半导体层而配置得比第3氮化物半导体层靠漏电极侧，并具有比第2氮化物半导体层的带隙窄的带隙，第4氮化物半导体层电位浮动。
氮化物半导体装置

[发明专利]一种IV族直接带隙半导体超晶格材料及其应用-CN202211250851.2在审
发明人：张立瑶 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种IV族直接带隙半导体超晶格材料及其应用。该超晶格材料是在Ge衬底或Si上外延虚拟Ge衬底上生长的GeSn/SiSn异质结，所述的GeSn/SiSn异质结与Ge晶格匹配形成超晶格结构，所述GeSn/SiSn异质结包括多个周期性重复的Si隙半导体超晶格材料，基于该超晶格材料制备的相应的激光器具有优异的性能，解决了现有技术中虚拟衬底生长难度大，以及高密度位错降低器件性能的问题
一种 iv 直接半导体晶格材料及其应用

[实用新型]高效三结太阳能电池-CN201220055594.2有效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效三结太阳能电池，其包括：生长衬底，其具有两个抛光表面；底电池，由应变补偿超晶格构成，倒装生长于生长衬底的背面，具有一第一带隙，其等效晶格常数与生长衬底的晶格常数匹配；中电池，形成于生长衬底正面上，其具有大于第一带隙的第二带隙，其晶格常数与生底衬底匹配；顶电池，形成于中电池之上，其具有一大于第二带隙的第三带隙，且晶格常数与中电池晶格常数匹配。该三结太阳能电池的能带隙分布满足了捕获太阳能光谱的最佳选择，且电流匹配和晶格匹配，有效提高了三结太阳能电池的光电转换效率。
高效太阳能电池

[发明专利]高效三结太阳能电池及其制作方法-CN201210038878.5无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;王良均;熊伟平;宋明辉 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效三结太阳能电池及其制作方法。高效三结太阳能电池，其包括：生长衬底，其具有两个抛光表面；底电池，由应变补偿超晶格结构构成，倒装生长于生长衬底的背面，具有一第一带隙，其等效晶格常数与生长衬底的晶格常数匹配；中电池，形成于生长衬底正面上，其具有大于第一带隙的第二带隙，其晶格常数与生底衬底匹配；顶电池，形成于中电池之上，其具有一大于第二带隙的第三带隙，且晶格常数与中电池晶格常数匹配。该三结太阳能电池的能带隙分布满足了捕获太阳能光谱的最佳选择，且电流匹配和晶格匹配，有效提高了三结太阳能电池的光电转换效率；其制作方法采用生长衬底双面生长的方式，克服倒装生长后期带来的繁琐工艺，提高了产品良率
高效太阳能电池及其制作方法

[发明专利]双沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法-CN201911166777.4在审
发明人：曹震;于正洋;赵嘉璇;邵奕霖;邓世超;焦李成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种双沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法。该器件基于宽带隙材料，漂移区为超结结构；在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽；器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极；
沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带半导体场效应及其制作方法

[发明专利]均质多带隙装置-CN201280059778.9无效
发明人：刘锋;孙儒杰;张晔 -专利权人：犹他大学研究基金会
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：提供一种电气装置，其包括(A)具有表面的衬底和(B)叠加在所述表面的一部分上的纳米孔超晶格(110)。所述纳米孔超晶格包括具有其中所界定的孔阵列的多个薄片。所述孔阵列由带隙或带隙范围表征。包含第一导电材料的第一导线(106)与所述第一边缘形成第一结。包含第二导电材料的第二导线(108)与所述第二边缘形成第二结。所述第一结为关于载流子的肖特基势垒。
均质多带隙装置

[发明专利]一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管-CN201710812426.0在审
发明人：段宝兴;董自明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。设置的辅助耗尽衬底埋层可以扩展横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该埋层还能够利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场进行调制。设置的电荷补偿衬底埋层，消除了超结存在的衬底辅助耗尽的问题，在横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管的表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化，从而大幅度提高器件的击穿电压
一种具有纵向电场同时优化宽带半导体横向超结双扩散晶体管

[实用新型]光伏电池-CN202221977448.5有效
发明人：张准;林彦志;林于庭 -专利权人：华升集团有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K39/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光伏电池，其包含：第1透明导电膜；第2透明导电膜；自第1透明导电膜至第2透明导电膜依序配置的第1pn结、第2pn结和第3pn结，其中所述第1pn结包含第1能隙，所述第2pn结包含第2能隙，所述第3pn结包含第3能隙，其限制条件为：第1能隙、第2能隙和第3能隙的满足第2能隙≤第1能隙+0.5eV且第2能隙≤第3能隙+0.5eV。
电池

[发明专利]一种含有超晶格结构背场的化合物太阳电池-CN201910672823.1有效
发明人：张玮;陆宏波;李欣益 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种含有超晶格结构背场的化合物太阳电池，属于太阳电池技术领域。所述太阳电池的高掺杂隧穿结区包含自下而上依次设置的高n型掺杂的n++层和高p型掺杂的p++层，背场区包含InAlAs层和InP层对所组成的超晶格结构，所述的光电吸收区p层采用Iny1该太阳能电池改变了光电吸收区与背场的能带排列，同时掺杂的宽带隙材料InAlAs和窄带隙材料InP超晶格含有的多界面有效抑制了高掺杂隧穿结区扩散对光电吸收转换区的影响，减小了扩散对太阳电池开路电压的下降，改善了该光电转换吸收区pn结的质量，从而提高了太阳电池的效率。
一种含有晶格结构化合物太阳电池

[发明专利]超结集电区应变硅异质结双极晶体管-CN201410146902.6有效
发明人：金冬月;胡瑞心;张万荣;王肖;付强;鲁东 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-04-12 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分别外延生长应变SiGe基区和应变Si发射区。所述晶体管在弛豫SiGe集电区上外延生长应变SiGe基区可有效提高SiGe基区内Ge含量，增大发射区和基区间的带隙差，从而达到提高发射效率、增大器件电流增益的目的。同时，所述晶体管在集电区采用超结结构，可引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管在保持优异高频特性的同时电流增益更大，击穿电压更高，可有效拓展异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。
结集应变硅异质结双极晶体管

[发明专利]具有异质结构的变容二极管-CN201510249636.4在审
发明人：陶更明 -专利权人：特里奎恩特半导体公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：包括较宽带隙材料的层作为集电极/基极界面处的集电极的一部分。宽带隙材料的存在可以增加击穿电压并且允许在集电极的较窄带隙部分中增加超突变掺杂分布。这可以允许增加的调谐范围和改进的互调(IMD)性能，而不降低与单质结器件相关联的击穿性能。还可以描述和/或请求保护其他实施方式。
具有结构变容二极管

[发明专利]带隙超材料的Yang-Li叠加效应设计方法及其结构-CN202111019881.8在审
发明人：杨德庆;李清 -专利权人：上海交通大学三亚崖州湾深海科技研究院;上海交通大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙超材料的Yang‑Li叠加效应设计方法及其结构。该方法首先指定超材料功能基元基本属性；其次指定超材料的总体能带设计区间，并根据Yang‑Li叠加效应所要进行带隙叠加设计的带隙区间数，设定功能基元组的个数；随后，建立各超材料功能基元组的优化设计数学模型，优化求解得到功能基元组的各自设计变量值；之后利用Yang‑Li叠加效应将各功能基元组梯度叠加序构成为带隙超材料或带隙超材料结构；最后，根据设计方案制造出指定频段减振降噪超材料或超材料结构。本发明的一种带隙超材料的设计和制造方法及相应带隙超材料，打破了现有带隙超材料带隙较窄且只能作为功能材料的工程应用局限。
带隙超材料 yang li 叠加效应设计方法及其结构

[发明专利]具有隧道结的高效发光二极管-CN200780014101.2有效
发明人： J·P·艾贝森;B·P·凯勒;K·U·米希拉 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2007-01-17 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种由宽带隙半导体材料制成的LED，其具有在宽带隙半导体器件中带有隧道结的低电阻p-型限制层。设置在隧道结的一种异种材料在隧道结处产生固有偶极子。该固有偶极子用于形成具有一隧道宽度的结，所述隧道宽度小于没有异种材料时的宽度。通过在限制层的结中产生极化电荷，可以在宽带隙半导体器件中构成具有隧道结的低电阻p-型限制层，并且在结中形成小于没有极化电荷时的隧道宽度。在结内加入杂质，可增强在限制层中穿过隧道结的隧道效应。这些杂质可在结中形成带隙态。
具有隧道高效发光二极管

[实用新型]一种宽带隙钙钛矿/窄带隙钙钛矿/量子点三结叠层太阳能电池-CN202222014092.1有效
发明人：陈炜;刘宗豪;蒋昭毅 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种宽带隙钙钛矿/窄带隙钙钛矿/量子点三结叠层太阳能电池，包括从下向上依次层叠并串联设置的宽带隙钙钛矿电池、窄带隙钙钛矿电池以及量子点电池，所述宽带隙钙钛矿电池与所述窄带隙钙钛矿电池通过第一隧穿结连接或者机械堆叠，所述窄带隙钙钛矿电池与所述量子点电池通过第二隧穿结连接或者通过机械堆叠。基于本实用新型的宽带隙钙钛矿/窄带隙钙钛矿/量子点三结叠层太阳能电池，解决了现有的钙钛矿电池太阳能利用率低，电池整体效率低的问题。
一种宽带隙钙钛矿窄带量子点三结叠层太阳能电池

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