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[发明专利]一种LD泵浦高功率2μm波长医用Tm激光器-CN200710058311.3无效
发明人：徐封义;姚育成 -专利权人：天津市天坤光电技术有限公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：一种LD泵浦高功率2μm波长医用Tm激光器，由LD泵浦系统、激光晶体棒、光学谐振腔、水冷却系统、干燥系统、聚焦镜和光纤组成；LD泵浦系统采用GaAlAs半导体激光阵列为泵浦源，共3组LD阵列模块；激光晶体棒采用掺Tm键合晶体棒；光学谐振腔为平凹腔结构；水冷却系统可使激光晶体棒在低温状态下工作；干燥系统是将整个激光光路置于充有氮气的干燥箱内；激光通过聚焦镜耦合到光纤输出。
一种 ld 泵浦高功率波长医用 tm 激光器

[发明专利]液晶显示面板-CN200710178962.6无效
发明人：彭志龙 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示面板，包括多条数据线、数据线驱动电路、多条第一栅线、第一栅线驱动电路，多条数据线和多条第一栅线交叉处形成多个像素单元，每一像素单元至少包括一像素电极以及一第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与第一栅线连接，漏极与像素电极连接，源极与数据线连接，还包括：多条第二栅线、多条黑信号线以及第二栅线驱动电路，每一像素单元至少还包括一第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管的栅极与第二栅线连接，漏极与像素电极连接，源极与黑信号线连接
液晶显示面板

[发明专利]磁场条件下配合物小晶体合成评价装置-CN200810172987.X无效
发明人：李榕生;杨欣;王峰;巫远招;刘晓利;王鲁雁;宋岳;王青春;姜晶晶 -专利权人：宁波大学
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C30B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁场条件下配合物小晶体合成评价装置，属于单晶生长领域。在配合物小晶体的合成实验中引入磁场干预机制，并且，适时地评价和掌握其影响规律，对于探寻有潜在价值的晶体材料苗子具有一定的科学意义。本案装置应用于对磁场干预下配合物小晶体制备过程中相关反应及效应的观察和评价。该装置可引导和强化符合相应合成实验探求目标的反应倾向以及结晶取向。
磁场条件下配合晶体合成评价装置

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200810168980.0无效
发明人：安彦仁 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：存取控制电路(3)包括第一存取晶体管(3-1)和第二存取晶体管(3-2)并控制所述数据的读和写。地电压供应区域(15)向存储电路(2)和存取控制电路(3)供应地电压。多晶硅部(8)连接包括在第一存取晶体管(3-1)中的第一栅极电极和包括在第二存取晶体管(3-2)中的第二栅极电极，并且由第二导电类型的半导体构成。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器-CN200810063273.5无效
发明人：祁彪;王帆;郑伟伟;肖司淼;王明华;郝寅雷;江晓清;杨建义 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器。包括：1×2耦合器，两条干涉臂波导，2×1耦合器和电极构成的马赫－曾德尔电光调制器。两条结构相同的干涉臂波导在垂直方向上采用水平狭缝平板波导结构，干涉臂波导在水平方向采用二维光子晶体线缺陷波导结构。半导体材料层和有电光材料层的复合结构为光波导的芯层。在水平方向利用光子晶体周期结构的禁带，在垂直方向利用狭缝波导的强限制效应来限制光场分布。电光材料和硅基的复合芯层结构结合两者的优点，使调制器工作在低驱动电压。狭缝波导的强限制效应和光子晶体波导的慢光效应减小结构体积。器件制作工艺具有MOS兼容性，使器件易于集成和扩展，方便制造。
基于水平狭缝平板光子晶体缺陷波导电光调制器

[发明专利]正交压控振荡器-CN200610154179.1无效
发明人：吴升珉;白元镇 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：在一种正交压控振荡器中，第一振荡器包括：第一谐振电路，用于生成预置的第一谐振频率；以及第一交叉耦合晶体管对，用于将能量提供给第一谐振频率以生成具有180度相位差的第一和第二信号。第二振荡器包括：第二谐振电路，用于生成预置的第二谐振频率；以及第二交叉耦合晶体管对，用于将能量提供给第二谐振频率以生成具有180度相位差的第三和第四信号。第一电流源连接在第一交叉耦合晶体管对的第一公共节点和地之间。第二电流源连接在第二交叉耦合晶体管对的第二公共节点和地之间。差分负载连接在第一和第二电流源的第三公共节点和地之间。
正交压控振荡器

[发明专利]显示装置及其制作方法-CN200610100678.2无效
发明人：田中勉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2002-02-05 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一组薄膜晶体管(4)、覆盖各薄膜晶体管的平面化膜(5)和一组配置在膜(5)上的像素电极制成在两基底之一(1)上，而一对置电板面对该像素电极在另一基底(2)上。其中第一基底具有一像素阵列区段，由各像素电极和驱动各像素电极的各薄膜晶体管组成，以及一驱动电路区段，由驱动像素阵列区段的各薄膜晶体管组成，和平面化膜从像素阵列区段伸至周边驱动电路区段并显出在像素阵列区段与驱动电路区段之间有所差别的厚度
显示装置及其制作方法

[发明专利]人工晶体合成云母及制备工艺-CN200510044178.7无效
发明人：王新成;王超 -专利权人：王新成
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C01B33/42 文献下载
摘要：一种人工晶体合成云母及制备工艺，涉及一种人工晶体合成云母制作方法，其人工晶体合成云母原料包括：石英砂、氧化镁、氧化铝、氟硅酸钾和碳酸钾；其原料组分配比为；石英33％－37％、氧化镁28％－31％、氧化铝9％－12％、氟硅酸钾18％－21％、碳酸钾0.3％－0.4％，再按其要求粒度和纯度选配和加工原料，经配料、容器加工、熔融等工艺，获得人工晶体合成云母，所用电器装置采用2相电源控制器在熔器内对等放置2组加热电极模板
人工晶体合成云母制备工艺

[发明专利]氟硼酸铍盐非线性光学晶体及生长方法和用途-CN200510088739.3无效
发明人：陈创天;温小红;李如康;张承乾 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C30B29/00 文献下载
摘要：一种氟硼酸铍盐非线性光学晶体，分子式MBe₂BO₃F₂，M＝Rb或Cs；采用熔盐生长方法制备：将氟硼酸铍盐与助熔剂按比例混匀，升温750－800℃，恒温后再冷却至饱和温度之上2－10℃，得含氟硼酸铍盐与助熔剂的高温溶液；将籽晶杆上的籽晶放入该高温溶液中，旋转籽晶杆，降温至饱和温度，再缓慢降温，将所得晶体提离液面降至室温，便得到本发明的非线性光学晶体；该晶体具有非线性光学效应，透光波段宽，紫外截止边达到150nm，不潮解，不溶于稀盐酸和稀硝酸，化学稳定性好，适于紫外波段激光变频需要，可用于制作非线性光学器件，可实现N天：YAG激光的2倍频，3倍频，
硼酸非线性光学晶体生长方法用途

[发明专利]一种吡诺克辛和其钠盐的眼用凝胶制剂及其制备方法-CN200610019432.2无效
发明人：耿海明;钱自强;杨波;周建明 -专利权人：武汉远大制药集团有限公司
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： A61K9/00 文献下载
摘要：本发明眼用凝胶制剂具有竞争性地阻碍醌型化合物与晶体状水溶性蛋白质的结合，从而防止晶体蛋白质的变性的作用。同时能防止类脂的过氧化，作为醛糖还原酶抑制剂，补充晶体外源性抗氧化剂、提高晶体内源性抗氧化机能、抑制醛糖还原酶活性，阻断或延迟高糖白内障的出现。
一种吡诺克辛钠盐凝胶制剂及其制备方法

[发明专利]液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板及可修复电容-CN200710145642.0无效
发明人：简良能;林志远;杨克勤 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-09-06 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板。薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；多条数据线及多条扫描线。其中，这些扫描线与数据线将基板区分为多个显示单元，且这些显示单元包含：一薄膜晶体管；一储存电容下电极；一覆盖储存电容下电极的第一介电层；一形成于第一介电层上的储存电容上电极；一覆盖储存电容上电极及薄膜晶体管的第二介电层
液晶显示器薄膜晶体管阵列修复电容

[发明专利]封闭式双晶体可调温控盒-CN200510094807.7无效
发明人：邵石生;张寅超;方欣 -专利权人：中国科学院安徽光学精密机械研究所
申请日： 2005-10-10 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： G05D23/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种封闭式双晶体可调温控盒。它包括平移台(6)和经其上的微调机构固定的倍频晶体(20，5)，特别是倍频晶体(20，5)外套封有盒壳(1)，盒壳(1)内还置有温度传感器(19)和电加热器(10)，以及光陷阱(22，21)和穿越盒壳(它既能使倍频晶体适用于任何恶劣的工作环境，又大大地提高了雷达测量的可靠性和精确度。
封闭式双晶可调温控

[发明专利]一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件-CN200810026117.1无效
发明人：张佰君;王钢;招瑜 -专利权人：中山大学
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件，其包括衬底及层叠于衬底之上的半导体外延层，该半导体外延叠层包含N型层、发光层和P型层，P型层上设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀至N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，其中，在发光二极管芯片的边缘设有贯穿于半导体外延叠层的二维光子晶体结构，该光子晶体是由电介质常数呈周期性变化的介质柱构成。另外，本发明还提供了利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件的制造方法。
一种利用光子晶体结构抑制侧向发光二极管器件

[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法-CN200710308350.4无效
发明人：任劤爀 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够防止转移晶体管的泄漏电流的CMOS图像传感器及其制备方法。本发明涉及一种包括转移晶体管的互补金属一氧化物-硅(CMOS)图像传感器。该转移晶体管包括在由光敏二极管区、有源区和器件隔离区限定的半导体衬底之上形成的外延层。可以在器件隔离区中形成器件隔离膜。可以在用于转移晶体管的外延层之上形成栅极，且在它们之间插入栅绝缘层。
cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于光子晶体反射镜的反射式阵列波导光栅-CN200710156626.1无效
发明人：戴道锌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本发明公开的基于光子晶体反射镜的反射式阵列波导光栅，包括输入波导、输出波导、自由传输区和若干条阵列波导，输入波导和输出波导位于自由传输区同一侧，并与自由传输区相连，自由传输区的另一侧与各条阵列波导的一端相连，各条阵列波导的另一端分别连接光子晶体反射镜或者各条阵列波导的另一端平行排布并与同一光子晶体反射镜垂直相连。所采用的光子晶体反射镜可采用标准工艺制备，生产成本低，避免了传统反射镜所需的端面磨抛及蒸镀增反膜堆等复杂工艺，且可在很大带宽范围内获得高达99％的反射效率。
一种基于光子晶体反射阵列波导光栅