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[发明专利]多层陶瓷电容器-CN99107604.4有效
发明人：猪又康之;冲野喜和 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 1999-05-01 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种多层陶瓷电容器具有相互交叉叠层的若干介电层和内电极，在每个介电层中，整个纵向厚度上由介电层构成和单独存在于一个介电层中的陶瓷颗粒的比值达到20％或更高。即使介电层变得5μm或更薄，多层陶瓷电容器也可以防止CR乘积的降低到低于期望值的数值。这可以满足多层陶瓷电容器的以下需求：在内电极上叠层的介电层的数目增加而介电层的厚度做得更薄，以便满足使电路的体积更小而密度更高的要求。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN201811590018.6有效
发明人：朴今珍;南光熙;郑永彬;李明佑;金锺翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层以及设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极，并且介电层介于第一内电极和第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在陶瓷主体的外表面上并分别电连接到第一内电极和第二内电极介电层包括介电晶粒，在介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间存在晶界，并且晶界中的Si/Ti摩尔比满足15％至40％。
多层陶瓷电容器

[发明专利]一种Li系微波介电陶瓷材料及其制备方法-CN201911407984.4在审
发明人：唐伟桓 -专利权人：唐伟桓
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明涉及微波介电陶瓷技术领域，特别涉及一种Li系微波介电陶瓷材料及其制备方法；本发明包括按摩尔百分比的32%~34%Li2CO3、32%~34%SiO2、28%~34%MgO和0.01%~2.8%CoO；本发明改善了Li系微波介电陶瓷材料的介电常数，提高了Li系微波介电陶瓷材料的温度特性，使得Li系微波介电陶瓷材料具有超低介电常数、高品质因数、低谐振频率温度系数、高相对密度以及低致密化温度的优异特性；同时还提供了一种Li系微波介电陶瓷材料的制备方法。
一种 li 微波陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]多层陶瓷电子组件-CN201610203178.5有效
发明人：朴今珍;崔畅学;刘正勋;金斗永;辛敏基;李治和;李哲承;金钟翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，介电层和内电极交替地堆叠在陶瓷主体中。介电层包含长轴与短轴的比为3.5或更大的至少一个介电颗粒。内电极包含具有用于介电颗粒的颗粒生长调节成分的陶瓷组分。每个介电层包括与内电极相邻的界面部分以及设置在界面部分之间的中央部分，界面部分和中央部分中的颗粒生长调节成分的浓度彼此不同。
多层陶瓷电子组件

[发明专利]一种耐高温聚合物基陶瓷介电材料的制备方法-CN202010107910.5有效
发明人：程绪信;陈晓明 -专利权人：肇庆学院
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C03C17/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温聚合物基陶瓷介电材料的制备方法，该方法的步骤为：制备聚合物、制备混合粉体、制备基层、制备聚合层并形成耐高温聚合物基陶瓷介电材料；该陶瓷介电材料通过在基层两侧分别设置聚合层，有效增加了介电常数，便于对该陶瓷介电材料的介电常数进行准确控制；该研磨机构可以对混合材料进行研磨过滤，使得混合材料细致均匀，保证制备得到的陶瓷介电材料具有良好的介电性能；通过搅拌叶片对混合材料与氧化铝纤维搅拌，保证了氧化铝纤维与混合材料的充分混合，从而保证了该陶瓷介电材料的耐高温性能，该研磨机构在混合材料研磨过后可以立即过滤筛选并搅拌混合，同时提高了生产效率。
一种耐高温聚合物陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法-CN201110127263.5无效
发明人：杨海波;林营;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法，取分析纯的BaCO3、Fe2O3和Nb2O5球磨4后烘干，过筛，压块，预烧，得低介电损耗铁铌酸钡粉体；取分析纯的BaCO3和TiO2球磨后烘干，过筛，压块，预烧得低介电损耗铁铌酸钡粉体；将BaFe0.5Nb0.5O3和BaTiO3粉体混合均匀后加入PVA粘合剂得低介电损耗铁铌酸钡的混合粉末；将混合粉末按需要压制成型，烧结得到低介电损耗铁铌酸钡陶瓷。本发明制备的低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的具有巨介电常数和非常低的介电损耗，1kHz时介电常数为13300～21000，介电损耗为0.14～0.32。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷可以在1350℃的条件下烧结。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备工艺简单。
一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷制备方法

[实用新型]介电陶瓷滤波器-CN202022614104.5有效
发明人：金丁会;金相隆 -专利权人：株式会社KMW
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01P1/205 文献下载
摘要：本实用新型涉及介电陶瓷滤波器，尤其，涉及如下的介电陶瓷滤波器，上述介电陶瓷滤波器包括：介电块，外侧面被金属成分包围，填充有陶瓷材质；多个谐振部，在上述介电块的内部形成为具有圆形水平截面的空间，通过金属膜与上述介电块分开；以及调谐盖，以覆盖上述谐振部的一侧的方式与上述介电块相结合，位于与上述谐振部相对应的部位，通过与上述谐振部的空间相对应的形状变形来调谐上述谐振部的频率。
陶瓷滤波器

[发明专利]介电颗粒团聚物，使用该团聚物的低温可烧结的介电陶瓷组合物，使用该组合物生产的低温烧结介电陶瓷-CN200580007069.6有效
发明人：河野孝史;山永正孝;福田晃一 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5－20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880－1000℃下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。
颗粒团聚使用低温烧结陶瓷组合生产

[实用新型]单层平板电容器结构-CN201720125888.0有效
发明人：巫宏俊;凌溢骏;杨家骅;林佑谕 -专利权人：信昌电子陶瓷股份有限公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01G4/012 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单层平板电容器结构，包括一陶瓷介电层、一第一表面极板和一第二表面极板，一第一内极板由该陶瓷介电层的第一端面延伸至该陶瓷介电层中，一第二内极板由该陶瓷介电层的相对于该第一端面的第二端面延伸至该陶瓷介电层中，该第二内极板与该第一内极板在该陶瓷介电层中面对面相对应且间隔一距离，一第一端面导电层形成在该陶瓷介电层的该第一端面，并导电连接该第一表面极板与该第一内极板，一第二端面导电层，形成在该陶瓷介电层的该第二端面
单层平板电容器结构

[实用新型]一种静电吸附系统及其陶瓷静电吸盘-CN202320728442.2有效
发明人：廖林;奉洛阳;陈高龙 -专利权人：成都羲力科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及静电吸附领域，其具体公开一种静电吸附系统及其陶瓷静电吸盘，陶瓷静电吸盘具备电极层，其适于产生具有吸附力的静电；陶瓷介电层，其配置在所述电极层上以防护电极层；以及基体，所述陶瓷介电层和电极层均被载置在基体上其中，所述基体上结合有加热装置，所述加热装置被配置成能够加热所述陶瓷介电层以使得陶瓷介电层保持干燥。静电吸附系统包括所述的陶瓷静电吸盘及控制装置，陶瓷静电吸盘与控制装置电连接。本实用新型能够避免静电吸盘因陶瓷吸水导致吸附力下降的问题。
一种静电吸附系统及其陶瓷吸盘

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202310662064.7在审
发明人：金亨旭;白承仁;权亨纯;赵志弘 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：提供了一种多层陶瓷电容器。所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，包括介电层以及被设置为彼此面对且相应介电层介于它们之间的第一内电极和第二内电极；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，并且所述第二外电极电连接到所述第二内电极，其中，所述介电层包括包含介电陶瓷组合物的介电晶粒，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡基体材料主成分以及副成分，所述副成分包括Dy和Nb作为第一副成分，其中，基于100mol的所述钛酸钡基体材料主成分的Ti，Dy和Nb的总含量为大于0.2mol且小于或等于1.5mol，并且其中，所述介电层的厚度为0.4μm或更小。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202210306320.4在审
发明人：尹基明;朴宰成;郑东俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202010082253.3有效
发明人：尹基明;朴宰成;郑东俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
多层陶瓷电容器

[发明专利]陶瓷电子组件-CN202210784801.6在审
发明人：郑汉胜;安佳英 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并且连接到所述内电极，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，所述介电层的每单位厚度(1μm)的介电晶粒的平均数量为8或更大，并且td为0.5μm或更小，td是所述介电层中的至少一个介电层的平均厚度。
陶瓷电子组件

[发明专利]一种高压电性能和高介电性能弛豫铁电陶瓷的制备方法-CN202310260465.X在审
发明人：王妍;钱森;陈川;李楠;晋萃萃;刘东 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国网天津市电力公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种高压电性能和高介电性能弛豫铁电陶瓷的制备方法，属于压电陶瓷技术领域，克服现有技术中提升压电陶瓷介电性能和压电性能的方法工作量大、效率低的缺陷。本发明高压电性能和高介电性能弛豫铁电陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1、配制不同组分的陶瓷样品；步骤2、通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品介电常数随温度的变化关系；采用X射线衍射仪对各陶瓷样品不同温度下的晶体结构进行表征；步骤3、根据步骤2获得的数据绘制陶瓷体系的温度‑组分相图；步骤4、根据室温与相界交点对应的组分获得压电陶瓷。本发明能够快速锁定室温下压电陶瓷体系最优的成分配方，通过采用最优成分配提高压电陶瓷的压电性能和介电性能。
一种高压电性能高介电弛豫铁电陶瓷制备方法