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[发明专利]NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存-CN201910441277.0在审
发明人：李创锋;李嘉伦 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND闪存的垃圾回收方法及NAND闪存，所述方法包括：设置垃圾回收地图，所述垃圾回收地图中包括多个识别码，所述每一个识别码对应所述NAND闪存的一个子数据块，所述识别码用于指示所述子数据块中的数据的属性本发明能提高NAND闪存中垃圾回收的效率。
识别码垃圾回收子数据块

[发明专利]一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法-CN201811547901.7在审
发明人：刘政林;陈卓;鲁赵骏;张海春 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法，包括下述步骤：(1)获取待测闪存的特征量，特征量包括：闪存的编程时间、读取时间、擦除时间、电流、功耗、阈值电压分布、存储块编号、存储页号、闪存当前经历过的编程/擦除周期数、条件错误页数、条件错误块数、错误比特数和错误率；(2)对特征量进行处理后获得运算结果；(3)将特征量与运算结果组成集合，并将集合中的子集作为支持向量回归模型的输入进行支持向量回归运算后获得与特征量对应的闪存的寿命预测值本发明可以预测闪存的剩余使用寿命，让闪存存储设备使用者在使用设备期间了解存储器的损耗状态，避免因存储器单元失效而造成的数据流失。
闪存特征量支持向量回归寿命预测编程集合读取剩余使用寿命阈值电压分布存储器单元擦除周期存储设备使用设备数据流失损耗状态运算结果存储器比特数存储页错误率与运算擦除功耗页数子集运算存储预测

[发明专利]一种闪存块模式的动态切换方法及系统-CN201710588499.6在审
发明人：梁永权 -专利权人：深圳市德名利电子有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存块模式的动态切换方法及系统，将闪存按存储模式划分为SLC区和TLC区，通过所述SLC区写入数据，将所述SLC区的数据搬移到所述TLC区，将空的或者搬出数据后的所述SLC区的部分区域转换为所述TLC区，根据SLC区的空间容量和TLC区容量，直到全部闪存写满数据。本发明一种闪存块模式的动态切换方法及系统，将闪存中的SLC区域和TLC区域动态划分，能够让用户数据每次都写入到高性能的SLC区域，让已经写入SLC区域的用户数据能够在空闲时间搬移到TLC区域。在保证容量的前提下克服当前TLC闪存写入性能过低的问题，实现闪存写操作的性能大幅提升。
一种闪存模式动态切换方法系统

[发明专利]一种闪存数据保存错误率仿真方法-CN202010650819.8在审
发明人：吴佳;李礼;周正 -专利权人：上海威固信息技术股份有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存数据保存错误率仿真方法。随着三维闪存技术的兴起，闪存在容量增大的同时，其特性也变得日益复杂。而建立闪存仿真器对深入分析闪存特性、减少闪存测试工作量、促进固态硬盘向高性能、高可靠迈进具有重要意义。闪存的数据保存错误率仿真是闪存仿真器的重要组成部分，由于闪存块间的巨大可靠性差异，如何通过少量测试快速建立错误率仿真成为急需解决的问题。因此本发明利用条件生成对抗网络，通过较低成本的闪存测试，针对数据保存带来的可靠性下降问题，快速建立闪存数据保存错误率仿真器，对全闪存仿真器的建立、闪存特性研究、降低工业生产成本具有重大意义。
一种闪存数据保存错误率仿真方法

[发明专利]修复闪存的控制电路及修复闪存的方法-CN202010300343.5有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种修复闪存的控制电路及修复闪存的方法。所述修复闪存的控制电路包括分别用于接收并处理偶数行冗余子块的选择信号、奇数行冗余子块的选择信号和损坏的存储子块的行方向次低位地址信号后分别输出第一逻辑信号和第二逻辑信号的第一逻辑模块和第二逻辑模块，第三逻辑模块接收并处理第一逻辑信号和第二逻辑信号后输出内外侧交换控制信号，内外侧交换控制信号与计划施加在损坏存储子块上的高压控制信号进行异或运算得到施加在替换冗余子块上的位线高压控制信号。所述修复闪存的控制电路可使奇数行冗余子块和偶数行冗余子块均能够替换损坏的存储子块，提高了冗余子块的利用率。本发明还提供一种修复闪存的方法。
修复闪存控制电路方法

[发明专利]一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及系统-CN201610801826.7有效
发明人：向卫东 -专利权人：深圳震有科技股份有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种因掉电而损坏的闪存数据的恢复方法及系统，方法包括：预先将闪存的存储空间按照访问地址由小到大编号为1‑N个可擦写的块区，将第N‑1块区和第N块区分别设置为记录和备份的额外固定块区，第1块区至第N‑2块区为进行擦写操作的目标块区；记录正在擦写的目标块区的操作信息到所述第N‑1块区，并且将所述目标块区的原始数据备份到所述第N块区；擦写完成后，当系统启动闪存初始化时，当因掉电中断了数据擦写流程并且损坏数据时，读取第N块区备份的原始数据写入数据损坏的块区来恢复因掉电而损坏的闪存数据。本发明不依赖其它器件，仅额外占用闪存两个块区，就能在系统重启时检测到掉电损坏的数据并恢复出原有数据。
一种掉电损坏闪存数据恢复方法系统

[发明专利]闪存的控制方法和控制设备-CN200880131512.4无效
发明人：李宗珉;李东熙;朴汉默 -专利权人：韩商英得联股份有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明提供了闪存的控制方法和控制设备。所述的闪存控制方法包括：在支持同时消除闪存的多个块里的数据的消除多个块功能的环境下，考虑所述消除多个块功能，来计算各个能用的块再生写法的费用；根据计算出的费用，选择能用的块再生写法中的至少一个；利用在所述能用的块再生写法中已被选择出的至少一个，来管理至少一个块。
闪存控制方法设备

[发明专利]能够感知RAID的闪存转换层及其实现方法-CN201410721954.1有效
发明人：肖侬;陈志广;刘芳;巫小泉 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及能够感知RAID的闪存转换层及其实现方法。为闪存的每个逻辑页添加表示对该页的最近一次访问的访问类型的操作标识和表示该页是普通数据还是校验数据的逻辑页类型标识；为闪存的每个物理块添加表示该块存储的数据是普通数据还是校验数据的块类型标识；当访问某个逻辑页时，对比最近一次访问和本次访问的访问类型，如果都是读操作，则表明该逻辑页对应的数据为普通数据；当对某个逻辑页进行写操作时，根据该页的类型标识，将该页写在新分配的空闲块中并将空闲块的类型置成与该页类型相同，或者直接写入与该页类型相同的物理块中。本发明开销很小，减少垃圾回收过程中迁移的数据量，减少对闪存的写，从而延长闪存的寿命。
能够感知 raid 闪存转换及其实现方法

[发明专利]一种芯片封装结构-CN201710989638.6在审
发明人：穆云飞 -专利权人：南京矽邦半导体有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片封装结构，包括闪存芯片、控制器芯片以及承载闪存芯片、控制器芯片的因刷电路板，所述闪存芯片上的每一个引脚都有一个可导电凸块，所述印刷电路板上设置相应的焊点，还包括导电线，所述的闪存芯片形成芯片阵列，所述芯片阵列的闪存芯片的有可导电凸块的面向下倒压组装在印刷在印刷电路板上，所述的可导电凸块和印刷电路板上的焊点形成导电性的固定连接，控制器芯片重叠放置于所述芯片阵列的闪存芯片上并固定，所述导电线连接控制器芯片的引脚与印刷电路板上的焊点并固定利用本发明的技术方案可以使得在使用闪存芯片的大容量存储，使得电子设备的体积明显的被压缩和降低封装成本。
一种芯片封装结构

[发明专利]具有闪存设备的系统及其数据恢复方法-CN200710181431.2有效
发明人：牟然振;金庄焕;宋东显;李时润;黄在显;郑明珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-25 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：提供了一种用于在包括闪存设备的系统中恢复块映射表的方法，其中所述块映射表根据耗损平衡方案来采用地址映射。所述方法包括：对于所述耗损平衡方案读取来自闪存设备的块排列信息；参考所述块排列信息中包含的分配块信息恢复所述块映射表；参考所述块排列信息中包含的擦写块信息，扫描在所述闪存设备的擦写块的备用区域中包含的地址分配信息，并且根据扫描的地址分配信息更新所述块映射表。
具有闪存设备系统及其数据恢复方法

[发明专利]闪存设备及其管理方法、数据读写方法及读写装置-CN201210284917.X有效
发明人：郭丹 -专利权人：深圳市江波龙电子有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存设备及其管理方法、数据读写方法及读写装置。一种闪存设备的管理方法，包括以下步骤：建立逻辑块和物理块的块映射表，所述块映射表中记录逻辑块和物理块的对应关系；根据第一条写命令中的起始逻辑地址和写入长度计算并记录页偏移量；将逻辑块中的逻辑页数加1，并根据所述页偏移量计算逻辑块中第一个逻辑页和最后一个逻辑页所占扇区数，对所述逻辑块与物理块中的页映射表进行修改；所述页映射表记录一个逻辑块中逻辑页和物理页的对应关系。上述闪存设备的管理方法，将逻辑块和物理块的页映射表进行修改，从而可以在后续的数据写入中有效减少因闪存页不对齐而造成的频繁的进行数据搬移操作，提高了闪存设备的数据写入效率。
闪存设备及其管理方法数据读写装置

[发明专利]闪存存储管理方法-CN201010172669.0有效
发明人：张钦;苗诗君;聂仙丽;龚静 -专利权人：中颖电子股份有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种闪存存储管理方法，将闪存划分为至少一个区以及至少两个域，每个域包括多个物理块，且区大小为域大小的整数倍；以区为单位，建立物理块分配表；以域为单位，建立逻辑块地址与物理块地址之间的块地址映射表；在对闪存进行读写操作时，仅调用当前读写操作地址所对应域的块地址映射表与其所对应区的物理块分配表至RAM。如此，任意时刻，RAM中仅需暂存一个域的块地址映射表与一个区的物理块分配表，相对于现有技术中存储整个闪存的块地址映射表与物理块分配表，本发明所占的RAM资源大幅减少，成本随之降低。
闪存存储管理方法

[实用新型]一种基于块序列表的NAND 闪存垃圾回收电路-CN201922016898.2有效
发明人：耿卫东;曾广鹏;刘远泽;陈志博;王国栋;王思雨 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路。该基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路，可用于大容量固态硬盘控制器，在各种信息计算和处理领域具有广泛的应用，能够有效改善固态硬盘读写时的内存消耗，提高块擦除效率。所述的基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路由控制电路、块序列表、存储器状态监测电路、垃圾回收管理电路、数据更新电路和块序列表更新电路组成。本实用新型提供的基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路，利用块序列表来记录数据块的擦除次数、块相对更新时间和数据块中无效页的比例，对存储空间的垃圾回收进行管理，具有内存开销小、垃圾回收效率高和均衡磨损性能好等特点
一种基于序列 nand 闪存垃圾回收电路

[发明专利]闪存数据管理方法、存储设备控制器及存储设备-CN202080100778.3在审
发明人：李楠;伦志远;周威 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F12/16 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种闪存数据管理方法、存储设备控制器及存储设备。该方法，包括：获取闪存介质中的目标块在进行擦写操作时的本征参数，本征参数包括擦写操作的执行时间；根据本征参数以及预设本征参数阈值预测目标块的运行状态，运行状态包括正常状态以及异常状态；根据预测的运行状态对目标块进行后续的数据管理在本实施例提供方法中，通过获取闪存介质中的目标块在进行擦写操作时的本征参数，然后根据本征参数以及预设本征参数阈值预测目标块的运行状态，从而来评估闪存介质中各个块的健康程度，以根据各个块所确定的运行状态来对该块进行后续的数据管理，从而降低数据丢失风险，提升闪存介质的数据存储可靠性。
闪存数据管理方法存储设备控制器

[发明专利]一种闪存芯片的物理操作方法-CN200810067437.1有效
发明人：李国强 -专利权人：深圳市硅格半导体有限公司
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存芯片的物理操作方法，所述闪存芯片具有若干个坏块存储块，所述物理操作方法为，将每个坏块存储块分成若干小块，以块为单位进行擦除操作，以小块为单位进行写操作或者读操作。本发明还提供一种闪存芯片的物理操作方法，其包括：每个坏块存储块分成若干小块，有坏页存在的小块为不可利用，其余的小块为可利用；由两个或两个以上的坏块存储块中的部分或全部的可利用的小块重新组成一个新的存储块；以所述新的存储块为单位进行物理操作。本发明提供闪存芯片的物理操作方法，即通过细分原有的坏块和重新组织原有坏块存储块中的好的存储小块的方法，达到提高闪存芯片的有效使用容量，从而提高其经济效益。
一种闪存芯片物理操作方法