专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种长波垂直腔面发射半导体激光器-CN202010117961.6在审
  • 张星 - 长春中科长光时空光电技术有限公司
  • 2020-02-25 - 2020-05-15 - H01S5/10
  • 本发明公开了一种长波垂直腔面发射半导体激光器,包括下波导层;位于下波导层表面的短波发光区;位于短波发光区背向下波导层一侧表面的上波导层;位于上波导层背向下波导层一侧表面的长波发光区;位于长波发光区背向下波导层一侧表面的上光子晶体层短波发光区可以产生波长较短的光线并在水平方向上震荡以产生短波长激光。该短波长激光会作为泵浦激光,通过延伸至上波导层的光子晶体传输至长波发光区以激发长波发光区产生长波光线并形成长波激光出射,使激光器具有较低电阻的同时,具有较好的散热性能。
  • 一种波长垂直发射半导体激光器
  • [实用新型]一种长波垂直腔面发射半导体激光器-CN202020208469.5有效
  • 张星 - 长春中科长光时空光电技术有限公司
  • 2020-02-25 - 2020-09-25 - H01S5/10
  • 本实用新型公开了一种长波垂直腔面发射半导体激光器,包括下波导层;位于下波导层表面的短波发光区;位于短波发光区背向下波导层一侧表面的上波导层;位于上波导层背向下波导层一侧表面的长波发光区;位于长波发光区背向下波导层一侧表面的上光子晶体层短波发光区可以产生波长较短的光线并在水平方向上震荡以产生短波长激光。该短波长激光会作为泵浦激光,通过延伸至上波导层的光子晶体传输至长波发光区以激发长波发光区产生长波光线并形成长波激光出射,使激光器具有较低电阻的同时,具有较好的散热性能。
  • 一种波长垂直发射半导体激光器
  • [发明专利]光学变换器-CN200410085243.6有效
  • 加藤忠晴 - 雅马哈株式会社
  • 2004-10-09 - 2005-04-13 - G02B6/42
  • 一种光学变换器包括多端口光线发射单元(10)和多端口光线检测单元(19),其中所述多端口光线发射单元将检测光线(OP1)分配给与其输入端口(A-L)连接的次束(FB(2)),所述多端口光线检测单元将该检测光线(OP1)转换成光电流;光纤插头(17a)、插座(18)以及容纳于插座(18)中光线检测元件(19a)被装配在多端口光线检测单元(19)中;光纤插头(17)由半透明有色合成树脂制成,该树脂可以透过短波长光线(OP2)而不可以透过长波光线(OP1),从而使得次束FB(3)通过在短波长光线(OP2)的照射下固化的粘接化合物粘接到光纤插头(17)上;该长波光线(OP1)用作检测光线,从而使得泄漏光线不能到达相邻的输入端口
  • 光学变换器
  • [发明专利]防反射膜及光学元件-CN201210421217.0有效
  • 川岸秀一朗;山下照夫 - HOYA株式会社
  • 2012-10-29 - 2013-05-08 - G02B1/11
  • 本发明涉及一种防反射膜及光学元件,能够有效地减少重影的发生,该防反射膜形成在光学部件的光学面上,防止入射到所述光学面上的光线的反射,其特征在于,作为光线以入射角为0度入射到所述光学面时的分光反射率特性,第1波长范围中的最大反射率P1和第2波长范围中的最大反射率P2满足P1>P2的关系,其中,与所述第1波长范围相比,第2波长范围为长波侧,通过使反射率为规定值以下的波长范围位移至相对于所述第2波长范围的长波侧,使所述第2波长范围中的反射率降低,同时使所述第1波长范围中的反射率增加,以使所述第1波长范围和所述第2波长范围的重影的亮度差异减小。
  • 反射光学元件

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