专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]近-远红外宽光谱超晶格探测-CN202210125761.4在审
  • 崔素宁;牛智川;蒋洞微;王国伟;徐应强;吴东海;郝宏玥;陈伟强;蒋俊锴 - 中国科学院半导体研究所
  • 2022-02-10 - 2022-05-10 - H01L27/144
  • 本发明公开了一种近‑远红外宽光谱超晶格探测,包括:衬底;形成在衬底上的缓冲层;在缓冲层上依次叠层设置的甚长波红外探测、中波红外探测和短波红外探测;甚长波红外探测与中波红外探测之间依次设置有P+隧道结、N+隧道结,使甚长波红外探测与中波红外探测同时响应;中波红外探测与短波红外探测之间设置有载流子势垒阻挡层本发明提供的探测可以同时完成短红外波段、中红外波段、甚长波红外波段的探测,满足1μm~16μm宽光谱红外探测的要求。本发明提供的探测通过设置甚长波通道空穴势垒层和载流子势垒阻挡层,可以降低探测器件的暗电流,提高探测率。
  • 红外光谱晶格探测器
  • [实用新型]双色红外探测-CN202120215210.8有效
  • 黄勇;张立群 - 苏州晶歌半导体有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-12-21 - H01L31/101
  • 本实用新型公开了一种双色红外探测,其包括层叠设置的中波长红外探测长波红外探测,所述中波长红外探测的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格,所述长波红外探测长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格,所述中波长红外探测的中波通道势垒层和所述长波红外探测长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本实用新型的双色红外探测的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格,长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格,如此保证了各波段器件的最佳性能。
  • 红外探测器
  • [发明专利]双色红外探测及其制作方法-CN202110103882.4在审
  • 黄勇;张立群 - 苏州晶歌半导体有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-05-11 - H01L31/101
  • 本发明公开了一种双色红外探测,其包括层叠设置的中波长红外探测长波红外探测,所述中波长红外探测的中波通道吸收层为P型InAs/InAsSb超晶格或P型InAsP/InAsSb超晶格,所述长波红外探测长波通道吸收层为P型InAs/GaSb超晶格,所述中波长红外探测的中波通道势垒层和所述长波红外探测长波通道势垒层均为N型InPSb/InAs超晶格。本发明还公开了一种双色红外探测的制作方法。本发明的双色红外探测的中波通道吸收层采用了InAs/InAsSb或InAsP/InAsSb超晶格,长波通道吸收层采用了InAs/GaSb超晶格,如此保证了各波段器件的最佳性能。
  • 红外探测器及其制作方法
  • [发明专利]用于SF6气体泄漏的长波红外双色成像监测系统-CN201911028638.5在审
  • 冯斌;赵永强 - 西北工业大学
  • 2019-10-28 - 2020-02-25 - G01N21/3504
  • 本发明公开了一种用于SF6气体泄漏的长波红外双色成像监测系统,其通过在长波红外焦平面探测的焦平面上集成封装与SF6光谱匹配的微滤光片阵列以及红外双色图像差分处理,使得整体结构紧凑,定位快捷准确,灵敏度提升本发明包括长波红外光学镜头、长波红外双色焦平面探测红外双色图像处理模块;沿入射光路方向依次为长波红外光学镜头、长波红外双色焦平面探测红外双色图像处理模块;所述长波红外双色焦平面探测的焦平面上为集成封装的微滤光片阵列,所述长波红外双色焦平面探测为制冷型或非制冷型长波红外焦平面探测
  • 用于sf6气体泄漏长波红外成像监测系统
  • [发明专利]一种针对中远红外波段的波前探测方法-CN202211288941.0在审
  • 郭晗;金睿焱;王帅;杨平 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2022-10-20 - 2023-05-02 - G01J5/20
  • 本发明提供了一种针对中远红外波段的波前探测方法。所述方法通过将中远红外激光照射于特定荧光材料来激发荧光,从而利用荧光材料特性对入射光进行频率上的转换,将入射长波长光信号转换为短波长光信号,利用普通CMOS探测测量转换后的短波长波前信息,通过转换前的波前信息与转换后的波前信息之间的直接相关关系,可以获得中远红外波段的长波长波前信息,即利用普通CMOS探测即可探测长波长波段波前信息,不需要再利用特定红外波段探测。本发明涉及方法可利用普通夏克哈特曼波前探测对中远红外波段波前进行探测。相比于专用于长波段的波前传感,只需要在传输光路上添加荧光材料即可直接探测长波长波前信息。
  • 一种针对红外波段探测方法

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