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[实用新型]一种长晶机重掺超低阻高炉压切换装置-CN202320034126.5有效
发明人：吴泓明;钟佑生;陈志刚;王俊仁;万军召 -专利权人：郑州合晶硅材料有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长晶机重掺超低阻高炉压切换装置，包括真空泵、以及连接长晶机炉体以及所述真空泵的主真空管道；所述主真空管道上沿所述长晶机炉体至所述真空泵方向依次设有第一比例阀和第一球阀；所述主真空管道上在所述第一球阀的两端并联设置有直径小于所述主真空管道的副真空管道本申请提供的切换装置，可以根据实际生产需求，在低炉压和高炉压之间进行切换，满足生产重掺超低阻的硅单晶棒时对高炉压的需求，有效改善重掺超低阻的晶棒成长中晶棒阻值挥发，得到较低阻值掺值的晶棒，改善晶体的电阻率均匀性
一种长晶机重掺超低阻高炉切换装置

[实用新型]一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器-CN202121550617.2有效
发明人：吴彦国;马武祥;令狐铁兵;张倩;李战国;王智航 -专利权人：麦斯克电子材料股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于8英寸N型重掺超低阻值单晶硅制备的加热器，本实用新型在石墨电阻加热器本体的顶部一体设置有厚度逐渐减小的减薄部，导致顶部阻值增大，从而发热量增加，加热器顶部较大的发热量加大对熔体液面的辐射，增强熔体自上而下的对流，加大杂质向熔体中的扩散，能够有效避免高浓度掺杂剂在熔体中的聚集，避免组分过冷，从而提高8英寸N型超低阻单晶制备的成晶率及整棒率。本实用新型整体装置的结构简单、操作方便、安全可靠，有效的化解了现有加热器在制备8英寸N型超低阻单晶时存在的不足。
一种用于英寸型重掺超低阻值单晶硅制备加热器

[发明专利]降低重掺单晶硅棒滑移线的工艺方法-CN202211712751.7在审
发明人：张兴茂;芮阳;马成;黄柳青;杨少林;徐慶晧;王忠保;盛之林;罗学涛;盛旺;李岩;邹啟鹏;陈炜南 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低重掺单晶硅棒滑移线的工艺方法，先使熔融硅的液面距离石墨导流筒下沿之间的距离控制在40‑60mm之间，接着经过稳定、试温、引晶、放肩、转肩工序后，进入等径后等径长度100mm时拉晶的生长速度控制在低于30mm/H，保持拉晶的生长速度低于30mm/H至等径结束，在长晶的过程中通过降低拉速来控制长晶界面的径向温度梯度小于10开尔文每米，上述方法获得的晶棒内部位错明显降低，降低重掺单晶硅棒外部和内部因位错所出现的大量滑移线，提高了重掺单晶硅棒的制作效率。
降低单晶硅滑移工艺方法

[发明专利]掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池-CN201410011688.3无效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，它包括P型晶体硅衬底、N型掺氢晶化硅层、重掺杂N型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面电极层、P型掺氢晶化硅层、重掺杂P型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面电极层；N型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的正面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的上表面上；P型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的背面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在P型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的下表面上。
掺氢晶化硅钝化异质结太阳能电池

[发明专利]一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺-CN201210508288.4无效
发明人：刘建伟;李满;垢建秋;曲涛;石明 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高局部平整度重掺硅晶圆抛光片的无蜡抛光工艺，其步骤是：1.清洁陶瓷盘，将陶瓷盘浸泡后，用纯水冲洗其表面，收集冲洗纯水进行液体颗粒度测试，满足要求即可使用；2.将吸附垫粘贴在陶瓷盘表面；3.刷洗吸附垫表面并用纯水浸湿；4.将重掺硅晶圆片放入吸附垫的槽中，旋转挤压水分，根据挤压出的水分量确认重掺硅晶圆片被吸附垫是否有效吸附固定在槽中；5.按照设定参数进行两次粗抛光，再进行精抛光；6.采用清洗机清洗重掺硅晶圆片采用本工艺，使重掺硅晶圆片达到表面局部平整度值＜1.5μm的水平，其背面得到较好的洁净度，对清洗设备的沾污得到有效控制，降低了清洗难度和成本，对满足大规模集成电路的要求具有重大意义和实用价值。
一种局部平整度重掺硅晶圆抛光工艺

[发明专利]低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统-CN202110800323.9有效
发明人：周文辉;王忠保;闫龙 -专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法及生产系统，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法通过调整低电阻率重掺砷硅单晶晶棒生产过程中，等径尾部及收尾端部的单晶生长速率、补偿温度、氩气流量，改善低电阻率重掺砷硅单晶的生产工艺，采用调整后的低电阻率重掺砷硅单晶的生产方法得到的重掺砷单晶硅晶棒，不仅电阻率能够满足要求，且晶棒尾部的晶变概率大幅度降低，实践表明，晶棒尾部的晶变概率由改善前的45%降低至5%以下，提高晶棒合格率，减少原料浪费，降低生产成本。
电阻率重掺砷硅单晶生产方法系统

[实用新型]掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池-CN201420015111.5有效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掺氢晶化硅钝化的异质结太阳能电池，它包括P型晶体硅衬底、N型掺氢晶化硅层、重掺杂N型非晶硅层、正面透明导电膜层、正面电极层、P型掺氢晶化硅层、重掺杂P型非晶硅层、背面透明导电膜层和背面电极层；N型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的正面上；重掺杂N型非晶硅层沉积在N型掺氢晶化硅层的上表面上；P型掺氢晶化硅层沉积在P型晶体硅衬底的背面上；重掺杂P型非晶硅层沉积在P型掺氢晶化硅层的下表面上；背面透明导电膜层沉积在重掺杂P型非晶硅层的下表面上。
掺氢晶化硅钝化异质结太阳能电池

[发明专利]一种偏晶向重掺单晶的拉制方法-CN201310381232.1有效
发明人：陈澄;张雪囡;张长旭;朱鹏浩;张磊;刘一波;李亚哲 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供一种偏晶向重掺单晶的拉制方法，包括装料、装入偏晶向籽晶、抽空、化料、掺杂、稳温、引晶、扩肩、转肩、等径和收尾等过程，上述拉制方法使用偏晶向籽晶拉制单晶。本发明利用简单的方法有效降低了重掺单晶的RRV，改善重掺单晶的径向电阻率均匀性。
一种重掺单晶拉制方法

[发明专利]超低掺量的阻锈剂及其制备方法-CN201210198772.1无效
发明人：吴翠娥;刘虎;张凡 -专利权人：武汉三源特种建材有限责任公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C04B22/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低掺量的阻锈剂的制备方法，属于建筑材料技术领域。本发明一种超低掺量的阻锈剂的制备方法的质量百分比为：单氟磷酸钠：0.4％～1％，矿物掺合料：99.6％～99％。本阻锈剂不含亚硝酸盐，对环境及人体无害，且能提高混凝土强度。本发明与传统的阻锈剂相比具有阻锈性能优异，能提高混凝土强度、环保无害等优点，可广泛应用于海洋环境区建筑物、采用化冰盐的钢筋缓凝土结构等以氯盐腐蚀为主的工业和民用建筑。
超低掺量阻锈剂及其制备方法

[发明专利]一种SE-TOPCon电池方块电阻测试方法-CN202310284974.6在审
发明人：马红娜;史金超;王平;王子谦;赵学玲;郎芳;潘明翠;王红芳;翟金叶;孟庆超;张文辉;赵亮 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种SE‑TOPCon电池方块电阻测试方法，具体是将同一片硅片平均分成两部分，上部分用激光掺杂，可选择全打，也可选择图案化的部分打，下半部分不掺杂。退火后测试同一片硅片，上半部分全打而下半部分不打的方案，可以同时测试出重掺区和轻掺区；上部分图案化的部分打方案，可以用不同激光工艺进行掺杂，退火后可以同时测试轻掺区和不同激光掺杂退火后的重掺区方阻。本发明提成了一种简单的监控N型SE‑TOPCon电池选择性硼掺杂重掺杂区和轻掺区方块电阻的方法，同时能够简化调试激光掺杂工艺方块电阻的测试。
一种 se topcon 电池方块电阻测试方法

[发明专利]一种新型异质结电池及其制备方法-CN202010373591.2在审
发明人：王继磊;张娟;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型异质结电池，包括：硅层衬底、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层，依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅线；所述第一掺杂层包括重掺层和浅掺层，所述重掺层与所述浅掺层交替设置于所述第一本征非晶硅层的正面；所述重掺层为重掺n型非晶硅层，所述浅掺层包括浅掺n型非晶硅层和设置于所述浅掺n型非晶硅层的第一氮化硅层；以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；所述第二掺杂层为掺杂p型非晶硅层。
一种新型异质结电池及其制备方法

[实用新型]一种新型异质结电池-CN202020724138.7有效
发明人：王继磊;张娟;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型异质结电池，包括：硅层衬底、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层，依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅线；所述第一掺杂层包括重掺层和浅掺层，所述重掺层与所述浅掺层交替设置于所述第一本征非晶硅层的正面；所述重掺层为重掺n型非晶硅层，所述浅掺层包括浅掺n型非晶硅层和设置于所述浅掺n型非晶硅层的第一氮化硅层；以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；所述第二掺杂层为掺杂p型非晶硅层。
一种新型异质结电池

[发明专利]一种SOI晶圆片的制备方法-CN201911028150.2在审
发明人：高文琳 -专利权人：沈阳硅基科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种SOI晶圆片的制备方法，所述制备方法包括：对清洗后的高阻硅片进行氧化，并通过低压化学气相沉积的方式，得到具有掺氧多晶硅层的高阻硅片；对清洗后的低阻硅片进行氧化，并对具有氧化硅层的低阻硅片进行氢离子注入；将具有掺氧多晶硅层的高阻硅片和注入后的低阻硅片进行键合和退火处理，得到键合片；对键合片进行裂片，得到具有掺氧多晶硅层的SOI；清洗所述SOI，并进行退火处理得到处理后的SOI晶圆片；进行清洗和CMP工艺，得到具有掺氧多晶硅层的SOI晶圆片。本发明的SOI晶圆片的制备方法，能够抑制硅衬底的表面寄生电导，限制电容变化和减少产生的谐波的功率，从而使高阻SOI衬底电阻率的损失降至最低。
掺氧多晶硅晶圆片低阻硅片高阻硅片清洗制备退火处理键合片氢离子低压化学气相沉积电容变化寄生电导氧化硅层电阻率硅衬底衬底高阻键合裂片谐波

[发明专利]显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用-CN201110366137.5有效
发明人：马向阳;徐涛;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用。该腐蚀液由摩尔浓度为0.25～0.35mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比1∶2～1∶1混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为2.8×1018～4.5×1019cm-3的<100>晶向重掺P型直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀，尤其适用于重掺杂、低阻P型直拉硅单晶空洞型缺陷的显示；具有腐蚀速度快
显示型直拉硅单晶空洞缺陷腐蚀及其应用

[发明专利]一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液-CN201110342033.0有效
发明人：马向阳;徐涛;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液，由摩尔浓度为0.2～0.25mol/L的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比为2∶3～3∶2混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为1.6×10191.1×1020cm-3的<100>、<111>等不同晶向重掺N型直拉硅单晶中空洞型缺陷的择优腐蚀，尤其适用于重掺杂、低阻直拉硅单晶空洞型缺陷的显示
一种用于显示型直拉硅单晶空洞缺陷腐蚀

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