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[发明专利]一种单晶锰酸锂的制备方法、单晶锰酸锂及其应用-CN202110254922.5在审
发明人：方刚;徐健;谭崇梅;谢思思 -专利权人：高点（深圳）科技有限公司;贵州高点科技有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明属于材料合成技术领域，尤其涉及一种单晶锰酸锂的制备方法，包括步骤：S1，将可溶性锰盐、碱液、可溶性碳酸盐和络合剂通过络合反应结晶，经沉淀、陈化后高温处理，得到粒径分布可控的锰系单晶前驱体；S2，将所述锰系单晶前驱体与锂源混合，得到混合物；S3，将所述混合物在空气或者氧化性气氛中升温进行固相烧结反应，得到粒径可控的单晶锰酸锂，得到形貌几乎保持，粒径可控的单晶锰酸锂。另外，本发明还涉及一种单晶锰酸锂及其在锂离子电池中的应用。相比于现有技术，本发明制得单晶锰酸锂，比表面积小，浆料固含量较高，极片压实密度大，改善锰酸锂材料的性能。
一种单晶锰酸锂制备方法及其应用

[发明专利]一种单晶锰酸锂包覆镍钴锰酸锂的包覆材料及其生产方法与应用-CN202310037291.0在审
发明人：李佳军;钱飞鹏;倪铭君;吴石涛;邓亚烽 -专利权人：无锡晶石新型能源股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了单晶锰酸锂包覆镍钴锰酸锂的包覆材料及其生产方法与应用，属于锂离子电池材料技术领域；该单晶锰酸锂包覆镍钴锰酸锂的包覆材料包括单晶锰酸锂和镍钴锰酸锂；采用颗粒较小的单晶锰酸锂为包覆物，可以有效改善镍钴锰酸锂材料的安全性
一种单晶锰酸锂包覆镍钴锰酸锂材料及其生产方法应用

[发明专利]一种单晶锰酸锂材料的制备方法-CN202110362475.5有效
发明人：彭忠东;舒钰铭;胡国荣;杜柯;曹雁冰 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶锰酸锂材料的制备方法，该方法中采用的掺杂元素M，有两方面作用：一是作为助熔剂，能够在更低温度或保温时间下形成单晶锰酸锂颗粒，甚至形成不同形貌的单晶锰酸锂颗粒；二是掺杂元素可以减少锰酸锂循环过程中的Jahn‑Teller效应、减少锰的溶解、稳定晶格结构从而提高锰酸锂的循环、倍率性能。本发明掺杂四氧化三锰具有较大的八面体一次颗粒团聚而成的二次颗粒，掺杂元素均匀沉淀或吸附在前驱体颗粒的缝隙或表面的特点，可以使锰酸锂性能和形貌的一致性将大大提升，此外可以用更低的温度或保温时间固相合成单晶锰酸锂，甚至形成不同形貌的单晶锰酸锂颗粒，从而得到物理性能、电化学性能兼具的单晶锰酸锂材料。
一种单晶锰酸锂材料制备方法

[发明专利]一种镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法，锂离子电池-CN201810580756.6在审
发明人：高文超;单旭意;乔智;李明露 -专利权人：中航锂电（洛阳）有限公司;中航锂电技术研究院有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍钴锰酸锂正极材料及其制备方法，锂离子电池。该镍钴锰酸锂正极材料包括单晶镍钴锰酸锂和包覆在单晶镍钴锰酸锂表面的包覆层，所述包覆层由磷酸钒锂和碳材料组成。与现有技术相比，本发明通过在单晶镍钴锰酸锂表面包覆磷酸钒锂与碳组成复合材料，将磷酸钒锂良好的离子传输性能与碳较好的电子传输性能相结合，提高单晶材料的电化学活性，极大程度改善单晶镍钴锰酸锂正极材料的克容量及倍率性能
镍钴锰酸锂正极材料单晶磷酸钒锂锂离子电池包覆层制备电子传输性能离子传输性能电化学活性倍率性能表面包覆单晶材料复合材料克容量碳材料包覆

[发明专利]在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法-CN200510079720.2无效
发明人：刘力锋;陈诺夫;尹志岗;杨霏;柴春林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)以硅单晶为衬底材料；2)采用磁控溅射方法，选择锰靶和硅靶两个靶；3)将硅单晶衬底送入磁控溅射仪制备室；4)衬底为室温或加温，锰靶和硅靶共溅射制备锰－硅薄膜；5)退火，在硅单晶衬底上形成锰硅薄膜，该锰硅薄膜表现室温铁磁特性。
衬底磁控溅射制备铁磁性薄膜方法

[发明专利]一种掺杂型单晶四氧化三锰的制备方法-CN202011598093.4在审
发明人：钱飞鹏;赵春阳;李佳军 -专利权人：无锡晶石新型能源股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂型单晶四氧化三锰的制备方法，包括(1)将硫酸锰及掺杂元素M混合后高速球磨，获得混合物A；(2)将混合物A在回转窑内加热至700℃‑950℃，保温2‑8小时后升温至1250‑1450℃保温4‑12小时，得到物料B；(3)将物料B进行粉碎过筛除铁，得到掺杂M元素的单晶四氧化三锰。本发明制备的单晶四氧化三锰合成的锰酸锂具有单晶形貌，工艺简单，锰源烧结温度低约700‑830℃左右，锂锰比约为1.04‑1.10，碳酸锂消耗少，成本低，且合成的锰酸锂压实密度高，循环性能优异。
一种掺杂型单晶四氧化制备方法

[发明专利]一种单晶锰酸锂及其制备方法和应用-CN202310107930.6在审
发明人：赵永锋;慕朝阳;刘泽萍;冯艳艳;朱林剑;段建超;侯冬轩;孙斌;王正科;商慧慧 -专利权人：焦作伴侣纳米材料工程有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明属于电化学材料技术领域，具体涉及一种单晶锰酸锂及其制备方法和应用。本发明的单晶锰酸锂的制备方法包括下述步骤：(1)将锰源与添加剂按比例混合均匀，得到混合粉体；(2)对经步骤(1)处理所得的混合粉体进行预烧结，得到预处理的锰系前驱体；(3)待自然冷却后，将所述锰系前驱体破碎，过筛；(4)将过筛后的所述锰系前驱体与锂源混合均匀，得到锰酸锂前驱体；(5)对所述锰酸锂前驱体进行两段焙烧，冷却、破碎后得到所述单晶锰酸锂。本发明的方法制备得到的单晶锰酸锂(用作正极材料)的充放电循环的结构稳定性好。
一种单晶锰酸锂及其制备方法应用

[发明专利]一种单晶电池正极材料及其制备方法-CN202110727979.2有效
发明人：李晓祥;裴晓东;骆艳华;田然;鲍维东;韩虎 -专利权人：中钢天源股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶正极材料及其制备方法，该方法包括以下步骤：(1)用化学共沉淀法分别合成高镍镍钴锰三元前驱体和镍钴锰铝钛五元高熵正极材料前驱体；(2)采用一次烧结将高镍镍钴锰前驱体焙烧成较小颗粒单晶材料；(3)在较小颗粒单晶材料基础上加上粘结剂和高熵五元前驱体粉进行二次烧结，使高熵五元前驱体在镍钴锰单晶表面继续长大，得到产品内层为高镍镍钴锰三元单晶，外层为高熵镍钴锰铝钛五元单晶材料。本发明外层采用高熵材料包裹有效提高了高镍三元单晶充放电时锂离子扩散速率，进而提升了单晶材料的容量及倍率性，且外层为高熵材料也进一步提高其高温热稳定性和循环性。
一种电池正极材料及其制备方法

[发明专利]一种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料及其制备方法-CN201811621732.7在审
发明人：汪乾;刘婧婧;阮丁山;唐盛贺;李长东 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料及其制备方法。这种单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料是通过以下的制备方法制得：1)将镍盐和锰盐通过湿化学法，制备得到镍锰前驱体，其中Ni和Mn的摩尔比为1:1；2)将镍锰前驱体进行预烧结，得到镍锰氧化物前驱体；3)将镍锰氧化物前驱体与锂源、M源添加剂混合，然后煅烧，得到单晶形貌的层状镍锰酸锂正极材料。本发明充分发挥单晶颗粒具有理论密度的优势，以此来提升正极材料制作极片的压实密度，从而提高了锂离子电池的体积能量密度。本发明单晶颗粒内部材料的缺陷大大降低，能有效提升充放电过程中正极材料的结构稳定性，从而提高锂离子电池的使用寿命。
正极材料形貌镍锰酸锂单晶制备镍锰前驱体镍锰氧化物锂离子电池单晶颗粒前驱体充放电过程结构稳定性添加剂混合内部材料湿化学法使用寿命体积能量摩尔比预烧结极片锰盐镍盐压实煅烧锂源制作

[发明专利]高锂离子导通正极片及其制备方法-CN202010917552.4在审
发明人：赵成龙;张秀奎;吴叶超;王正伟 -专利权人：星恒电源（滁州）有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本发明公开了一种高锂离子导通正极片及其制备方法，正极片包括集流体和涂敷于集流体上的正极层，其特征在于：所述正极层包括大颗粒锰酸锂、小颗粒单晶正极材料、快离子导体、有机聚合物、导电剂和粘结剂，所述大颗粒锰酸锂为二次颗粒锰酸锂，D50为10～30μm；所述小颗粒单晶正极材料为单晶锰酸锂或单晶镍钴锰酸锂，D50为1～5μm；所述快离子导体为磷酸钛铝锂、钛酸镧锂、锂镧锆氧中的一种；所述大颗粒锰酸锂和所述小颗粒单晶正极材料的质量比为本发明构造了正极片的锂离子传输三维网络，降低了锰酸锂的极化和锰溶解，提升了循环性能。
锂离子正极及其制备方法

[发明专利]一种高锂离子导通正极片及其制备方法-CN202010917553.9在审
发明人：张秀奎;赵成龙;王正伟 -专利权人：星恒电源（滁州）有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：本发明公开了一种高锂离子导通正极片及其制备方法，正极片包括集流体和涂敷于集流体上的正极层，其特征在于：所述正极层包括大颗粒锰酸锂、小颗粒单晶正极材料、快离子导体、导电剂和粘结剂，所述大颗粒锰酸锂为二次颗粒锰酸锂，D50为10～30μm；所述小颗粒单晶正极材料为单晶锰酸锂或单晶镍钴锰酸锂，D50为1～5μm；所述快离子导体为磷酸钛铝锂、钛酸镧锂、锂镧锆氧中的一种；所述大颗粒锰酸锂和所述小颗粒单晶正极材料的质量比为本发明构造了正极片的锂离子传输三维网络，降低了锰酸锂的极化和锰溶解，提升了循环性能。
一种锂离子正极及其制备方法

[发明专利]包覆型镍钴锰三元单晶材料及其制备方法-CN202110224094.0有效
发明人：林浩;郑刚;汪宇;段锐;鲁劲华 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种包覆型镍钴锰三元单晶材料及其制备方法，该包覆型镍钴锰三元单晶材料的制备方法将钛铝复合氧化物和镍钴锰前驱体固溶体加入有机溶剂中，充分混合均匀后，分离、干燥、过筛，得到混合粉体，将所述混合粉体热处理后，烧结，得到钛铝复合氧化物包覆的镍钴锰三元单晶材料。该制备方法操作简单，反应条件温和，且得到的包覆型镍钴锰三元单晶材料具有优异的高温循环性能。
包覆型镍钴锰三元材料及其制备方法

[发明专利]尖晶石型锰酸锂及其制备方法和锂离子电池-CN202310485070.X在审
发明人：胡进;归伊娜;李娟;龙博;王柯 -专利权人：巴斯夫杉杉电池材料有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种尖晶石型锰酸锂，其为球形形貌单晶颗粒，设定该单晶颗粒的等效圆直径偏离参数为A，满足0.75≤A≤1；等效圆直径偏离参数A为单晶颗粒的等效面积圆直径DA/单晶颗粒的最大直径DB；其制备包括：先称取原料进行球磨混合，将混合物粉末进行一次烧结，将获得的锰酸锂中间产物通过破碎、解离成分散的锰酸锂一次粉末；再加入含锂化合物后进行补锂二次烧结，获得尖晶石型锰酸锂。本发明锰酸锂的单晶具有更小的(111)晶面的面积，从而抑制Mn(Ⅲ)的歧化反应发生，获得高温存储和循环性能更好的电池。
尖晶石型锰酸锂及其制备方法锂离子电池

[发明专利]一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻-CN200310116749.4无效
发明人：巴维真;陈朝阳;丛秀云;张建 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2003-11-20 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。
一种掺杂温度系数单晶硅热敏电阻

[发明专利]一种大单晶镍钴锰正极材料及其制备方法-CN202210918855.7有效
发明人：刘国标;单丽梅;李海荣;孟宪伟;曾舟;闫昊东;朱辰翔;肖俊壹;张心力 -专利权人：四川工程职业技术学院
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本申请公开了一种大单晶镍钴锰正极材料及其制备方法，涉及锂离子电池材料技术领域；旨在解决现有大单晶镍钴锰层状正极材料的电化学循环容量偏低所导致的其体积能量密度不高的技术问题，所述大单晶镍钴锰正极材料的制备方法，包括以下步骤：在空气气体气氛下，将金属的盐化合物为原料，进行共沉淀处理，获得絮状氢氧化镍钴锰颗粒浆料；所述金属包括镍、钴和锰；将所述絮状氢氧化镍钴锰颗粒浆料与锂源在反应介质溶液中，在150℃～190℃下进行溶剂热反应5h～72h后，进行低温煅烧，获得大单晶镍钴锰正极材料。
一种大单晶镍钴锰正极材料及其制备方法

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