专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路功能成品估计方法-CN200710018858.0无效
  • 王俊平;郝跃;孙晓丽;铁满霞;任春丽;张俊明;张宇;王瑞岩;郭清衍;周海 - 西安电子科技大学
  • 2007-10-12 - 2008-05-14 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种集成电路功能成品估计方法,主要解决现有估计方法精确度低的问题。本发明采用对不同类型的缺陷使用不同的成品估计方法,具体过程是:将待估计的集成电路各层平面版图按线网编号;提取需要估计的平面版图对应的制造工序中的缺陷形状特征;将提取的缺陷特征分为圆形轮廓、椭圆轮廓和随机轮廓三类;分别计算圆形轮廓缺陷、椭圆轮廓缺陷和随机轮廓缺陷在所选平面版图上的关键面积,并进行求和,得到三类缺陷在所选平面版图上的总关键面积;根据求和数值按照常规方法估计所选平面版图对应工序的成品及集成电路的成品本发明具有估计精确度高的优点,可用于确定制造工艺中由随机形状的缺陷引起的芯片成品损失估计。
  • 集成电路功能成品率估计方法
  • [发明专利]一种提高铸造多晶硅锭质量的方法-CN201310008848.4有效
  • 金廷珉;申铉宪;周环;李林东 - 韩华新能源科技有限公司
  • 2013-01-10 - 2013-04-03 - C30B11/00
  • 本发明是一种提高铸造多晶硅锭质量的方法,其步骤如下:采用纯度超过99.9%、粒径为100nm~100μm的二氧化硅为原料;将二氧化硅与纯水进行搅拌混合均匀,纯水占混合物的质量百分比为20%~70%;以混合物作为多晶铸锭形核剂;在坩埚进行常规喷涂结束后,将混合物喷或刷至坩埚底部形成一层厚度为0.3~5mm的二氧化硅涂层,二氧化硅涂层干燥后,获得龟裂的二氧化硅涂层与/或不龟裂的二氧化硅涂层,最后装料铸锭,长晶时以二氧化硅与裂缝作为形核点采用本发明方法铸锭,成本与主流铸锭方法相当,成品可以超过69%。
  • 一种提高铸造多晶质量方法
  • [发明专利]一种拉制硅单晶工艺方法-CN200410018223.7有效
  • 顾月强;谢海涛 - 上海卡姆丹克半导体有限公司
  • 2004-05-11 - 2005-11-16 - C30B15/00
  • 本发明公开一种拉制硅单晶工艺方法,步骤包括:将多晶硅料投入石英坩埚内进行电加热,向炉内充氩并减压升温,炉内压力在2600Pa,温度在1420℃,待炉内料完全熔融后进行拉制硅单晶,并检测其电阻,其特征在于本发明工艺方法的实施,能大大提高硅单晶的成品,如果器件允许硅单晶的电阻范围只有10Ωcm,采用传统工艺时,单晶成品约34%,采用本发明方法三次加料工艺后,成品将提高到58%。当半导体器件所允许硅单晶的电阻范围越小时,采用多次加料工艺后单晶成品的提高将更为明显。
  • 一种拉制硅单晶工艺方法

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