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[发明专利]一种全抗硫化电位器碳片-CN200810067720.4无效
发明人：洪金镳 -专利权人：广东升威电子制品有限公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01C10/30 文献下载
摘要：碳膜层与银膜层相互并行布列于基板上；平面展布上，碳膜层、银膜层均包括主体、引出端及端子铆接部；银膜层的主体、银膜层的引出端及银膜层的端子铆接部皆为银膜，再对银膜层的主体的银膜、银膜层的引出端的银膜进行抗硫化处理；碳膜层的主体为碳膜；对银膜层的端子铆接部的银膜不进行抗硫化处理；碳膜层的引出端及碳膜层的端子铆接部为银膜，对碳膜层的引出端的银膜进行抗硫化处理即布覆抗硫化层，对碳膜层的端子铆接部的银膜不进行抗硫化处理即其效果明显：全抗硫化处理，增强了银膜的抗氧化能力，电接触性能好；端子铆接部与端子的残留阻抗极低，特别适合高尖端产品的使用。
一种硫化电位器

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020391704.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括AgGd膜层和Zn膜层，AgGd膜层和Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间；或Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时AgGd膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间；或AgGd膜层和Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时AgGd膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间。本实用新型可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[发明专利]发光器件及显示面板-CN202210885588.8在审
发明人：李真真;李梦真;刘彬;赵伟;刘俊;逄辉;李宝雨 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光器件及显示面板，发光器件包括依次层叠设置的阳极层、第一发光单元、n型电荷产生层、银膜‑电子传输材料配位层、银膜层、银膜‑空穴注入材料配位层、p型电荷产生层、第二发光单元、阴极层。通过在银膜层的两侧分别设置银膜‑电子传输材料配位层和银膜‑空穴注入材料配位层抑制银聚集，使得银膜层绝大部分为纳米银颗粒，利于降低电子的注入势垒，提升发光器件的性能；同时，避免银迁移造成的短路，提升了发光器件的稳定性
发光器件显示面板

[发明专利]一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏-CN202210028420.5在审
发明人：郭珺;曾西平;黄康志;蒲燕;赵振 -专利权人：深圳市华科创智技术有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏，该纳米银导电膜包括：基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层，该TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在该基层的上下两面；该TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道，该RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道；其中，该沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域，每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。能够通过在TX方向的纳米银膜层导电通道的neck区域设置拓宽部分，增大沿TX方向的纳米银导电通道的宽度，减小TX方向的纳米银膜层中的阻抗值，从而增强纳米银导电膜中的阻值均匀性，提高用户的体验效果，延长使用寿命
一种纳米导电以及电容

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010216112.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括AgGd膜层和Zn膜层，AgGd膜层和Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间；或Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时AgGd膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间；或AgGd膜层和Zn膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时AgGd膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间，AgGd膜层中Gd的含量≤90at％。本发明可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[实用新型]反射镜滤光片-CN201821165186.6有效
发明人：张瑞麟;蔡林林;李江波;曹子玉;孙丹芳;汪平锋 -专利权人：利基光电科技（九江）有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G02B5/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了反射镜滤光片，包括有色玻璃和镀在所述有色玻璃表面的银膜，所述银膜外表面镀有氧化硅保护膜，所述银膜和有色玻璃之间镀有内衬层，所述银膜和氧化硅保护膜之间还镀有外衬层。本实用新型的有益效果：采用镍铬铁合金膜作为内衬层，能提高银膜和有色玻璃之间的附着力，在银膜外侧镀氧化硅保护膜能够对银膜进行保护，使其不受潮气的损害。同时，在银膜和氧化硅保护膜之间镀一层三氧化二硅膜作为外衬层，能提高银膜和氧化硅保护膜之间的附着力，提高银膜的稳定性。
银膜氧化硅保护膜附着力本实用新型反射镜滤光片内衬层外衬层玻璃镍铬铁合金玻璃表面镀氧化硅保护膜潮气硅膜损害

[发明专利]一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜-CN202111112137.2在审
发明人：郭铜安 -专利权人：深圳市玮柔光电科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜，包括：导电薄膜本体和基材，所述导电薄膜本体包括底膜层、银膜层和保护层，所述银膜层设置在所述底膜层上，所述保护层设置在所述银膜层上。本发明提供了一种抗氧化的低方阻透明导电薄膜，该抗氧化的低方阻透明导电薄膜包括导电薄膜本体和基材，该导电薄膜本体采用复合膜层结构，包括底膜层、银膜层和保护层，银膜层通过粘胶层固定在底膜层上，保护层通过粘胶层固定在银膜层上，通过上述银膜层和保护层的设计，使得该导电薄膜本体具有低方阻高透明度、不龟裂、抗手印氧化、耐候性能好等优点。
一种氧化低方阻透明导电薄膜

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020392450.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括Nb膜层和GaNb膜层，Nb膜层和GaNb膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间或银膜层与电介质膜层之间；或Nb膜层和GaNb膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时Nb膜层和/或GaNb膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间本实用新型可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020393131.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，膜层组件还包括BiMg膜层和AgZr膜层，BiMg膜层和AgZr膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间或银膜层与电介质膜层之间；或BiMg膜层和AgZr膜层层叠在银膜层与牺牲膜层之间，同时BiMg膜层和/或AgZr膜层层叠在银膜层与电介质膜层之间。本实用新型可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[发明专利]一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法-CN201410237615.6有效
发明人：张永爱;郭太良;周雄图;叶芸;胡利勤;辛琦;林婷;林木飞 -专利权人：福州大学
申请日： 2014-05-31 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化厚膜银浆导电层的制造方法，包含以下步骤1、选取一平板基底，并对平板基底进行清洗；2、在平板基底表面沉积一层过渡层；3、在过渡层表面涂覆一层厚膜银浆浆料，并高温焙烧形成厚膜银浆导电层；4、在厚膜银浆导电层表面沉积一层保护层；5、光刻胶涂覆、曝光、显影和固膜，在保护层表面形成图形化光刻胶；6、刻蚀无光刻胶覆盖的保护层；7、刻蚀无保护层覆盖的厚膜银浆导电层，得到图形化厚膜银浆导电层；8、去除光刻胶，然后刻蚀图形化厚膜银浆导电层表面的保护层；9、对图形化厚膜银浆导电层进行表面处理，形成最终的图形化厚膜银浆导电层。该方法不仅可以提高图形化厚膜银浆导电层的精细度，还能避免因高温加热而导致图形化导电层收缩。
一种图形化厚膜银浆导电制造方法

[发明专利]一种银掺杂铜铟镓硒太阳能电池的制备方法-CN201910583689.8在审
发明人：赵树利 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种银掺杂铜铟镓硒太阳能电池的制备方法包括：在基板上制备背电极层；在所述背电极层表面上制备银膜层；在所述银膜层上制备铜铟镓硒膜层，得到银掺杂铜铟镓硒膜层；在所述银掺杂铜铟镓硒膜层上制备缓冲层；在所述缓冲层上依次制备高阻层和前电极层。与现有技术相比，本技术方案不需要引入新的银膜层制备设备，利用制备背电极的设备制备银预制层，充分利用银在铜铟镓硒沉积生长过程中可以快速扩散的特点，实现银掺杂铜铟镓硒的制备，简化了银掺杂铜铟镓硒薄膜的制备过程
一种掺杂铜铟镓硒太阳能电池制备方法

[实用新型]玫瑰金色铜银低辐射镀膜玻璃-CN201520616669.3有效
发明人：董清世;周枫;蔡法清 -专利权人：信义节能玻璃（芜湖）有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及玻璃技术领域，具体公开了一种玫瑰金色铜银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板和功能膜层；所述功能膜层包括从所述玻璃基板的一表面向外依次层叠结合的第一电介质膜层、铜膜层、第一保护膜层、第二电介质膜层、银膜层、第二保护膜层和第三电介质膜层。通过采用一铜一银替代双银膜层，降低了银膜层氧化的几率，提高产品的抗氧化性能和耐磨性，且两层保护膜层的结构，也可以有效防止银膜层在生产和使用过程中发生氧化；同时，铜替代银，也可以降低生产成本。
玫瑰金色铜银低辐射镀膜玻璃

[发明专利]银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件-CN201910907055.3在审
发明人：孟祥浩;李奇琳;甘堃;陈超云 -专利权人：深圳市善柔科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明属于导电材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法和触控器件。所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能
银纳米线膜层基板导电薄膜干膜层光阻耐弯折性能边框层叠设置导电材料膜层表面曝光显影保护层酸刻蚀图案化无边框走线层折叠触控刻蚀脱模显影制备背面

[实用新型]银纳米线导电薄膜和触控器件-CN201921600023.0有效
发明人：孟祥浩;李奇琳;甘堃;陈超云 -专利权人：深圳市善柔科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型属于导电材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜和触控器件。所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能
纳米导电薄膜器件

[实用新型]一种镭射标签-CN201020666096.2有效
发明人：周宗正 -专利权人：上海正伟印刷有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镭射标签，包括基材层，银膜层，彩色图文层和UV光油层，在所述基材上烫印有所述银膜层，所述银膜层为普通银膜，在所述银膜层上印刷有一层彩色图文层，在所述彩色图文层上涂布有一层UV光油层。本实用新型通过使用总成本只有有色镭射膜1/4-1/3的普通银膜加可以重复利用的透明镭射压纹膜代替有色镭射膜，获得了一种与使用有色镭射膜同样技术效果的镭射标签，并大大降低了有色镭射标签的成本。
一种镭射标签

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