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[发明专利]一种提高锑化铟切割晶片成品合格率的方法-CN201811444473.5有效
发明人：叶薇;陈建才;李忠良;刘世能;何雯瑾;太云见;赵鹏;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高锑化铟切割晶片成品合格率的方法，属于光电材料技术领域。所述方法通过在多丝切割机的机座放置需要切割的锑化铟晶锭，将锑化铟晶锭四周用挡板完全围挡住，仅在上方开口，从开口处加入粘胶，至粘胶充满锑化铟晶锭与挡板之间的缝隙且粘胶上表面与锑化铟晶锭高度相等为止，锑化铟晶锭表面被粘胶全覆盖，放置至粘胶完全固化，锑化铟晶锭固定在多丝切割机的机座上；用多丝切割机直径为0.08mm～0.16mm的钢丝以4mm/h～5mm/h的切割速度对锑化铟晶锭进行切割；将锑化铟晶锭和机座一起放入盛有冷水的容器中，加热至粘胶软化，将切割好的锑化铟晶片从机座上取出。
一种提高锑化铟切割晶片成品合格率方法

[发明专利]磷化铟晶锭切割（100）晶片的方法-CN201710049008.0有效
发明人：赵有文;段满龙 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法，该方法将磷化铟晶锭粘在切割机三维样品台上，选取参考面；后假定所得磷化铟单晶锭端面晶面指数为(311)，计算晶面(111)与(311)夹角，调整样品台角度；切取样品，用X射线定向仪测样品晶向；若是(111)晶面衍射峰，根据夹角，调整样品台得到(100)端面；若不是(111)晶面衍射峰，用腐蚀位错的方法，调整样品台角度，最终得到(100)端面。本发明将三维样品台和X射线定向仪及磷化铟晶片位错腐蚀技术结合，切割准确度高，简单易用，效率高，适用面广，可以测定并找出由垂直温度梯度凝固技术VGF法生长得到的任意晶向的磷化铟单晶的(100)晶面。
磷化铟晶锭切割 100 晶片方法

[发明专利]形成具有经改善的电阻率控制的单晶硅晶锭的方法-CN201780080972.8有效
发明人： P·达葛卢;E·吉特林;R·斯坦德利;李衡敏;张楠;柳在佑;S·巴萨克;R·J·菲利普斯 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开形成具有经改善的电阻率控制的单晶硅晶锭的方法，并且尤其为涉及镓或铟掺杂的方法。在一些实施例中，所述晶锭的特征在于相对较高的电阻率。
形成具有改善电阻率控制单晶硅方法

[发明专利]化合物半导体层的制作方法及使用该半导体层的太阳能电池及其制作方法-CN200610026916.X无效
发明人：黄素梅;孙卓;黄士勇;朱红兵;李晓冬;陈奕卫 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuInSe₂ (CIS)化合物半导体层制作方法：将一定量的高纯铜、铟和硒颗粒充分混匀；装入石英坩埚，并放入石英气氛炉中，通入Ar气；升温至金属颗粒熔化后退火；冷却至室温，制得铜铟硒晶锭；再放入石英气氛炉二次熔化、结晶成锭；将晶锭剥离并敲碎；其碎片和基片放入石英管中进行液相生长；钼、铜薄膜用磁控溅射法制备；升温至晶锭碎片熔化，再将石英管顺时针转90度，使熔融液浸湿衬底；所制备的α－CIS薄膜具有结构缺陷低的优点，改善了太阳能电池贵金属铜、铟、硒材料的利用率。
化合物半导体制作方法使用太阳能电池及其

[发明专利]降低拉晶过程中坩埚的腐蚀速率的方法-CN201680038647.0在审
发明人： J·陈;T·N·斯瓦米纳坦 -专利权人：各星有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开了涉及降低坩埚接触点处的腐蚀速率的在拉晶机中的硅锭生产。方法包括将选自铟、镓、铊、砷、锑的掺杂剂引入硅熔体以改变所述熔体的氧蒸发状况；和从所述掺杂熔体中拉出硅锭，在拉出硅锭的同时，气氛在至少大约5kPa的压力下。
降低过程坩埚腐蚀速率方法

[实用新型]一种VGF磷化铟单晶锭脱锅的装置-CN201721639394.0有效
发明人：朱建华 -专利权人：广东天鼎思科新材料有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种VGF磷化铟单晶锭脱锅的装置，包括压力容器、上盖、支架、栅型硅胶垫以及PBN坩埚硅胶套；压力容器为上端开口的结构，其侧壁设有蒸汽输入口，蒸汽输入口上设有蒸汽阀，其底部设有排水口，排水口上设有排水阀本实用新型利用饱和水蒸汽紊乱热运动水分子充分冲刷洗涤磷化铟单晶锭与PBN坩埚的周圈间隙及晶锭尾部的氧化硼层，快速溶解氧化硼形成溶于水的硼酸，最终使磷化铟单晶锭与PBN坩埚分离而脱锅。
压力容器磷化铟单晶锭硅胶垫栅型本实用新型蒸汽输入口硅胶套可拆卸排水口上盖支架硼酸饱和水蒸汽快速溶解密闭空间上端开口氧化硼层支架设置周圈间隙排水阀氧化硼运动水蒸汽阀侧壁晶锭冲刷紊乱洗涤

[发明专利]一种具有梯度电阻的CZT晶锭生产方法-CN202210527345.7有效
发明人：庞昊;谢雨凌 -专利权人：合肥天曜新材料科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及晶锭生产技术领域，特别涉及一种具有梯度电阻的CZT晶锭生产方法，通过间隔一定的距离设置激光器加热或者环形加热器，使得晶体形成不同的温度区，激光器加热或者环形加热器作用到的区域温度高，铟的掺杂浓度也较其他区域高，从而电阻也高，从而形成…高阻‑低阻‑高阻…型的晶锭结构，可以将晶锭按照需要切割成所需尺寸的晶片，两侧是高阻区域，中间是低阻区域，形成一个三明治结构，电极位于两个或一个高阻区外侧，这种结构可以保证低漏电流的同时
一种具有梯度电阻 czt 生产方法

[发明专利]一种从含铟物料中提取超高纯铟的方法及系统-CN202310265223.X在审
发明人：卢鹏荐;曾小龙;张林;范晨光;李鹏武;袁珊珊;薛丹 -专利权人：武汉拓材科技有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种从含铟物料中提取超高纯铟的方法，包括以下步骤：S1，将块状含铟物料破碎过筛；S2，将破碎后的含铟物料在酸溶液中浸出；S3，将酸浸液与锌片发生置换得到粗铟；S4，将粗铟进行真空蒸馏，除去粗铟中的低沸点杂质；S5，将真空蒸馏后的粗铟进行真空反蒸馏，除去粗铟中的高沸点杂质，得到4N精铟；S6，将精铟进行一次电解，得到铟锭；S7，将铟锭再次进行真空蒸馏，进一步除去铟锭中的低沸点杂质；S8，将真空蒸馏后的铟锭进行真空反蒸馏，进一步除去铟锭中的高沸点杂质；S9，将真空反蒸馏后的铟锭进行二次电解，得到6N及以上的超高纯铟。
一种物料提取高纯方法系统

[发明专利]GaAs晶锭及GaAs晶锭的制造方法、以及GaAs晶圆-CN202180041861.2在审
发明人：砂地直也;鸟羽隆一;赤石晃 -专利权人：同和电子科技有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：提供一种GaAs晶锭，其通过与Si一起添加少量的In，可得到载流子浓度为5.5×1017cm‑3以下、并且平均位错密度为500个/cm2以下的低位错密度的GaAs晶圆。[解决方案]一种GaAs晶锭，GaAs晶锭的直体部的种晶侧和中央部各自具有2.0×1017cm‑3以上且低于1.5×10Sup>17cm‑3以上且低于6.5×1018cm‑3的铟浓度
gaas 制造方法以及晶圆

[发明专利]一种铟锭真空除铊的方法-CN202110629227.2在审
发明人：张文涛;肖红军;刘鸿飞;姚雁斌 -专利权人：先导薄膜材料有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟锭真空除铊的方法，属于冶金领域。本发明所述铟锭真空除铊的方法将铟锭直接在真空中进行高温物理除铊，相比于传统氯化铵除铊法，无需进行化学反应，不仅可避免产生污染物或烟尘等有害物质，实现真正的除杂零排放；同时也无需后续进行渣料处理，减少操作步骤，除铊效率明显提高，且所得铟锭产品纯度较高。
一种真空方法

[发明专利]一种高纯铟脱氧方法-CN202211674408.8在审
发明人：赵科湘;文劼 -专利权人：株洲科能新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯铟脱氧方法，该方法是将5N级以上析出铟加入熔铟罐中并加入丙三醇浸没析出铟，再加热熔铟罐使析出铟完全熔化成铟液，将铟液充分搅拌使铟氧化物上浮至铟液表面，再将铟液从熔铟罐底部的出料口利用导管引出，导管另一端置于装有丙三醇的模具的丙三醇液面以下，铟液转移至模具中铸成铟锭，所得铟锭依次采用酸液洗涤、超纯水洗涤和干燥，该方法在高纯析出铟片熔融加工过程中可以避免其与空气大量接触而氧化，同时能够将已生成的铟氧化物转移到高纯铟锭表面，从而易于被清洗去除，很好地解决了电解铟片易氧化及铟氧化物难脱除的技术问题。
一种高纯脱氧方法

[实用新型]一种高纯铟的自动铸锭装置-CN200920318737.2无效
发明人：赵科湘 -专利权人：株洲科能新材料有限责任公司
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： B22D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高纯铟的自动铸锭装置。该自动铸锭装置有旋转装置，旋转装置内有与压缩空气装置连接的两块活动夹板并限位在电机轴上，两块活动夹板之间有铟锭模具，该铟锭模具的上部与漏斗连接，底部与电机连接；旋转装置上有控制面板，控制面板上有气压调整开关以及与电机连接的转速调整开关和定时器自动铸锭时：开启压缩空气，使气压稳定；在旋转装置的活动夹板上放置铟锭模具，压缩空气将活动夹板夹紧模具，开启电机旋转；将加热熔化的精铟通过漏斗倒入模具中，冷却后取出，即形成高纯度高标准铟锭。本装置设备加工简单，生产效率高，劳动强度低，且铟锭的表面平整，无气孔，纯度好，生产过程中无污染，无染物排放，改善生产环境。
一种高纯自动铸锭装置

[发明专利]一种磷化铟晶片加工方法-CN201910650836.9有效
发明人：索开南;杨洪星;韩焕鹏;张伟才;庞炳远;徐聪;王雄龙;杨静;陈晨 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在方向制作小参考面；3、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割采用该方法进行直径不均匀的InP单晶晶片加工，可以有效降低加工损耗，挽救问题单晶片，提高有效出片面积，对于LEC法拉制的InP单晶，采用该方法加工每棵晶锭的有效出片面积能够提高20%以上，特殊情况能达到
一种磷化晶片加工方法

[发明专利]铟浇铸的水冷装置及方法-CN202010716965.6在审
发明人：张文涛;陈应红;刘留 -专利权人：广东先导稀贵金属材料有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B22D7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟浇铸的水冷装置，该水冷装置包括高位槽、低位槽、若干冷却盘、若干冷却水收集槽，高位槽设置有一冷却水进水口，铟于冷却盘内浇铸并冷却，冷却水收集槽与冷却盘一一对应且位于冷却盘下方，高位槽利用重力或离心泵将低温冷却水通过管道输送到每一冷却盘中本发明采用自动循环水冷的方式进行铟锭的浇铸，铟锭能够快速冷却，相较于现有技术自然冷却的冷却方式，在提高生产效率的同时，保证了铟锭的纯度，且脱模后的铟锭外观平整，无孔洞、缩孔、裂纹等不良现象。
浇铸水冷装置方法

[发明专利]一种多模定量铟锭自动浇铸系统-CN201010208633.3无效
发明人：严宏志;周正军;叶柏瑞;彭曙光;吴凯;王荣辉;杨兵;何明生 -专利权人：株洲冶炼集团股份有限公司;中南大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B22D39/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多模定量铟锭自动浇铸系统，在底座(4)上设有支座(3)，浇注主体(1)安装在所述的支座(3)上且所述的浇注主体(1)连接有浇注驱动装置，在所述的浇注主体(1)上设有多个铟熔体定量槽(10)，每个所述的多个铟熔体定量槽(10)内设有调节棒(2)，在所述的浇注主体(1)上设有加热装置，翻模底座(12)上安装有与翻模驱动装置传动连接的旋转轴(18)，在所述的旋转轴(18)上设有与所述的浇注主体(1)的多个铟熔体定量槽(10)对应接收的多锭铸模(14)，在所述的多锭铸模(14)下装有冷却槽(13)。本发明是一种能提高生产效益和产品品质、降低劳动强度、保护工人健康的多模定量铟锭自动浇铸系统。
一种定量自动浇铸系统

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