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[实用新型]一种金属线栅宽带偏振器-CN200720088544.3无效
发明人：杨振宇;陆培祥;戴能利;杨光;李玉华;龙华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2007-11-26 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种金属线栅偏振器，属于光学器件，目的在于具有高偏振光消光比和光通量，结构简单，工作波长范围宽。本实用新型的偏振器，在基板上沉积金属铝纳米线栅，基板为在紫外到红外波段均透明的光学材料；金属铝纳米线栅结构参数为：线栅周期长度40-80纳米，线栅占空比60％-40％，线栅厚度40-80纳米，层间距10
一种金属线宽带偏振

[实用新型]一种背面钝化双面太阳能电池背激光开槽结构-CN202021161681.7有效
发明人：杨联赞;时宝;顾生刚;李吉;刘海金;江中强;赵小平;高丽丽;刘浩东;周建科 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背面钝化双面太阳能电池背激光开槽结构，包括若干条并列分布在电池背面上的激光开槽，每条激光开槽为被同一条铝栅线覆盖的双线开槽。本实用新型在不考虑铝空洞的情况下，在任一铝栅线下设计两条开槽，两条开槽的光斑呈错位方式分布，可有效减小相邻光斑间电流传输的距离，减小横向电阻带来的电流损失；而在考虑铝空洞的情况下，在任一铝栅线下增设一条开槽有效增加了电流传输的路线
一种背面钝化双面太阳能电池激光开槽结构

[发明专利]太阳能电池的金属化方法、太阳能电池-CN202380007906.3在审
发明人：邢明军;刘小丽;李德林 -专利权人：深圳市首骋新材料科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：其太阳能电池的金属化方法，包括如下步骤：用第一导电浆料在电池正面上形成细栅第一层，第一导电浆料含有铝；用第二导电浆料在细栅第一层表面形成细栅第二层，第二导电浆料含有银，不含有铝；对细栅第一层和细栅第二层进行烧结处理，得到细栅。通过不包含铝粉的第二导电浆料配合第一导电浆料形成细栅图案，因为不含铝粉，浆料整体银含量高，进而能够降低体电阻。对细栅第一层和细栅第二层进行烧结处理实现金属化欧姆接触，得到细栅。
太阳能电池金属化方法

[发明专利]晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN202210398540.4在审
发明人：张珂豪;黄伟川;刘熹;刘旭;陈磊;叶约翰;林军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于改善因半导体器件尺寸减小，所带来的晶体管的栅结构中各个膜层厚度受限的问题。晶体管包括鳍、栅介质层、栅金属层、源极和漏极。鳍包括源极区、漏极区，以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。栅介质层跨设在沟道区上。栅介质层含有铝原子，且铝原子靠近栅介质层远离沟道区的表面。栅金属层位于栅介质层上。源极位于源极区上，漏极位于漏极区上。上述晶体管应用于半导体器件中，以提高半导体器件的性能。
晶体管及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202211266942.5在审
发明人：刘杰;李孟泽;黄汇钦 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管。P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及钝化层；钝化层中设置有与铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及P型栅结构；其中，P型栅结构包括栅极和N个互不接触的P型氮化镓结构；栅极设置在钝化层中远离铝镓氮势垒层的一侧，N个P型氮化镓结构沿钝化层与铝镓氮势垒层的接触面依次排列，且N个P型氮化镓结构均嵌入在栅极中，不同的P型氮化镓结构的掺杂浓度均不相同。本方案不仅可以提高P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的阈值电压，而且不会导致P型栅氮化镓高电子迁移率晶体管的开关速度降低以及开关损耗增大。
一种氮化电子迁移率晶体管

[实用新型]P型PERC双面太阳能电池、组件和系统-CN201720203947.1有效
发明人：方结彬;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC双面太阳能电池，包括背银主栅、铝栅线、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极；所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型发射极、正面氮化硅膜和正银电极从下至上依次层叠连接；所述背面氮化硅膜和背面氧化铝膜经过激光开槽后形成30‑500个平行设置的激光开槽区，每个激光开槽区内设置至少1组激光开槽单元，激光开槽区与铝栅线同向，铝栅线通过激光开槽区与P型硅相连；所述铝栅线与背银主栅以一定的倾斜角相交
perc 双面太阳能电池组件系统

[实用新型]一种背钝化太阳能电池-CN201220406898.9有效
发明人：秦应雄;巨小宝;豆维江;燕林豹;张岩;李大伟;胡智星 -专利权人：西安黄河光伏科技股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种背钝化太阳能电池，包括正面电极主栅、正面电极细栅、正面减反膜、带PN结的P型硅片、铝背场和焊接导线的背面电极，在硅片背面与铝背场之间增加了背面钝化层，背面钝化层的局部位置通过银、银铝或铝实现硅片背面与铝背场的导通本实用新型减少了硅和铝金属之间的接触界面复合速率，提高电池的电学性能，从而大大提高电池的转换效率，电池转换效率可以提高0.4~1.0%。
一种钝化太阳能电池

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件-CN202210761068.6在审
发明人：金井升;廖光明;张临安;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池单元及其制备方法和光伏组件，制备方法包括如下步骤：提供半导体基片；在半导体基片上采用主栅线浆料进行金属化处理形成主栅线；在半导体基片上采用副栅线浆料进行金属化处理形成副栅线；其中，主栅线浆料包括银浆，副栅线浆料包括铝浆；主栅线和副栅线具有印刷重叠部；主栅线和副栅线中的至少一种与半导体基片形成欧姆接触；采用激光对印刷重叠部进行激光热处理，使印刷重叠部的主栅线浆料和副栅线浆料混合，以形成与半导体基片形成欧姆接触的银铝浆混合栅线。采用本申请的制备方法制备的太阳能电池单元能解决现有太阳能电池的金属化栅线结构成本高的问题。
一种太阳能电池及其制备方法组件

[实用新型]一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池-CN201721034247.0有效
发明人：许佳平;郑霈霆;金浩;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有背面银栅线的双面PERC太阳电池，包括P型基底，所述P型基底的背面依次设置有铝背场、钝化膜和保护层，且开设有贯穿所述钝化膜和所述保护层的条状区域，所述条状区域内覆盖有银栅线，所述银栅线通过所述铝背场连接至所述上述具有背面银栅线的双面PERC太阳电池，能够在降低背面电阻，提高双面PERC电池的填充因子的同时，减小背面栅线的宽度，降低背面的遮光面积。
银栅线背面基底条状区域保护层钝化膜铝背场背面栅线填充因子依次设置电阻减小遮光电池贯穿覆盖申请

[实用新型]双铝铝栅或非门-CN202221695332.2有效
发明人：张薇;朱恒宇;邢康伟 -专利权人：北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开一种双铝铝栅或非门。在一具体实施方式中，该双铝铝栅或非门包括：第一金属层、第二金属层以及绝缘层，第一金属层中的第一子部将第一P型晶体管的栅极与第一N型晶体管的栅极电连接，第二子部将第二P型晶体管的栅极与第二N型晶体管的栅极电连接
双铝铝栅非门

[发明专利]一种氮化镓HEMT结构低欧姆接触结构的制备方法-CN201811385449.9在审
发明人：王东;陈兴;吴勇;张进成;何滇;伍旭东;檀生辉;卫祥;张金生;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓HEMT结构低欧姆接触结构的制作方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，其中漏电极和源电极分居栅电极的两端，栅电极与铝镓氮势垒层之间还设有介质层，在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，本发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN基HEMT器件应用。
铝镓氮势垒层栅电极氮化镓HEMT 欧姆接触氮化镓沟道层介质层漏电极源电极低温氮化镓成核层二维电子气沟道微电子技术领域氮化镓缓冲层制造工艺衬底制备制作应用

[实用新型]一种提高铝栅工艺击穿电压的结构-CN201621371032.3有效
发明人：曹进伟;陈孟邦;乔世成;蔡荣怀;黄国华 -专利权人：宗仁科技(平潭)有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体集成电路制造工艺技术领域，提供了一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结，所述PN结包括P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离。由此通过将PN结中的P型半导体和N型半导体进行隔离，实现了提高铝栅工艺击穿电压的效果，得到的击穿电压可达20V以上，解决了现有的铝栅工艺技术存在着击穿电压难以达到十几伏的问题。
一种提高工艺击穿电压结构

[发明专利]高压P型MOS管及其制备方法-CN02112705.0无效
发明人：吴建辉;陆生礼;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2002-03-01 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：高压P型MOS、管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有P型漂移区和P管源区及漏区，在P管漏区的周围设有场区，在场区上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧，在栅氧上设有多晶硅栅，在P管源区、漏区及多晶硅栅设有铝引线，在深N型阱上的位于栅氧左端的位置设有P型阱区，栅氧为厚栅氧。制备方法：先在P型衬底上制备深N型阱，在深N型阱内制备P型漂移区和P型阱区，在场区上制备场氧，在自P型阱至场氧的区域制备厚栅氧，然后在厚栅氧上制备多晶硅栅，制备管源区和漏区，最后进行蒸铝，反刻铝引线。
高压 mos 及其制备方法

[发明专利]一种双面PERC电池背面丝网印刷对位的方法-CN202010506296.X在审
发明人：李娟;林纲正;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面PERC电池背面对位的方法，包括在硅片上预备印刷铝栅的位置上设置激光开槽线形成激光开槽区；在预备印刷背电极的位置上设置激光mark点，激光mark点为三个，均处于所述激光开槽区的外围，三个激光mark点连线构成三角形，三角形中心和硅片中心相重合；利用激光mark点分别定位铝栅和背电极，使后续印刷的铝栅覆盖于激光开槽区上，并与之后印刷的背电极连接。本发明可实现丝网印刷精准对位，解决了背电极与铝栅连接处脱离的问题，提高电池性能；由于本发明采用三个激光mark点，与现有采用四个激光mark点相比，减少了工艺时间，提高了生产效率。
一种双面 perc 电池背面丝网印刷对位方法

[发明专利]一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法-CN201910836167.4有效
发明人：蔡宇韬;王洋;刘雯;赵策洲 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法，该氮化镓晶体管包括硅衬底；依次设于衬底上的氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层；与铝镓氮势垒层相接触的源极和漏极；设于铝镓氮势垒层上除源极漏极以外区域的钝化层；刻蚀掉栅下的钝化层和部分栅下铝镓氮势垒层后形成凹槽结构的栅极。栅极第一层为p型氧化钛，第二层为金属层，p型氧化钛作为栅介质，使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气，实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构，同时具有较低的漏电和较高的击穿电压。
一种实现通电增强氮化晶体管方法