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- [发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池-CN201610237968.5在审
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董友强
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董友强
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2016-04-14
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2016-08-17
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H01L31/0224
- 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池,自下至上依次包括:衬底、背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、i‑ZnO层、透明窗口层、减反射层和栅线电极,衬底位于背电极一面、背电极两面、铜铟镓硒吸收层与背电极接触面的粗糙面相同,铜铟镓硒吸收层另一面均方根粗糙度<20nm,铜铟镓硒吸收层的最厚厚度≤1μm,缓冲层包括第一Zn(O,S)缓冲层和第二ZnO缓冲层,透明窗口层包括第一石墨烯层、纳米金属层以及第二石墨烯层,减反射层包括第一二氧化硅层本发明在粗糙面背电极上制成≤1μm厚铜铟镓硒薄膜,铜铟镓硒薄膜另一面均方根粗糙度<20nm,增加了光在吸收层中所经过的有效光程,在不损失太阳光的利用率的基础上,大幅较少了稀有金属资源的利用,既实现了对太阳光的有效利用
- 一种铜铟镓硒薄膜太阳电池
- [发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的制造工艺-CN201310119027.8无效
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徐从康
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无锡舒玛天科新能源技术有限公司
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2013-04-08
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2013-07-10
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C23C14/30
- 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜的制造工艺,为三步法,包括:在200~400℃条件下,用30~100mA的电流在基底上蒸镀上第一层薄膜,主要成分为铟镓硒和少量的铜,形成贫铜富铟镓区域;在300~600℃的条件下,用80~150mA的电流蒸镀上第二层薄膜,主要成分为铜铟镓硒,形成富铜区域;在300~600℃的条件下,用20~150mA电流的蒸镀上第三层薄膜,主要成分为镓铟硒和少量的铜,再形成一层贫铜区域,以确保薄膜整体贫铜结构本发明为单源三步蒸镀法制备铜铟镓硒太阳能电池。通过使用装有加热基板的电子束蒸发仪和Cu2InxGa1-xSe2粉体作为单源,通过改变电流大小,实现贫铜的高效率薄膜结构。除了贫铜外,该薄膜还具有吸收层内连结构,大尺寸颗粒界面以及梯度结构。这种结构保证了所制备的电池高效率。
- 一种铜铟镓硒薄膜制造工艺
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