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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法-CN201110306669.X有效
发明人：肖旭东;刘壮;杨春雷;王晓峰 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供至少一种能够精确地实现理论设计的能带结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法。这种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层的制备方法通过控制铜、铟、镓和硒四种单质分别在不同的温度下分阶段蒸发，控制镓和铟的蒸发温度在一定时间内均匀改变，从而主动控制镓和铟的蒸发量使得所述光吸收层两侧镓含量略高中间镓含量略低
铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收制备方法

[发明专利]一种含有铜铟镓硒的物料的回收方法-CN201810629756.0在审
发明人：刘凯华;李胜春;潘勇进;谭明亮;孙刚 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有铜铟镓硒的物料的回收方法，所述方法包括如下步骤：使用酸液加压氧化浸出含有铜铟镓硒的物料，得到第一浸出液和第一浸出渣；将浸出渣经过真空蒸馏处理，得到硒。所述方法能得到纯度大于99.99％高纯硒，且该方法通过水解、调节pH和真空蒸馏等简单的操作即可回收得到高纯度的氢氧化镓和高纯度的铟；进一步可通过蒸发结晶的方式即可得到纯度大于98.5％的硫酸铜晶体，整体工艺流程中不采取萃取，电解等复杂工艺，铜铟镓硒的回收率和纯度均较高，较为容易实现。
铜铟镓硒真空蒸馏高纯度浸出渣回收硫酸铜晶体复杂工艺加压氧化氢氧化镓蒸发结晶工艺流程高纯硒浸出液浸出水解酸液萃取电解回收率

[发明专利]PN接面及其制备方法及用途-CN201910266450.8在审
发明人：高亮;张准;林于庭 -专利权人：圣晖莱南京能源科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：所述的PN接面包含P型铜铟镓硒半导体薄膜层及N型铜铟镓硒半导体薄膜层，所述的N型铜铟镓硒半导体薄膜层由铜铟镓硒等元素构成，其中铜相较于铟的莫耳数比在1.1至1.5的范围内且具有化学式Cu(In硒化处理且可将所述的PN接面制作于可挠性基板上。
pn 及其制备方法用途

[发明专利]一种CIGS薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201611145360.6在审
发明人：郭凯;于涛;张传升;宋斌斌;左宁;李新连;赵树利;陈颉 -专利权人：神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及CIGS薄膜太阳能电池领域，公开了一种CIGS薄膜太阳能电池制备方法，该电池包括依次层叠的衬底、金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层、窗口层，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层材料的导带底高0.001制备CIGS薄膜太阳能电池的方法包括：在衬底上依次层叠形成金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层、窗口层，其中，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层的导带底高0.001‑0.1eV。
铜铟镓硒薄膜导带缓冲层制备金属背电极依次层叠窗口层衬底缓冲层材料高透过率无毒电池

[发明专利]一种铜铟镓硒纳米颗粒制作方法-CN200910223958.6无效
发明人：杨益郎 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒纳米颗粒制作方法，主要是利用湿式砂磨法，包括个别研磨处理、混合均质处理、初级研磨处理及进阶研磨处理，其中个别研磨处理将含有铜、铟、镓及/或硒的个别颗粒或化合物颗粒研磨成500纳米至600纳米的个别研磨物，混合均质处理将所有个别研磨物混合成混合均质物，初级研磨处理将混合均质物研磨成100纳米至200纳米的初级研磨物，进阶研磨处理将初级研磨物研磨成50纳米以下的进阶研磨物，当作用以制作铜铟镓硒太阳能电池的吸收层的铜铟镓硒纳米颗粒
一种铜铟镓硒纳米颗粒制作方法

[发明专利]一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件及其制备方法-CN201310241044.9无效
发明人：刘玮;李志国;孙云;周志强;张毅 -专利权人：南开大学
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件，由柔性基板、双层Mo金属背电极、铜铟镓硒薄膜吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO薄膜阻挡层和透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层组成并依次形成叠层结构，其制备过程中在不同层面分别划出三条刻槽本发明的优点是：适合卷对卷工艺规模化制备大面积柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件，满足实际应用中对光伏组件电压和电流的要求，实现了柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的内部串联，组件具有不短路有效面积大，同时提高生产效率
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件及其制备方法

[实用新型]太阳能光伏电池板-CN201420655126.8有效
发明人：崔梅杰 -专利权人：中辰未来（北京）科技发展有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能光伏电池板，它分为上下两层，其中上层为钙钛矿层，所述钙钛矿层由上透明导电层、钙钛矿吸收层、下透明导电层组成；下层为铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层由氧化锌掺铝导电层、氧化锌层、硫化镉薄膜层、铜铟镓硒吸收层、钼导电层、钠钙玻璃基层组成，能加宽光谱的吸收，使穿过上层薄膜钙钛矿层而未被吸收的光子，能在下层薄膜铜铟镓硒继续被吸收，转换率能超过30%，并具有高转换率功能，适合批量生产。
太阳能电池板

[发明专利]一种新技术制备缓冲层以提高铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率-CN201510391523.8在审
发明人：刘德昂;谢承智;钱磊 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池由于其诸多优点，成为最有发展潜力的太阳能电池技术。在CIGS制备过程中，常常使用化学水浴法来制备硫化镉(CdS)作为缓冲层，本发明提出一种新的技术在使用化学水浴法制备缓冲层的过程中可以提高铜铟镓硒太阳能电池器件的光电转换效率。超声处理可以促进金属离子到铜铟镓硒吸收层的掺杂，在铜铟镓硒吸收层的表面形成反型层，减少载流子在界面的复合。另外超声处理还可以减小疏松的硫化镉大颗粒在薄膜表面的沉积，提高缓冲层薄膜的致密性。实验证明，采用本发明中提出的技术制备缓冲层使得铜铟镓硒太阳能电池的光电转换效率得到了提高。
一种新技术制备缓冲提高铜铟镓硒太阳能电池光电转换效率

[发明专利]一种铜铟镓硒基系列靶材的制备方法-CN201711455520.1在审
发明人：文崇斌;朱刘;余芳;胡智向;曾成亮 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒基系列靶材的制备方法，先将物料粉体在特定的压力下进行了冷预压，不仅可以使物料成型，而且不会在热压的时候造成喷粉现象，对于提高铜铟镓硒基系列靶材的致密度有促进作用。同时，物料粉体是在特定的真空度下进行了两次特定温度的升温与特定时间的保温，然后在一定的压力下进行保温加压，保温降压后，降温至特定温度再减压，不仅提高了铜铟镓硒基系列靶材的纯度和致密度，而且有效提高了铜铟镓硒基系列靶材的抗压强度实验结果表明，制备得到的铜铟镓硒基系列靶材的纯度在5N以上，致密度不低于98.0％，杂质含量不超过3.16ppm。
铜铟镓硒靶材制备保温粉体促进作用减压降压喷粉热压预压成型加压

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法-CN201911347125.0在审
发明人：彭寿;殷新建;陈瑛;周显华 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法。所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件包括多个电池块，电池块自下而上依次包括基底、背电极层、铜铟镓硒层、缓冲层、前电极层及金属栅极，金属栅极将多个电池块串接。此外，本发明的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件可以增加电池在各光波段的吸收，降低电池的串联电阻，从而可以增加FF和Voc，有助于提高电池性能，尤其是有助于提高电池的光电转换效率。本发明的铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件还具有电池初始性能佳、长期稳定性好等优点。本发明的制备方法简单，工艺过程易于控制，有利于提高生产良率、降低生产成本。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法

[发明专利]一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110235747.5在审
发明人：宋丹丹;朱成皖;刘武;徐征;赵谡玲;乔泊 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：NIP异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、N型钙钛矿层、I型铜铟镓硒层、P型铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上依次沉积P型铜铟镓硒层和I型铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在所述铜铟镓硒层后，加热获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在
一种 nip 异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]柔性铜铟镓硒/晶硅叠层太阳能电池组件及其制备方法-CN202310264549.0在审
发明人：黄海冰;董仲 -专利权人：屹景（江苏）光能科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性铜铟镓硒/晶硅叠层太阳能电池组件，包括底层晶硅电池，还包括通过中间连接层连接的顶层铜铟镓硒电池，底层晶硅电池在背面设有柔性基底封装层，底层晶硅电池的引线从基底封装层引出，顶层铜铟镓硒电池及中间连接层被刻蚀切割成一个个小面积的叠层电池单元，仅保留柔性基底封装层不被切割；通过刻蚀切割使得每个叠层电池单元的结构为每1个单元的顶层铜铟镓硒电池对应着n个底层晶硅电池，10≥n≥2。本发明的电池结构可以有效地提升柔性叠层电池组件的光电转换效率和发电功率，制备方法可以发挥铜铟镓硒薄膜电池的大面积制备的优势特性，制备工艺简洁，生产成本低，适合于产业化。
柔性铜铟镓硒晶硅叠层太阳能电池组件及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒光伏组件的回收装置-CN202210851503.4在审
发明人：周品;赵景波;周全法;陈小卉;张建平;王玲玲;邸倩倩;赵宁龙;曹海宙 -专利权人：常州工学院;浙江汇金环保科技有限公司;浙江遂昌汇金有色金属有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本发明属于铜铟镓硒光伏组件回收领域，尤其是一种铜铟镓硒光伏组件的回收装置，针对现有的回收装置往往因不能将铜铟镓硒薄膜太阳能板彻底破碎，或者不能全面的对破碎后的碎片进行充分的浸泡，导致铜、铟、镓和硒等元素的回收效率低下的问题现提出如下方案，其包括破碎箱和浸泡箱，所述破碎箱设置于浸泡箱的顶部，破碎箱的顶部设置有进料斗，破碎箱的两侧内壁上均设置有导向板，破碎箱的一侧设置有回收管，破碎箱内设置有破碎机构和筛分机构，本发明可以有效的对铜铟镓硒薄膜太阳能电池材料板进行破碎
一种铜铟镓硒光伏组件回收装置

[发明专利]一种全溶液法制备的高效低成本铜铟镓硒/钙钛矿双结太阳能光电池-CN201410280657.8有效
发明人：钱磊;章婷;杨一行;谢承智;刘德昂;冯宗宝 -专利权人：苏州瑞晟纳米科技有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的基于全溶液法制备的高效双结铜铟镓硒/钙钛矿复合光电池。其包括：金属背电极；铜铟镓硒吸收层；P型缓冲层；窗口层；载流子复合层；空穴传输层；钙钛矿吸收层；电子传输层；透明氧化物电极。铜铟镓硒和钙钛矿作为太阳能光的吸收层，一方面铜铟镓硒的带宽可调加上宽带隙但高转换效率的钙钛矿,可有效覆盖太阳能光谱并且形成高效利用,另一方面铜铟镓硒和钙钛矿都可利用溶液法制备,这样整个叠层器件在获取更高转换效率的同时可以保持低的生产成
一种溶液法制高效低成本铜铟镓硒钙钛矿双结太阳能光电池

[发明专利]无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法-CN201010111497.6无效
发明人：陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的制造方法，特别是一种无粘接剂及活性剂的铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层制造方法：(1)调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份，形成第一和第二混合粉末；(2)在第一混合粉末中添加VIA族元素粉末，成第三混合粉末；(3)将第二和第三混合粉末添加溶剂分别研磨成第一和第二浆料；(4、5)依序将第一浆料、第二浆料涂布在钼层上，形成第一铜铟镓硒和/或硫层和第二铜铟镓硒和/或硫层；(6)软烤形成铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层。
无粘接剂活性剂铜铟镓硒光吸收预制制造方法

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