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[发明专利]一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法-CN202010400032.6有效
发明人：孙德辉;陈玉客;王东周;王孚雷;刘齐鲁;桑元华;刘宏 -专利权人：济南大学;济南量子技术研究院;山东大学
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
一种生长晶格铌酸锂晶体方法

[发明专利]一种铌酸锂超构表面的制备方法-CN202111032740.X在审
发明人：任梦昕;靳春艳;兀伟;曹雷;蔡卫;张心正;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂超构表面的制备方法，通过在铌酸锂基材上沉积金属膜，作为聚焦离子束图形化和干法刻蚀中的掩膜，防止铌酸锂光栅结构顶端椭圆化；通过聚焦离子束图形化金属膜及铌酸锂基材，从而形成图形化的金属膜和图形化的铌酸锂基材，降低了工艺复杂性及工艺难度；通过干法刻蚀对图形化的铌酸锂基材去损，实现去除聚焦离子束图形化铌酸锂基材导致的铌酸锂光栅结构表层污染及非晶化；湿法去除图形化的金属膜，最终得到高光学质量的铌酸锂光栅。
一种铌酸锂超构表面制备方法

[发明专利]一种微型分光元件及其制备方法-CN202111210024.6有效
发明人：张博;王卓;谭德志;邱建荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：包括起偏器、铌酸锂晶体和检偏器；铌酸锂晶体对称的两侧面分别设置有起偏器和检偏器，铌酸锂晶体在靠近检偏器的一侧加工为纳米光栅，且纳米光栅和铌酸锂晶体光轴平行；光源发出垂直于铌酸锂晶体光轴的光线，光线依次透过起偏器、铌酸锂晶体、检偏器后被探测器接收。本发明采用超快激光自组织加工，在铌酸锂晶体中平行于光轴方向制备纳米光栅结构，并利用单轴晶体的色偏振效应，配合小周期纳米光栅的分光能力，对色偏振效应进行增强，最终实现50×50μm内的微区分光。
一种微型分光元件及其制备方法

[发明专利]基于微结构电光波导阵列光学相控阵及其制作方法与应用-CN202310508688.3在审
发明人：吕贤鹏;卢惠辉;关贺元;杨铁锋;田子平;吴姝瑶;彭佳豪;董江莉 -专利权人：暨南大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：这种光束扫描技术自上而下的结构为微结构电极、缓冲层、铌酸锂层或者绝缘体上薄膜铌酸锂平台(LNOI)；上述的微结构电极为周期性矩形打孔电极；所述铌酸锂和缓冲层内包裹有电子束光刻铌酸锂波导；所述电子束光刻波导设置有入射区域、分束区域、调制区域和输出区域共同构成波导区；所述芯片的出射区域设置有超晶格单元；所述超晶格单元为不同间隔分布的铌酸锂波导序列；通过上述技术方案,以实现高速率、大扫描角度的技术效果。
基于微结构电光波导阵列光学相控阵及其制作方法应用

[发明专利]一种铌酸锂薄膜超晶格波导的制备方法及梳状电极-CN202211604389.1在审
发明人：胡小鹏;祝世宁;苏雅雯 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜超晶格波导的制备方法及梳状电极，制备方法包括：刻蚀得到铌酸锂薄膜波导和梳状电极结构；梳状电极的梳指部分呈周期性排列，梳指与铌酸锂z轴垂直，两侧电极的梳指相对，并且一侧电极的梳指为尖指，另一侧电极的梳指为平指；将梳指为尖指的一侧电极上接入电路正极，另一侧电极接地，施加电场，使金属电极覆盖区域的铌酸锂发生畴翻转；去除电极，得到波导区域畴翻转结构，进一步得到铌酸锂薄膜超晶格波导。
一种铌酸锂薄膜晶格波导制备方法电极

[发明专利]基于铌酸锂光子线的光波长分离器-CN201210022287.9无效
发明人：陈明;陈乐建;弟寅;席洁;陆蓉;梁猛;杨祎 -专利权人：西安邮电学院
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂光子线的光波长分离器，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条铌酸锂光波导组成；其中，一条是直的铌酸锂光波导，另一条是具有相同波导宽度和高度的部分直、部分弯曲的铌酸锂光波导，铌酸锂光波导的高度均为适合于该波长分离器的波导参数是：工作波长分别为1.31μm和1.55μm；LN波导的折射率nLN＝2.2；SiO2区域的折射率nSiO2＝1.44；可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。该光波长分离器不仅具在工作波长上透射率高的优点，而且具有与极化无关和超紧凑结构的特点。
基于铌酸锂光子波长分离器

[发明专利]半导体超辐射二极管光源光电探测管复用的光纤陀螺仪-CN201810145548.3在审
发明人：周柯江;冼拓华;吴巍然;卢成杰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体超辐射二极管光源光电探测管复用的光纤陀螺仪，涉及陀螺仪领域。该光纤陀螺仪中，信号处理和控制单元通过控制线与半导体超辐射二极管相连，用于控制半导体超辐射二极管周期性切换成发光状态和光电探测状态，并接收半导体超辐射二极管输出的电信号；半导体超辐射二极管与Y型铌酸锂芯片的输入端之间通过光纤延时线相连；Y型铌酸锂芯片的两个输出端分别连接光纤传感环；信号处理和控制单元与Y型铌酸锂芯片内部的相位调制器相连，用于在相位调制器上加载偏置和反馈信号。
超辐射二极管半导体光纤陀螺仪铌酸锂芯片光源光电探测管相位调制器信号处理复用光能量损失光纤延时线传统光纤发光状态反馈信号光电探测连接光纤传感环分束器控制线输出端输入端陀螺仪陀螺加载偏置输出

[发明专利]铌酸锂半导体结构-CN202111403828.8有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
铌酸锂半导体结构

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的偏振不相关可见光超构透镜-CN202211551248.8在审
发明人：李艳萍;陈章渊;宋瑞祥 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的偏振不相关可见光超构透镜，其特征在于，包括基底层，基底层上为铌酸锂薄膜超构透镜的微结构排布；根据铌酸锂薄膜超构透镜内引起相位突变值差为3π的最外围微结构的径向坐标作为超构透镜的半径，然后根据超构透镜内不同径向坐标下微结构与最外围微结构的相位突变值差，将超构透镜沿径向以π为间隔分为三段，即中心圆段、内环段和外环段；利用超构透镜每段的相位函数对入射光频率做泰勒展开得到每一分段内微结构组需满足的群时延函数
一种基于铌酸锂薄膜偏振不相关可见光透镜

[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法-CN202011438154.0有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。
铌酸锂半导体结构及其制备方法

[发明专利]基于铌酸锂光子线的光极化分裂器-CN201210023243.8无效
发明人：陈明;席洁;弟寅;陈乐建;董军 -专利权人：西安邮电学院
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂光子线的极化分裂器，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条平行的铌酸锂光波导组成，其中，两条平行的铌酸锂光波导的高度均为0.73μm，波导的顶部宽度均为0.5μm；构成该极化分裂器的两条平行的光波导的轴间距适合于该极化分裂器的波导参数是：工作波长为1.55μm；LN波导的折射率nLN＝2.2；SiO2区域的折射率nSiO2＝1.44；可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。该光定向耦合器不仅具有在工作波长上透射率高的优点，而且具有超紧凑结构。
基于铌酸锂光子极化分裂

[发明专利]一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法-CN202310759385.9在审
发明人：贾斌;李真宇;张秀全;卢桂杰;薛海蛟;胡卉 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法，将X切铌酸锂晶圆的Y轴沿着X切铌酸锂晶圆的Z轴轴心旋转α角度后夹在X切铌酸锂晶圆正反面判定装置的上测试探头和下测试探头之间；利用X切铌酸锂晶圆正反面判定装置中的电磁驱动器在X切铌酸锂晶圆上施加低频交变力，X切铌酸锂晶圆产生交变电荷，测量获得X切铌酸锂晶圆的被测输出电压；利用X切铌酸锂晶圆的被测输出电压，计算获得X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数；基于X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数，判定X切铌酸锂晶圆的正反面状态，正反面状态为X切铌酸锂晶圆的+X面朝上或X切铌酸锂晶圆的‑X面朝上，本方法可以成功识别X切铌酸锂晶圆的正反面。
一种切铌酸锂晶圆正反面判定方法

[发明专利]一种铌酸锂衬底及其制造方法-CN201210232239.2有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂衬底的制造方法，采用铌酸锂晶体生长为铌酸锂衬底，在所述铌酸锂晶体生长的过程中掺入光折变元素。本发明还提供一铌酸锂衬底，所述铌酸锂衬底通过生长铌酸锂晶体形成，所述铌酸锂衬底为在所述铌酸锂晶体的生长的过程中掺入光折变元素的衬底，采用所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，降低外延材料中的缺陷密度和LED
一种铌酸锂衬底及其制造方法

[发明专利]一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法-CN202110775577.X有效
发明人：王磊;张秀全;陈峰;胡卉 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/377 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片及其制备方法。所述基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片包括由顶层铌酸锂薄膜，中层二氧化硅、下层硅基衬底组成的复合结构，其特征在于，所述铌酸锂薄膜为双层铌酸锂薄膜结构，双层铌酸锂薄膜中的上层铌酸锂薄膜与下层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，铌酸锂薄膜呈脊波导结构。本发明提供的基于双层铌酸锂薄膜的光子线脊波导倍频芯片具有双层铌酸锂薄膜结构，上下两层铌酸锂薄膜的自发极化方向相反，消除了倍频光的高阶模上下两个旁瓣在模式重叠积分中相互抵消的效应，从而大大提高了模式相位匹配过程的转换效率
一种基于双层铌酸锂薄膜光子波导倍频芯片及其制备方法

[发明专利]一种制备铌酸锂表面图形的方法-CN201110245639.2无效
发明人：郑婉华;齐爱谊;王海玲;渠红伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤，直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明，解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题，达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用，可以用于铌酸锂的刻蚀，获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。
一种制备铌酸锂表面图形方法

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