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[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
发明人：蔡鑫伦;张仙 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合；III‑V有源波导层上覆盖有N型金属电极和P型金属电极。本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件

[发明专利]一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法-CN201911192741.3有效
发明人：曾嵘;庄池杰;马昕雨;沈瞿欢;王华磊;吴长春 -专利权人：清华大学;天通瑞宏科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂薄膜表面制作光学微纳图形的方法，属于微纳加工技术领域，包括：制作电子束曝光所需版图；对铌酸锂衬底进行清洗、烘干；在铌酸锂衬底上溅射金属导电层；在铌酸锂衬底上旋涂电子束胶；将铌酸锂衬底进行第一次电子束曝光制作标记；显影和定影；在铌酸锂衬底上磁控溅射金属制作金属标记；去胶剥离金属掩蔽的图形，制成带有金属突起标记的铌酸锂片；在铌酸锂片上旋涂电子束胶；将铌酸锂片进行第二次电子束曝光制作图形；显影和定影；进行图形转移，通过本发明所述方法，可在不导电的铌酸锂材料上制作侧壁陡直的图形，且可制作尺寸900nm以下的微纳图形，所制作的光波导折射率对比度大，可减小光器件尺寸，提高光器件性能。
一种铌酸锂薄膜表面制作光学图形方法

[发明专利]一种铌酸锂晶体薄片生产工艺-CN201910665283.4在审
发明人：俞平 -专利权人：浙江新泰通讯科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测，本发明工艺合理，按照工艺依次对铌酸锂晶片进行加工，使铌酸锂晶片能够根据客户需求生产出特定的铌酸锂晶片，使铌酸锂晶片的制作更加方便。
铌酸锂晶片镀膜薄片生产工艺铌酸锂晶体光洁度晶片镀膜晶片抛光客户需求抛光处理牢固度铌酸锂抛光检测成形切条切下小块加工大片制作生产

[发明专利]一种基于X切周期极化铌酸锂薄膜的片上纠缠源的设计和制备方法-CN202310097079.3在审
发明人：逯鹤;房晓旭 -专利权人：山东大学深圳研究院
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于X切周期极化铌酸锂薄膜的片上纠缠源的设计和制备方法，包括：(1)在铌酸锂薄膜上制备极化周期不同的第一组电极和第二组电极；(2)分别对第一组电极和第二组电极进行极化；(3)施加电压，使得电极之间的铌酸锂发生畴反转，在畴反转区域直接刻蚀铌酸锂制备铌酸锂波导，得到周期极化铌酸锂波导；(4)通过第一组电极和第二组电极的自发参量下转换过程，产生两组偏振方向垂直的光子对，当铌酸锂波导的长度满足小于泵浦光的相干长度时，从而制备偏振纠缠源本申请提供的片上纠缠源的设计和制备方法，提供了一种稳定的且高集成度的片上偏振纠缠源产生方案，符合高集成度的要求。
一种基于周期极化铌酸锂薄膜纠缠设计制备方法

[发明专利]一种铌酸锂晶圆的减薄方法-CN202010711681.8有效
发明人：何肇阳;赵亚东;罗立辉;钟志明;汪洋;陈楚杰 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法，属于芯片封装技术领域。本发明的铌酸锂晶圆的减薄方法，包括以下步骤：提供一铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；去除第一划片胶膜，在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，磨片胶膜为双层胶膜；对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除磨片胶膜。本发明实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺，避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内，有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质
一种铌酸锂晶圆方法

[发明专利]可实现高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088213.9有效
发明人：华勇;田自君;张征;乔海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种可实现高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的中部设置有柱状的光波导区，光波导区的轴向与铌酸锂晶片的大平面垂直，光波导区贯通铌酸锂晶片；铌酸锂晶片的大平面上光波导区以外的区域，覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片的大平面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。本发明的有益技术效果是提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。
实现偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合；分离临时材料：分离磷化铟外延功能层上的临时载片并去除临时粘合材料。本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

[发明专利]金纳米片/铌酸锂复合材料光诱导直接还原六价铬的方法-CN202010404071.3有效
发明人：刘晓燕;司东辉;贾碧 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C02F1/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种金纳米片/铌酸锂复合材料光诱导直接还原六价铬的方法，包括步骤一、制备金纳米片/铌酸锂复合材料；所述复合材料包括铌酸锂基底，该铌酸锂基底为180°单畴结构，在该铌酸锂基底的+Z面上附着有金纳米片；步骤二、将所述金纳米片/铌酸锂复合材料置于六价铬Cr(Ⅵ)酸盐溶液中，并对其施以紫外光照射，金纳米片/铌酸锂复合材料将铬酸盐溶液中的六价铬Cr(Ⅵ)还原为三价铬Cr(Ⅲ)。采用本发明的显著效果是，在紫外光照射下，铌酸锂基底内被激发出大量自由电子，自由电子在金纳米片的表面聚集，将其表面吸附的六价铬Cr(Ⅵ)还原为三价铬Cr(Ⅲ)，提供了光诱导直接还原毒性六价铬Cr(Ⅵ)的新方式
纳米铌酸锂复合材料光诱导直接还原六价铬方法

[发明专利]一种高效率片上声光偏转器及其制备方法-CN202210228162.5在审
发明人：李朝晖;杨志强 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：本发明涉及片上集成光子学技术领域，更具体地，涉及一种高效率片上声光偏转器及其制备方法。包括设置在氧化硅基片上的铌酸锂‑氮化硅异质结构，铌酸锂‑氮化硅异质结构包括铌酸锂薄膜以及氮化硅形成的多模式耦合器结构。所述铌酸锂薄膜上设置可激发声波的叉指换能器。本发明中利用到了铌酸锂的压电特性和声致光栅衍射效应，集成叉指换能器和光子波导中的多模式耦合器原理，光子经过声波形成的周期性结构产生布拉格衍射最终实现偏转。上述声光偏转器减小了片上声光偏转器的尺寸，增强了声子和光子的相互作用，提高了效率，所用到的铌酸锂和氮化硅材料性质稳定，易于加工，并可实现片上大规模集成。
一种高效率声光偏转及其制备方法

[发明专利]混合集成型片上光频梳及其制备方法-CN202110360256.3有效
发明人：王玲芳;时鑫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合集成型片上光频梳，包括依次相邻的硅基底、二氧化硅衬底和薄膜铌酸锂，薄膜铌酸锂上异质集成一层氮化硅波导；氮化硅波导包括横跨薄膜铌酸锂上表面的氮化硅直波导，以及位于氮化硅直波导一侧的氮化硅微环；氮化硅微环下方的薄膜铌酸锂为圆周极化薄膜铌酸锂。本发明的片上光频梳结合了周期极化铌酸锂与氮化硅波导的优良特性，避免了直接刻蚀铌酸锂的工艺要求，能够利用铌酸锂的高效非线性，简化工艺的同时保证了器件效能；圆周极化薄膜铌酸锂引入的准相位匹配与氮化硅波导的尺寸设计引入的色散波匹配技术相结合
混合集成上光及其制备方法

[发明专利]高偏振消光比的偏振片及其制作方法和测试装置-CN201510088214.3有效
发明人：华勇;田自君;杨千泽;张鑫 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种高偏振消光比的偏振片，所述偏振片的基体采用由铌酸锂晶体切割而成的铌酸锂晶片；所述铌酸锂晶片为片状结构体，铌酸锂晶片的正、反面各设置有一光波导区，两个光波导区的截面尺寸相同、位置正对；所述铌酸锂晶片表面光波导区以外的区域覆盖有阻光膜层；铌酸锂晶片表面与铌酸锂晶体的Y‑Z切向或X‑Z切向平行。本发明的有益技术效果是提供了一种用于替换偏振消光比测试装置中现有偏光棱镜的新的偏振片，使偏振消光比测试装置的测量上限得到提升，改善偏振消光比测试装置的性能。
偏振及其制作方法测试装置

[发明专利]片上铌酸锂薄膜偏振分集器及其制备方法-CN202110427472.5在审
发明人：张磊;杨林;付鑫;杨尚霖;戴进成 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种片上铌酸锂薄膜偏振分集器及其制备方法，片上铌酸锂薄膜偏振分集器包括铌酸锂薄膜，并包括：加载型波导与铌酸锂波导；其中，所述加载型波导包括：用作偏振光的传输端口的第一端口与第二端口；第一加载型波导段，通过第一波导连接段与第一端口连接本发明通过在偏振光入射方向并列设置加载型波导和铌酸锂波导，实现TM模式偏振光与TE模式偏振光不发生耦合；通过对纳米线尺寸参数的设计实现将TM模式偏振光转换为TE模式偏振光，最终消除偏振光的双折射现象，实现片上铌酸锂薄膜偏振分集器的偏振分集功能
片上铌酸锂薄膜偏振分集及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂微环与波导集成器件及其制备方法-CN202010171007.5有效
发明人：程亚;方致伟;王哲;汪旻 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂微环与波导集成器件及其制备方法，利用化学机械抛光技术将两片铌酸锂薄膜基片上的微环和波导分别进行抛光减薄，再将这两片铌酸锂薄膜基片对齐贴合并用胶水固化，进而实现铌酸锂微环与波导集成器件本发明基于化学机械抛光工艺的铌酸锂微环与波导集成器件具有空间形状可任意设计、尺寸可调、稳固集成的特点，在光信号处理、精密测量、非线性光学和量子光学等高科技领域具有很大应用前景。
一种铌酸锂微环波导集成器件及其制备方法

[发明专利]一种片上中红外声光调制器及其制备方法-CN202110523239.7有效
发明人：万磊;温美逊;周文丰;冯天华;杨帅峰 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高效率的片上中红外声光调制器及其制备方法，所述新型高效率的片上中红外声光调制器包括设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层，所述铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的红外硫系光波导，所述红外硫系光波导由单层或者多层不同组分硫系玻璃薄膜材料组成，所述铌酸锂薄膜上设置叉指换能器，所述叉指换能器包括若干叉指电极。本发明综合利用硫系玻璃材料优异的声光特性、红外谱段透明性与铌酸锂薄膜显著的压电效应，集成声表面波换能器与硫系光波导元件，解决了中红外光波损耗与声波损耗之间的平衡问题，进而解决了高频率瑞利声表面波与中红外光波导两者间互相作用的问题
一种片上中红外声光调制器及其制备方法

[发明专利]一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构-CN202111279072.0在审
发明人：钱广;顾晓文;王琛全;孔月婵;姜文海;陈堂胜 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-31 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
一种薄膜铌酸锂光波导 inp 光电探测器集成结构

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