“铌酸钾钠”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果760478个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用-CN201511029173.7有效
发明人：孙晔;王邵琛;唐巍;于淼;杜宝盛;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用，涉及一种铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用。方法：一、镨掺杂铌酸钾钠靶材的制备；二、镨掺杂铌酸钾钠薄膜的气相法制备。本发明是要通过监测应力引起的材料发光特性的改变实现应力的高灵敏度传感，解决现有光学式应力传感技术灵敏度低的问题。本发明提出的薄膜沉积方法操作简单，可在不同种类衬底上实现镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备，利于规模化生产。本发明用于制备镨掺杂铌酸钾钠薄膜。
铌酸钾钠制备镨掺杂薄膜传感技术发光特性光学式灵敏度应用规模化生产薄膜沉积高灵敏度监测样品气相法镨离子监测靶材衬底传感

[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法-CN201210131057.6有效
发明人：郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
交相掺杂铌酸钾钠基无铅压电及其制备方法

[发明专利]一种陶瓷/金属压电复合材料的制备方法-CN200710122237.7无效
发明人：张海龙;杨淑;张波萍 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-09-24 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：该方法首先用固相反应法合成铌酸钾钠无铅压电陶瓷，再与纯金属镍均匀混合、压模成型，通过控制气氛烧结制备铌酸钾钠/镍压电复合材料。铌酸钾钠/镍压电复合材料的烧结温度为1040～1120℃，烧结气氛的氧含量为0.5％～3ppm，第二相镍的含量为1～25％。所制备的铌酸钾钠/镍压电复合材料具有以下特征：镍金属第二相有效增韧铌酸钾钠压电陶瓷基体；改变镍含量调控铌酸钾钠的压电性能并形成梯度变化。
一种陶瓷金属压电复合材料制备方法

[发明专利]一种制备铌酸钾钠压电陶瓷的方法及铌酸钾钠压电陶瓷-CN201810728303.3在审
发明人：苏兴华;韩晨曦;吴亚娟;白鸽;贾勇杰;王振军;胡钰玮 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铌酸钾钠压电陶瓷的方法及铌酸钾钠压电陶瓷。该方法采用电场辅助烧结技术，即在铌酸钾钠陶瓷坯体上施加电场进行烧结，通过增加电场强度，可以有效降低烧结温度。通过该方法，可以在比传统烧结温度低300℃的条件下烧结几十秒得到致密的铌酸钾钠压电陶瓷，相对致密度达到96％。本发明解决了在传统烧结过程中钾、钠碱金属挥发所导致的难以致密化的问题。
烧结铌酸钾钠压电陶瓷压电陶瓷制备铌酸钾钠碱金属铌酸钾钠陶瓷致密电场电场辅助烧结过程烧结技术致密化挥发坯体施加

[发明专利]一种锆钛酸钡和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法-CN201010127202.4无效
发明人：任巍;纪红芬;史鹏;王玲艳;闫兴伟;姚姗姗;陈晓峰;吴小清;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料中的压电厚膜的制备方法，公开了一种锆钛酸钡和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法。它包括以下步骤：(1)按照BaZr0.5Ti0.95O3的化学计量比，制备锆钛酸钡先驱体溶胶；(2)按照K0.5Na0.5NbO3的化学计量比分别称取碳酸钾、碳酸钠和五氧化二铌，混合球磨、干燥、压片、烧结，再经破碎、球磨，制备微纳米级铌酸钾钠粉体；(3)将微纳米级铌酸钾钠粉体与锆钛酸钡先驱体溶胶混合，其中铌酸钾钠的质量含量为40％～70％，制备稳定的混合浆料；(4)重复旋涂工艺-热处理工艺，得到锆钛酸钡和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜
一种钛酸钡铌酸钾钠复合压电制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠/铜功能梯度结构压电驱动器件的制备方法-CN200810119689.4无效
发明人：张海龙;张楠;张波萍;赵高磊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L41/24 文献下载
摘要：一种铌酸钾钠/铜功能梯度结构压电驱动器件的制备方法，属于弯曲型压电驱动器技术领域。特征是利用气氛烧结方法将锂掺杂铌酸钾钠无铅压电陶瓷和贱金属铜进行复合，并形成铜含量梯度变化的铌酸钾钠/铜多层复合材料，在复合材料的上下表面和沿厚度中心部位涂覆银电极并切割成型，制备得到铌酸钾钠/铜功能梯度结构压电驱动器铌酸钾钠/铜复合材料的铜含量最高为40vol％，烧结温度为1020～1100℃，烧结气氛氧含量为0.5％～3ppm。本发明的优点在于，金属铜加入铌酸钾钠陶瓷所形成的压电性能梯度变化使得各复合层协调变形，并且金属铜的弥散强化和阻裂增韧作用大幅提高悬臂梁结构压电驱动器的工作可靠性和服役寿命；无铅压电陶瓷铌酸钾钠属于环境友好材料
一种铌酸钾钠功能梯度结构压电驱动器件制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠纳米粒子复合水凝胶及其制备方法与应用-CN201810837226.5有效
发明人：宁成云;翟锦霞;周蕾;代聪;陈俊祺 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C08F289/00 文献下载
摘要：本发明属于水凝胶技术领域，公开了一种铌酸钾钠纳米粒子复合水凝胶及其制备方法与应用。所述铌酸钾钠纳米粒子复合水凝胶主要由明胶甲基丙酸酯、N,N‑二甲基丙烯酰胺、α‑甲基丙烯酸及铌酸钾钠纳米粒子在引发剂的作用下聚合而成；所述明胶甲基丙酸酯是由甲基丙烯酸酐改性明胶得到；所述铌酸钾钠纳米粒子是通过改性剂改性铌酸钾钠得到的纳米粒子本发明的铌酸钾钠纳米粒子复合水凝胶力学性能好、保湿性好、生物相容性好；应用于医用敷料领域。
一种铌酸钾钠纳米粒子复合凝胶及其制备方法应用

[发明专利]一种铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法-CN201710434118.9在审
发明人：林枞;马建章;黄雨铭;王瀚瑶 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠无铅压电陶瓷的制备方法，首先制备铌酸钾钠纳米粉体，然后在铌酸钾钠纳米粉体中加入一定比例的研磨溶液，在设定温度和压力下成型，可以得到成型密度超过70%的生坯陶瓷片，然后在1050‑1150℃烧结，制得铌酸钾钠无铅压电陶瓷。
一种铌酸钾钠无铅压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺与应用-CN201911017852.0有效
发明人：龚文;吴超峰 -专利权人：桐乡清锋科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷及其制作工艺与其在屏幕发声元件中的应用。本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，采用复合掺杂的方法，通过工艺调节，制备成致密度高、压电响应大的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明同时提供一种采用上述铌酸钾钠无铅压电陶瓷制作的屏幕发声元件，通过压电阵列的设计，可实现屏幕定点发声。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺应用

[发明专利]铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法-CN201010223340.2无效
发明人：刘来君;吴枚霞;杨曌;方亮;胡长征 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法。铌酸钾钠-钛酸铋钠钾压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3，其中：0＜x＜0.2；x为摩尔分数。将碳酸钾、碳酸钠、二氧化钛、五氧化二铌、三氧化二铋，按化学计量比(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi0.5(K0.82Na0.18)TiO3(0＜x＜0.2；x为摩尔分数)配料，经过球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、排胶、高温烧结等工序，最终制备具有高压电性能的钛酸铋钾钠铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明方法大大的提高了无铅压电陶瓷体系的压电性能、提高了材料的工艺稳定性，从成分和工艺两方面使铌酸钾钠体系的无铅压电陶瓷达到了实用化水平。
铌酸钾钠钛酸铋钠钾压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法-CN201410613877.8在审
发明人：李永祥;杨洁;杨群保 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法，所述铌酸钾钠基单晶的化学式为(K_0.45Na_0.55)_1-xLi_xNbO₃，其中0≤x≤0.1，所述铌酸钾钠基单晶的尺寸为10mm以上。本发明结合单晶制备和陶瓷烧结工艺，通过引入少量助烧剂，采用单晶籽晶诱导，使得陶瓷基体在低于其熔点温度下转变成单晶，成功制备出了尺寸大于10mm的铌酸钾钠基无铅压电单晶体。
一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠无铅压电厚膜的制备方法-CN201010120883.1无效
发明人：任巍;王玲艳;姚姗姗;史鹏;纪红芬;闫兴伟;陈晓峰;吴小清;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及无机材料中铁电/压电厚膜的制备方法，公开了一种铌酸钾钠(K0.5Na0.5NbO3，KNN)无铅压电厚膜的制备方法，该方法基于改性的化学溶液涂敷工艺。其包括以下步骤：(1)利用无水氯化铌和无水乙醇低成本制备乙醇铌；(2)利用无水乙酸钠、无水乙酸钾、乙醇铌通过PVP改性和离子掺杂制备铌酸钾钠前驱体溶液；(3)重复涂敷-热处理，即得到致密无裂纹的厚度为0.8-5μm的铌酸钾钠无铅压电厚膜。
一种铌酸钾钠无铅压电制备方法

[发明专利]立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法-CN200810137234.5无效
发明人：周忠祥;田浩;刘大军;宫德维;姜永远;侯春风;孙秀冬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法，它涉及钽铌酸钾钠晶体及其制备方法。它解决了现有钽铌酸钾晶体产品容易开裂，顺电(立方)相钽铌酸钾晶体光学质量低，烧结温度高，耗时长，成品率低及成本高的问题。本发明立方相钽铌酸钾钠晶体的化学式为K_1－yNa_yTa_1－xNb_xO₃或M:K_{1－方法：一、称取原材料；二、制备钽铌酸钾钠多晶体；三、降温后引晶；四、采用顶端籽晶助溶剂法，即得。本发明是首次采用顶端籽晶助溶剂法实现了立方相钽铌酸钾钠晶体的制备。}
立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法

[发明专利]一种无铅压电铌酸钾钠薄膜的制备方法-CN200810231773.5无效
发明人：任巍;阎鑫;吴小清;王玲艳;史鹏;陈晓峰;姚熹 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明涉及无铅压电功能材料领域，特别涉及一种无铅压电铌酸钾钠薄膜的制备方法。它包括以下步骤：称量无水五氯化铌NbCl₅和无水乙醇，以无水苯为反应溶剂，通入氨气，抽滤、洗涤、蒸馏，得到乙醇铌溶液；称取无水乙酸钠和无水乙酸钾，并溶于乙酸溶液中，获得含钾钠混合溶液；其次称取乙醇铌溶液，溶于乙二醇甲醚溶液中，获得含铌溶液；将上述得到的含钾钠混合溶液与含铌溶液进行混合，加热、搅拌，得到铌酸钾钠溶胶，作为前驱液采用旋转成膜法制备薄膜。
一种压电铌酸钾钠薄膜制备方法

[发明专利]铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法和应用-CN202310129091.8在审
发明人：高大强;张曙光;李博森;廖忠新 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司;兰州大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请涉及陶瓷制备技术领域，特别是一种铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法和应用。以解决相关技术中铌酸钾钠基压电陶瓷在制备过程中容易出现裂纹等不良以及最终所所获得的铌酸钾钠基压电陶瓷的温度稳定性较差的问题。一种铌酸钾钠基陶瓷的制备方法，该铌酸钾钠基陶瓷中正交相和四方相共存，该方法包括：按照铌酸钾钠基陶瓷的化学式配比，将反应原料混合，并通过球磨和烧结制备陶瓷粉体；将陶瓷粉体制备成陶瓷坯体；将陶瓷坯体以10～
铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法应用