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[发明专利]正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法-CN201210131057.6有效
发明人：郑立梅;霍晓青;王军军;仪修杰;张锐;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种功能性单晶材料及其制备方法。本发明解决了铌酸钾钠基压电单晶生长困难、尺寸小、压电性能低的技术问题。本生长工艺生长出的铌酸钾钠基压电单晶径向大小约8mm，长约20mm，尺寸较大，质量均匀，电学性能良好。本发明的正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为纯钙钛矿结构，无其它杂相。室温下锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶为正交相结构。正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基压电单晶具有非常良好的压电性能。
交相掺杂铌酸钾钠基无铅压电及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法-CN201410613877.8在审
发明人：李永祥;杨洁;杨群保 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法，所述铌酸钾钠基单晶的化学式为(K_0.45Na_0.55)_1-xLi_xNbO₃，其中0≤x≤0.1，所述铌酸钾钠基单晶的尺寸为10mm以上。本发明结合单晶制备和陶瓷烧结工艺，通过引入少量助烧剂，采用单晶籽晶诱导，使得陶瓷基体在低于其熔点温度下转变成单晶，成功制备出了尺寸大于10mm的铌酸钾钠基无铅压电单晶体。
一种铌酸钾钠基单晶及其制备方法

[发明专利]一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法-CN201310351426.7无效
发明人：霍晓青;郑立梅;王军军;张锐;王锐;桑士晶;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法。本发明要解决现有的铌酸钾钠基无铅压电单晶生长困难、单晶尺寸小和机电耦合系数低的问题。一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中0.4单晶提拉炉中进行单晶生长；三、多步降温法进行降温退火。优点：一、生长工艺简单，成本较低；二、所获得的钽掺杂铌酸钾钠单晶尺寸大，质量良好；三、具有高的机电耦合性能。本发明可获得高机电耦合性能的压电晶体材料。
一种机电耦合性能掺杂铌酸钾钠无铅压电制备方法

[发明专利]一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法与应用-CN202111239351.4有效
发明人：付秀伟;尹芳艺;陶绪堂;贾志泰;刘蕾 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法与应用，该铌酸钾钠晶体分子式为(Na1‑x‑yKxLiy1‑zAz)O3，0.1≤x≤0.9，0≤y≤0.2，0≤z≤0.5，A为Ta、Mn或Sb,该铌酸钾钠单晶的可见光区透过率透明铌酸钾钠基单晶的制备首先利用固相烧结合成多晶料，若进行掺杂改性则相应加入各备选元素，再利用顶部籽晶助熔剂法依次经过熔融、下种、放肩、等径生长制得。本发明的方法有效解决了现有铌酸钾钠晶体产品透明度低、结晶质量差等问题，从而生长出一种高质量铌酸钾钠透明单晶。本发明生长的铌酸钾钠单晶可见光区透过率超过70％。
一种透明铌酸钾钠晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法-CN201610835377.8有效
发明人：郑立梅;吕伟明;杨丽雅;刘博;靖羽佳;王军军;王锐;杨彬;张锐;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(Na_yK_1‑y)_1‑_xLi_{x铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。}
一种超高压电性能交相 mn 掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠-锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法-CN201610217456.2有效
发明人：朱秀;许桂生;刘锦峰;田彦锋 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶及其生长方法，所述铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶的化学式为(1‑y)(K_xNa_1‑x)NbO₃‑本发明中，将原料与生长助剂混合预烧，并采用坩埚下降法生长得到铌酸钾钠‑锆酸铋钠无铅压电单晶，通过添加生长助剂后的坩埚下降法生长晶体具有容易成核，晶体尺寸较大(2～20mm)且裂纹较少等优点。
铌酸钾钠锆酸铋钠无铅压电及其生长方法

[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电单晶的生长方法-CN201310178562.0无效
发明人：刘莹;许桂生;刘锦峰;杨丹凤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长铌酸钾钠(KxNa1-x)1-yLiyNbO3基无铅压电单晶的方法，包括：称取原料粉末；称取助熔剂，并与原料粉末混合；将起始料放入坩埚中，将坩埚置于炉中；坩埚在400～900℃保温2～20h，然后升高温度至700～1000℃，保温2～20h使起始料全部熔化，炉内温度以1～200℃/h的速度冷却到室温得到铌酸钾钠基无铅压电单晶。本发明采用低温制备技术生长的铌酸钾钠基无铅压电单晶为纯的钙钛矿结构，无杂相产生。
铌酸钾钠基无铅压电生长方法

[发明专利]一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法-CN201410154971.1有效
发明人：郑立梅;霍晓青;张锐;王军军;桑士晶;王锐;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(Na_yK_1-y)_1-xLi_x](Nb_1-zTa_{z:Mn，其中，0.01<x<0.07，0.4<y<0.7，0.25<z<0.45；步骤：一、准备原料；二、球磨；三、预烧；四、反复融化预烧合成的多晶原料；五、单晶炉中晶体生长本发明可获得一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶。}
一种高压电性能掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电及其制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠单晶及其制备方法-CN201611040828.5有效
发明人：江民红;郝崇琰;顾正飞;宋嘉庚;严亚飞;张津玮;成钢;饶光辉 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸钾钠单晶及其制备方法，以K₂CO_3、Na₂CO₃和Nb₂O_{5单晶；将铌酸钾钠单晶从陶瓷基体中取出即可得到纯的铌酸钾钠单晶。本发明的优点是：采用无籽固相晶体生长技术在不掺杂其他元素的情况下，通过改变原料的比例、烧结温度、时间以及坯体尺寸，可以得到不同尺寸的纯的铌酸钾钠单晶。}
铌酸钾钠单晶烘干烧结摩尔比球磨制备取出烘箱二次球磨固相晶体陶瓷基体无水乙醇原料称量称取单晶粉料过筛坯体无籽压片预烧圆坯压制掺杂生长

[发明专利]一种钕掺杂的铌酸钾钠基压电透明陶瓷及其制备方法-CN201910408956.8在审
发明人：林枞;王华静;朱剑旭;吴啸;李德俊 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕掺杂的铌酸钾钠基压电透明陶瓷及其制备方法，首先用稀土离子掺杂铌酸钾钠基陶瓷，用固相法制备陶瓷生坯，然后烧结成型，可以得到透过率达40%，压电常数为100 pC/N以上的铌酸钾钠基压电透明陶瓷本发明工艺步骤简单，易于操作，可得到致密度较高的铌酸钾钠基压电透明陶瓷。
铌酸钾钠基透明陶瓷压电钕掺杂制备铌酸钾钠基陶瓷稀土离子掺杂固相法制备工艺步骤烧结成型陶瓷生坯压电常数透过率

[发明专利]一种镝掺杂的铌酸钾钠基透明发光陶瓷及其制备方法-CN201910414625.5在审
发明人：林枞;王华静;黄雨铭;吴啸;邓宝玉 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种镝掺杂的铌酸钾钠基透明发光陶瓷及其制备方法。本发明用稀土镝离子掺杂铌酸钾钠基陶瓷，用固相法制备陶瓷生坯，然后烧结成型，得到透过率达52%，具有良好发光性能的铌酸钾钠基透明发光陶瓷。本发明工艺步骤简单，易于操作，能得到致密度较高的铌酸钾钠基透明发光陶瓷。
铌酸钾钠基发光陶瓷透明镝掺杂制备铌酸钾钠基陶瓷固相法制备发光性能工艺步骤离子掺杂烧结成型陶瓷生坯透过率稀土镝

[发明专利]一种高压电性能的锂掺杂铌酸钾钠单晶及其制备方法-CN201510641309.3有效
发明人：李永祥;杨洁;杨群保 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压电性能的锂掺杂铌酸钾钠单晶及其制备方法，锂掺杂铌酸钾钠单晶的化学式为(K0.45Na0.55)1‑xLixNbO3，0.01≤x≤0.1，优选0.02≤x≤0.08，制备方法1）按化学计量比称取K2CO3、Na2CO3、Li2CO3和Nb2O5，球磨、烘干，700～950℃预烧2～8小时，得到预合成的锂掺杂铌酸钾钠粉体；2）在预合成的粉体中加入0.15～0.35 mol%的复合助烧剂，球磨、烘干，单轴加压成型后，进行冷等静压，得到陶瓷素坯，复合助烧剂由Li2CO3和Bi2O3组成；3）将陶瓷素坯于1050～1130℃退火2～50小时，制得高压电性能的锂掺杂铌酸钾钠单晶。
一种高压电性能掺杂铌酸钾钠单晶及其制备方法

[发明专利]铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法-CN201310177527.7在审
发明人：刘莹;许桂生;刘锦峰;杨丹凤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法，其为钙钛矿结构，化学式为(KxNa1-x)1-yLiy(Nb1-zMz)O3，其中M表示过渡金属元素，0<x<1，0<y<1称取原料粉末和助熔剂并混合；将起始料放入坩埚中；在500～1100℃保温3～20h，升温至1000～1300℃，保温2～20h使起始料熔化，然后坩埚以0.1～1.2mm/h的速度下降结晶，完毕冷却到室温得到铌酸钾钠锂基无铅压电单晶本发明首次采用添加助熔剂的坩埚下降法实现了过渡金属掺杂的铌酸钾钠锂基无铅压电晶体的生长，且所得晶体为纯的钙钛矿结构，无其他杂相，并具有很好的压电和铁电性能。另本发明的工艺简单，具有烧结温度较低的优点。
铌酸钾钠锂基无铅压电及其生长方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺与应用-CN201911017852.0有效
发明人：龚文;吴超峰 -专利权人：桐乡清锋科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷及其制作工艺与其在屏幕发声元件中的应用。本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，采用复合掺杂的方法，通过工艺调节，制备成致密度高、压电响应大的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。本发明同时提供一种采用上述铌酸钾钠无铅压电陶瓷制作的屏幕发声元件，通过压电阵列的设计，可实现屏幕定点发声。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制作工艺应用

[发明专利]铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法和应用-CN202310129091.8在审
发明人：高大强;张曙光;李博森;廖忠新 -专利权人：广东奥迪威传感科技股份有限公司;兰州大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请涉及陶瓷制备技术领域，特别是一种铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法和应用。以解决相关技术中铌酸钾钠基压电陶瓷在制备过程中容易出现裂纹等不良以及最终所所获得的铌酸钾钠基压电陶瓷的温度稳定性较差的问题。一种铌酸钾钠基陶瓷的制备方法，该铌酸钾钠基陶瓷中正交相和四方相共存，该方法包括：按照铌酸钾钠基陶瓷的化学式配比，将反应原料混合，并通过球磨和烧结制备陶瓷粉体；将陶瓷粉体制备成陶瓷坯体；将陶瓷坯体以10～
铌酸钾钠基陶瓷及其制备方法应用

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