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[实用新型]降低阳极钽芯氧含量的设备及系统-CN201820726402.3有效
发明人：马远;廖朝俊;秦钟桦;廖均 -专利权人：江苏振华新云电子有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种降低阳极钽芯氧含量的设备及系统，涉及电子元器件制造技术领域。降低阳极钽芯氧含量的设备，包括保温容器、上电极和下电极，所述上电极和下电极位于保温容器内，所述上电极和下电极连接有电源。本实用新型采用上电极和下电极连接高频电源，接通电源后放电，将碱性金属等离子体活化，得到碱性金属的等离子体，加速了氧原子与碱性金属离子的反应速度，减少了去氧工艺处理的时间。
电极下电极阳极钽芯本实用新型设备及系统保温容器碱性金属等离子体电子元器件制造等离子体活化碱性金属离子高频电源工艺处理接通电源氧原子放电电源

[发明专利]含杂多酸脱硝催化剂及其制备方法与应用-CN202110177626.X在审
发明人：马子然 -专利权人：国家能源投资集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究院
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B01J31/16 文献下载
摘要：本发明涉及脱硝催化剂领域，公开了含杂多酸脱硝催化剂及其制备方法与应用，该脱硝催化剂含有杂多酸、活性组分和改性助剂；所述杂多酸为keggin笼型结构，所述杂多酸中的杂原子选自磷原子、锑原子、锡原子中的至少一种；所述杂多酸中的多原子选自钼原子、钨原子、铌原子、钽原子中的至少一种；所述活性组分含有钒元素、铁元素、锰元素和铜元素中的至少一种；所述改性助剂含有铈元素、镧元素、镨元素和铒元素中的至少一种。
杂多酸脱硝催化剂及其制备方法应用

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980109887.5无效
发明人：林和幸;宇野俊之;海老原健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9原子％，H的含有率为0.1～50原子％。
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]充电构件及其生产方法、处理盒和电子照相图像形成设备-CN201711348625.7有效
发明人：土井孝之;竹野甲子夫;八木泽勇介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G03G15/02 文献下载
摘要：充电构件包括支承体和支承体上的表面层，表面层包括含有选自由铝、锆、钛和钽组成的组的至少一种金属原子的聚金属氧烷，并且由下式(1)或(2)表示的基团结合至聚金属氧烷中的至少一种金属原子，其中X表示形成环所需的原子团，A1和A2各自独立地表示氢原子或烷基，以及符号“*”表示与聚金属氧烷中的金属原子的结合部位。
充电构件及其生产方法处理电子照相图像形成设备

[发明专利]增强型溅射靶合金成分-CN200510120335.8无效
发明人：阿卜杜勒－瓦哈卜·齐亚尼;程远达;贝恩德·孔克尔;迈克尔·巴尔托洛莫伊尔茨 -专利权人：黑罗伊斯有限公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，该溅射靶包括钴(Co)、大于0且小于等于24原子百分数的铬(Cr)、大于0且小于等于20原子百分数的铂(Pt)、大于0且小于等于20原子百分数的硼(B)和大于0且小于等于10原子百分数的金(该溅射靶进一步还包括0－7原子百分数的X2，X2从包括钛(Ti)、钒(V)、锆(Zr)、钕(Nb)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铪(Hf)、钽(Ta)和铱(Ir)的组中选出。
增强溅射合金成分

[发明专利]一种半导体结构制造方法-CN202010113773.6在审
发明人：李渊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实施方式中，包括：提供绝缘基底；采用物理气相沉积工艺在所述绝缘基底上沉积隔离层，所述隔离层包括钴原子、以及位于钴原子晶界位置的阻挡原子；在所述隔离层上沉积含铜金属层。本实施方式能够较好地阻挡含铜金属层中的铜原子扩散到绝缘基底中，减少寄生电容的产生。相比较现有技术中通过钽金属作为隔离层而言，包含钴原子的隔离层与含铜金属层之间具有相对较好的粘附性，提高对铜的抗电子迁移性，改善半导体结构的使用寿命；且包含钴原子的隔离层电阻率较低，可以提高了半导体结构的性能
一种半导体结构制造方法

[发明专利]蚀刻方法和半导体元件的制造方法-CN202180003611.X在审
发明人：松井一真 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供不使用等离子体就能够相对于特定的非蚀刻对象物选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻方法，蚀刻对象物含有硅化合物，硅化合物具有氮原子和氧原子中的至少一者以及硅原子。蚀刻对象物含有硅化合物，硅化合物具有氮原子和氧原子中的至少一者以及硅原子。非蚀刻对象物具有选自钽、钴、铜、氮化钛、镍和无定形碳中的至少一种。在40℃以上且低于350℃的温度条件下实行蚀刻工序。
蚀刻方法半导体元件制造

[发明专利]高熵合金、其制备方法、其应用和搅拌摩擦焊的搅拌工具-CN202010022638.0有效
发明人：苗澍;赵运强;谭锦红;董春林;王春桂;易耀勇 -专利权人：广东省科学院中乌焊接研究所
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：高熵合金，其包括由铬、钼、钽和钛组成的Cr‑Mo‑Ta‑Ti体系和纳米碳化物，铬、钼、钽和钛在所述Cr‑Mo‑Ta‑Ti体系中原子比为(0.22‑0.26)：(0.18‑0.25)：(0.20‑0.30
合金制备方法应用搅拌摩擦工具

[发明专利]喷嘴板、液体喷头和液体喷射装置-CN201310739191.9有效
发明人：忠地慧;高桥克弘 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：在上述硅基板的两面和上述喷嘴开口内面设有通过原子层沉积而形成的氧化钽膜。
喷嘴液体喷头喷射装置

[发明专利]反射型掩模坯料、反射型掩模、以及反射型掩模及半导体装置的制造方法-CN202080031051.4在审
发明人：中川真德;笑喜勉 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：所述反射型掩模坯料具备基板、基板上的多层反射膜、以及多层反射膜上的吸收体膜，上述吸收体膜包含吸收层及反射率调整层，上述吸收层含有钽(Ta)、硼(B)及氮(N)，并且含有选自氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，上述吸收层的上述硼(B)的含量超过5原子％，上述吸收层的上述添加元素的含量为0.1原子％以上且30原子％以下。
反射型掩模坯料以及半导体装置制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN202080007442.2在审
发明人：早川明伸;奥村拓郎;福田武司 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明是一种太阳能电池，其特征在于，依次具有阴极、光电转换层、防扩散层和阳极，上述阴极为透明电极，上述阳极含有选自铝、铜、锑和钼中的至少1种，上述光电转换层含有通式AMX(其中，A为有机碱化合物和/或碱金属，M为铅或锡原子，X为卤素原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物，上述防扩散层包含钼、钨、钽、铌、锆、铪或它们的合金，且厚度为5～30nm以下，或者，上述防扩散层为包含钛、镓、锌、锡、铟、锑、钼、钨、钒、铬、镍或铅的氧化物，或者，上述防扩散层包含含有钛、钒、铬、铌、钽、钼、锆或铪的氮化物，且厚度为5～50nm，或者，上述防扩散层包含石墨，且厚度为2nm～50nm。
太阳能电池

[发明专利]一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置-CN201310552032.8有效
发明人：彭寿;王芸;马立云;崔介东 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置，包括真空腔室(1)，真空腔室(1)内底部设有衬底板(5)、衬底加热器(13)与衬底挡板(14)并连接有真空泵通道(15)；真空腔室(1)内顶部设有与直流电源(4)连接的钽丝(2)以及混合反应气体进气通道(10)；真空腔室(1)的侧壁两侧分别设有铝磁控溅射装置(7)与碳磁控溅射装置(9)以及第一氩气通道(11)与第二氩气通道(12)；钽丝(2)发热后发射电子电离出氩离子，氩离子轰击铝靶(6)与碳靶(8)溅射出铝原子与碳原子，然后进行化学气相沉积完成P型掺杂的非晶硅碳薄膜的制备；将化学气相沉积技术与磁控溅射技术相结合，掺杂效率高且掺杂均匀，能有效提高电导率。
一种制备掺杂非晶硅碳薄膜装置

[发明专利]一种高效产生μ子和μ子⁶He原子并且使水转变为油的方法-CN201010275165.1无效
发明人：张建新;张建国 -专利权人：张建新;张建国
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C10L1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效产生μ子和μ子6He原子并且使水转变为油的方法，它包括以下步骤：一，制备无水的卟啉溶液；二，制备或者在我国特定的铜砷矿藏中采取含有两个晕中子的超变形晕原子核75Br和76Br的特殊溴液；三，将钽粉掺入溴液中；或将钨粉掺入溴液中；或将钽钨粉掺入溴液中；四，选取可混合使用的两种强氧化剂；五，选取表面活性剂；六，将步骤一、三、四和五中制备选取的材料混合配制卟啉Heμ前液；七，将待转化的水除氧
一种高效产生 sup he 原子并且转变为方法

[实用新型]CVD金刚石涂层设备-CN201520314102.0有效
发明人：王俊锋 -专利权人：东莞市瑞鼎纳米科技有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：CVD金刚石涂层设备，包括真空泵、镀膜箱体和基片架，所述真空泵与所述镀膜箱体连通，所述镀膜箱体具有镀膜腔，所述基片架设置于所述镀膜腔内，在所述基片架的两侧分别设置有电极钼架，两个所述电极钼架之间连接有钽丝在基片架上安放需镀膜的样品，然后通过真空泵将镀膜腔抽气至真空状态，接着通入反应气体甲烷和氮气，再利用钽丝碳化后加热产生高温将氢气裂解电离成氢原子和等离子体，氢原子等离子体再将甲烷中的氢元素剥离形成大量有活性化学键的碳
cvd 金刚石涂层设备

[实用新型]一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置-CN201320703998.2有效
发明人：彭寿;王芸;马立云;崔介东 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置，包括真空腔室(1)，真空腔室(1)内底部设有衬底板(5)、衬底加热器(13)与衬底挡板(14)并连接有真空泵通道(15)；真空腔室(1)内顶部设有与直流电源(4)连接的钽丝(2)以及混合反应气体进气通道(10)；真空腔室(1)的侧壁两侧分别设有铝磁控溅射装置(7)与碳磁控溅射装置(9)以及第一氩气通道(11)与第二氩气通道(12)；钽丝(2)发热后发射电子电离出氩离子，氩离子轰击铝靶(6)与碳靶(8)溅射出铝原子与碳原子，然后进行化学气相沉积完成P型掺杂的非晶硅碳薄膜的制备；将化学气相沉积技术与磁控溅射技术相结合，掺杂效率高且掺杂均匀，能有效提高电导率。
一种制备掺杂非晶硅碳薄膜装置