“钽原子”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果110031个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种植入医疗器械表面多层结构的钽银薄膜及制备方法-CN202310940542.6有效
发明人：姜培齐;宋国安;宋扬 -专利权人：北京华钽生物科技开发有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： A61L27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种植入医疗器械表面多层结构的钽银薄膜及制备方法，该薄膜在基体的表面从内向外依次有纯钛层、氮化钛/钽混合层、纯钽层、钽/银交替层以及氧化钽/银混合层。该钽银薄膜由多个纳米级别的涂层复合而成，并且最外层和次外层应用了钽银元素，钽银涂层应用于植入医疗器械表面，可以改善植入医疗器械的生物相容性，提高耐腐蚀性，有效降低术后的感染率并且无细胞毒性。
一种植入医疗器械表面多层结构薄膜制备方法

[实用新型]一种大容量全钽外壳非固体电解质钽电容器-CN201420695115.2有效
发明人：袁益;彭伟;刘建清 -专利权人：株洲日望电子科技股份有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非固体电解质钽电容器，所述电容器采用全密封封装的全钽外壳，钽阳极芯子作为阳极，采用氧化钌阴极并设置于钽壳内壁，所述钽阳极芯子中压制钽丝，所述钽丝穿过全钽外壳引出成为电容器的正极引出线，电容器的负极由固定在钽壳上的负极引线引出，本实用新型结构紧凑，最大限度地利用电容器内部空间，可以做到大容量、高能量密度、低等效串联电阻。
一种容量外壳固体电解质钽电容

[发明专利]碳化钽的评价方法-CN201780065450.0有效
发明人：野口骏介;大矢信之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价
碳化评价方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN201510057248.6有效
发明人：刘继全;徐建华;荆学珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成金属互连的方法，在原子层沉积前，首先利用预清洁步骤，将接触孔底部暴露的金属铜表面的氧化铜去除，然后通过预处理步骤，使接触孔底部暴露的金属铜表面悬挂氢键，由于氮化钽在悬挂氢键的金属铜表面成核困难
形成金属互连方法

[发明专利]形成铝掺杂碳氮化物栅电极的方法-CN200980133509.0有效
发明人：长谷川利夫;格利特·J·莱乌辛克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本申请描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属(钽或者钛)氮化碳栅电极的方法。该方法包括提供其上包含电介质层的衬底，并且在没有等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。通过沉积金属氮化碳膜并且将铝前驱物的原子层吸附在金属氮化碳膜上来形成栅极。沉积和吸附的步骤可以重复期望的次数，直到铝掺杂金属氮化碳栅电极具有期望的厚度。
形成掺杂氮化物电极方法

[发明专利]三元铂合金催化剂-CN201080007283.2有效
发明人： S.鲍尔;T.R.拉尔夫;B.R.西奥博尔德;D.汤普塞特 -专利权人：约翰逊马西有限公司
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：公开了一种铂合金催化剂PtXY，其中X是镍、钴、铬、铜、钛或者锰，Y是钽或者铌，特征在于在该合金中，铂的原子百分比是46-75at%，X是1-49at%和Y是1-35at%；条件是该合金不是66at%Pt
三元合金催化剂

[发明专利]无定形氧化物薄膜、使用所述无定形氧化物薄膜的薄膜晶体管及其制造方法-CN201180007980.2无效
发明人：竹知和重;中田充 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，其将无定形氧化物薄膜用于有源层，其中：所述无定形氧化物薄膜包含如下作为主要成分：铟(In)、氧(O)和金属元素(M)，其选自硅(Si)、铝(Al)、锗(Ge)、钽(Ta)、镁(Mg)和钛(Ti)；在该无定形氧化物薄膜中M对In的原子比为0.1以上且0.4以下；且在所述无定形氧化物薄膜中载流子密度为1×1015cm-3以上且1×1019cm-3以下。
无定形氧化物薄膜使用薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]用于电容器的粉末、其烧结体及使用该烧结体的电容器-CN01819611.X无效
发明人：大森和弘;内藤一美 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01G9/052 文献下载
摘要：一种用于电容器的粉末，含有0.01－15原子％锆且主要包含平均粒径为0.2－05μm的铌和/或钽；它们的烧结体；一种由作为一侧电极的该烧结体、在该烧结体表面形成的介电材料、以及在介电材料上提供的另一侧电极制造的电容器
用于电容器粉末烧结使用

[发明专利]在离子型液体中电化学沉积钽和/或铜-CN200580042516.1无效
发明人： U·维尔兹－比尔曼;F·恩德雷斯;S·泽因埃阿贝丁 -专利权人：默克专利股份公司
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C25D3/66 文献下载
摘要：本发明的主题是在离子型液体中在基材上电化学沉积钽和/或铜的方法，所述离子型液体含有至少一种四烷基铵阳离子、四烷基阳离子、1，1－二烷基吡咯烷阳离子、1－羟基烷基－1－烷基吡咯烷阳离子、1－羟基烷基－3－烷基咪唑阳离子或者双(1－羟基烷基)咪唑阳离子，其中1－羟基烷基中的烷基或者亚烷基链均可各自独立地含有1－10个碳原子。
离子液体电化学沉积

[实用新型]钽电解电容器四氟绝缘八爪下垫-CN202221593829.3有效
发明人：张大义;孙影 -专利权人：长春维鸿东光电子器材有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了钽电解电容器四氟绝缘八爪下垫，属于钽电解电容器绝缘下垫领域，包括引线外壳和穿插在引线外壳内部的镀银镍线，引线外壳的内部设置有钽块，钽块和引线外壳的中间位置设置有绝缘下垫，手持钽块，并在钽块一侧设置有钽丝上依次插有四氟平垫、胶垫和工型垫，而后拿住装有电解液的引线外壳，并在引线外壳上放置一个绝缘下垫，且绝缘下垫的表面均匀分布有八组上爪，而后将插好四氟平垫、胶垫和工型垫的钽块放在绝缘下垫的中线，并用力将钽块压入引线外壳内，绝缘下垫包裹着钽块的底部，使得钽块与引线外壳之间起着绝缘的作用，防止电容器内部短路，而八组上爪能够对钽块起着固定的作用，将钽块包裹的更全面，提高了产品的抗震性能。
电解电容器绝缘八爪下垫

[发明专利]抗水腐蚀的钽基合金-CN201410238863.2在审
发明人： P·R·艾蒙;E·辛肖 -专利权人： H.C.施塔克公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：一种钽或钽合金，它包含纯的或基本纯的钽以及至少一种选自Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Mo、W和Re的金属元素，形成抗水腐蚀的钽合金。本发明还涉及制备钽合金的方法。
腐蚀合金

[发明专利]抗水腐蚀的钽基合金-CN200880013554.8无效
发明人： P·R·艾蒙;E·辛肖 -专利权人： H.C.施塔克公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：一种钽或钽合金，它包含纯的或基本纯的钽以及至少一种选自Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Mo、W和Re的金属元素，形成抗水腐蚀的钽合金。本发明还涉及制备钽合金的方法。
腐蚀合金

[发明专利]一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法-CN201711124575.4在审
发明人：秦海波 -专利权人：北京富兴凯永兴光电技术有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法，属于光学镀膜材料技术领域。按五氧化二钽与金属钽粉的质量比10.3～13的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。制备的低价态氧化钽光学镀膜材料用于生产光学元件。本发明的优点是在五氧化二钽中加入一定量金属钽粉，经成型造粒或压片，真空烧结，形成低价态的稳定氧化钽，可在大气中长期存放，不会发生价态的变化，这样就解决了真空烧结五氧化二钽在大气中不稳定的问题。
一种低价氧化光学镀膜材料制备方法

[发明专利]一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法-CN202311046387.X在审
发明人：姚力军;潘杰;黄洁文;廖培君;吴东青 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单，通过将钽粉原料进行氢气还原，控制钽粉中的氧含量≤300ppm，后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题，具有大范围推广应用前景。
一种半导体低氧粉末冶金制备方法

[实用新型]钽-铜-不锈钢爆炸复合板-CN201120055461.0有效
发明人：杭逸夫;邓宁嘉;肖仁道;方雨;王斌;宁发挥 -专利权人：南京宝泰特种材料有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：钽-铜-不锈钢爆炸复合板，由钽板、铜板和不锈钢板爆炸复合构成，铜板在钽板和不锈钢板中间，其中钽板的厚度在2-5mm，铜板厚度2-4mm，不锈钢板基板厚度为8-20mm。将钽－铜－不锈钢三层同时安装，钽与铜、铜与不锈钢之间预留适当的支撑间距，在钽板上面布置炸药，一次爆炸的方法直接生产钽-铜-不锈钢复合板。解决了面积不大于3㎡的钽-铜-不锈钢直接一次爆炸复合的问题，满足了国内化学工业发展的需要。
不锈钢爆炸复合板

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top