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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化钽材的制造方法-CN201911302029.4有效
发明人： 野口骏介 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01B32/914 文献下载
摘要：本发明的碳化钽材的制造方法，将被一对石墨引导构件(2、3)夹持着的钽材(1)在含碳源的气体(4)的气氛下以1500℃以上、0.5小时以上的条件加热。
碳化制造方法

[发明专利]SiC单晶、SiC晶锭的制造方法及SiC晶片的制造方法-CN201980054072.5有效
发明人： 野口骏介;藤川阳平;鹰羽秀隆 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在该SiC单晶中，通过俯视中心且沿着1‑100方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量与通过俯视中心且沿着与所述1‑100方向垂直的11‑20方向切割而成的切割面中的原子排列面的弯曲量之差为60μm以下。
sic 制造方法晶片

[发明专利]碳化钽的评价方法-CN201780065450.0有效
发明人： 野口骏介;大矢信之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01N21/27 文献下载
摘要：一种碳化钽的评价方法，是根据色度来对碳化钽的碳化率进行评价的碳化钽的评价方法，作为一例，使用分光光度计或照相机来测定碳化钽的颜色，基于由L＊a＊b＊表色系而数值化了的该碳化钽的色度，对该碳化钽的碳化率进行评价。
碳化评价方法

[发明专利]晶体生长装置-CN201910833016.3有效
发明人： 野口骏介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：提供能够提高加热效率、并且同时实现坩埚温度的均匀性和坩埚温度的准确的测定，从而实现晶体的高品质化的晶体生长装置。一种晶体生长装置(1)，具备：热源(11)；坩埚(14)，其由能够接纳原料(A1)的容器主体(12)和能够安装晶种(B1)的盖部(13)构成；第1绝热部(16)，其外装于坩埚(14)，且设有在厚度方向贯通的第1贯通孔(15)；第2绝热部(18)，其外装于第1绝热部(16)，且设有在厚度方向贯通的第2贯通孔(17)；移动机构(19)，其使第1绝热部(16)和第2绝热部(18)相对移动；以及，辐射型测温部(20)，其经由第1贯通孔(15)和第2贯通孔(17)来测定坩埚(14)的温度。
晶体生长装置

[发明专利]SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法-CN201980053250.2在审
发明人： 野口骏介;藤川阳平;鹰羽秀隆 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：该SiC单晶，穿过俯视中心并沿着1‑100方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述1‑100方向的11‑20方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。
sic 制造方法晶片

[发明专利]SiC单晶的评价用样品取得方法-CN201911220551.8在审
发明人： 野口骏介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种SiC单晶的评价用样品取得方法，其特征在于，具有：使用从晶种沿着c轴方向使SiC结晶生长而成的SiC锭，在从构成结晶生长方向的顶端面的弯曲面朝向所述晶种的厚度位置在径向上切断所述SiC锭，得到包含所述弯曲面的头构件的工序；和研磨所述头构件的硅面从而得到评价用样品的工序。
sic 评价样品取得方法

[发明专利]SiC基板的评价方法、SiC外延晶片的制造方法及SiC外延晶片-CN201910826266.4在审
发明人： 野口骏介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供一种能够确定可能成为SiC器件的缺陷的原因的部位的SiC基板的评价方法。在本实施方式涉及的SiC基板的评价方法中，在将外延膜层叠于从SiC锭切出的SiC基板的第1面之前，将激发光照射于所述第1面，进行光致发光测定。
sic 评价方法外延晶片制造

[发明专利]基座、SiC单晶的制造装置和制造方法-CN201910627951.4在审
发明人： 野口骏介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及支持SiC的单晶生长用的晶种的基座、具备该基座的SiC单晶的制造装置和制造方法。本发明的目的是提供一种基座，在用粘结剂固定了晶种的状态下，能够除去从被加热了的粘结剂中产生的气体。本发明的基座(103)是晶体生长用的晶种(102)的基座(103)，粘结晶种(102)的一侧的主面(103a)是平坦的，且具有气体透过区域(106)，气体透过区域(106)是从一侧的主面(103a)起的厚度局部变薄地形成的。
晶种气体透过粘结剂主面单晶生长晶体生长制造装置单晶加热平坦制造

[发明专利]SiC单晶生长用坩埚-CN201780057604.1在审
发明人： 野口骏介;大矢信之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种SiC单晶生长用坩埚，是在内部具有单晶设置部和原料设置部、且用于采用升华法得到SiC单晶的坩埚，所述坩埚的第1壁的透气度低于所述坩埚的第2壁的透气度，所述坩埚的第1壁包围第1区域的至少一部分，所述坩埚的第2壁包围第2区域的至少一部分，所述第1区域是以所述单晶设置部为基准而位于所述原料设置部侧的区域，所述第2区域是以所述单晶设置部为基准而位于与所述原料设置部相反侧的区域。
坩埚单晶单晶生长透气度包围升华法相反侧部侧

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