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- [发明专利]一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法-CN202010834451.0在审
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尹志岗;张兴旺;吴金良
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中国科学院半导体研究所
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2020-08-18
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2022-02-22
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C30B29/22
- 一种铁酸钴柔性单晶薄膜的制备方法,包括:在刚性衬底上生长氧化锌缓冲层,在氧化锌缓冲层上外延生长铁酸钴单晶薄膜,在铁酸钴单晶薄膜上旋涂一层溶有黑蜡的有机溶剂,得到黑蜡薄膜保护层,将刚性衬底放置在酸液中湿法腐蚀氧化锌缓冲层,待氧化锌缓冲层腐蚀完毕,得到的具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜,将具有黑蜡薄膜保护层的铁酸钴单晶薄膜转移到柔性薄膜衬底上,并使其在柔性薄膜衬底上静止干燥,使用有机溶剂清洗掉铁酸钴单晶薄膜上的黑蜡薄膜保护层,得到铁酸钴柔性单晶薄膜。本公开提供的制备方法具有过程简单、成本低、可控性强等优点,实现了铁酸钴单晶薄膜的柔性化,对发展基于铁酸钴的柔性功能器件具有重要意义。
- 一种铁酸钴柔性薄膜制备方法
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