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[发明专利]锆酸钙-钛酸铋钾-锑铌酸钾钠锂三元无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202210338936.X有效
发明人：陈小明;李国荣 -专利权人：贵州理工学院
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及锆酸钙‑钛酸铋钠‑锑铌酸钾钠锂三元无铅压电陶瓷及其制备方法。所述锆酸钙‑钛酸铋钠‑锑铌酸钾钠锂三元无铅压电陶瓷的化学组成为:(1‑x‑y)(K0.49Na0.51)
锆酸钙钛酸铋钾锑铌酸钾钠锂三元压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料及其制备方法-CN201811015483.7在审
发明人：王根水;胡蕃廷;陈学锋;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料及其制备方法，所述钛酸铋钠基高温稳定的高介陶瓷电容器材料的化学组成为(1‑x)Bi_1/2Na_1/2TiO<
电容器材料钛酸铋钠基高介陶瓷高温稳定制备化学组成

[发明专利]一种钛酸铋钠‑钛酸铋钾基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN201710365543.7在审
发明人：戴叶婧;段少锋 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能钛酸铋钠‑钛酸铋钾基无铅压电陶瓷，原料组分及其摩尔百分比含量为Bi0.5(Na0.8K0.2)Ti1‑x(Fe0.5Nb0.5)xO3，其中x＝0.01～0.04。先按化学式分别称取碳酸钠、碳酸钾、三氧化二铋、二氧化钛、五氧化二铌和三氧化二铁，球磨5h，于70℃烘干，再将混合原料于700～900℃预合成，预合成后的粉料再进行二次球磨、造粒、成型、排胶后于1125～1175℃烧结，制得高性能钛酸铋钠‑钛酸铋钾基无铅压电陶瓷。本发明既弥补了碱金属丢失，又有效地提高了应变性能，所制得的陶瓷样品为单一钙钛矿结构，其压电系数d33为16～173pC/N,应变S为0.173％～0.395％，逆压电系数d33*为258～642pm/V
一种钛酸铋钠钛酸铋钾基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种提高退极化温度的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元陶瓷的制备方法-CN201410188413.7有效
发明人：李伟力;曹文萍;费维栋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种提高退极化温度的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元陶瓷的制备方法，它涉及一种三元系陶瓷的制备方法。本发明要解决现有三元系压电陶瓷在准同型相界附近退极化温度较低的问题。本发明利用溶胶凝胶燃烧法制备出致密度较高的退极化温度明显提高的钛酸铋钠-钛酸铋钾-钛酸钡三元系陶瓷，该方法在其他陶瓷的制备中从未出现。本发明应用于制备陶瓷领域。
一种提高退极化温度钛酸铋钠钛酸铋钾钛酸钡三元陶瓷制备方法

[发明专利]钛酸铋钠-钛酸钡-钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法-CN201310653739.8有效
发明人：邓珉阳;李晓雷;李婷;赵志浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸铋钠‐钛酸钡‐钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷及其制备方法，以Bi4Ti3O12晶体为模板，将模板与基体粉料、有机溶剂、粘结剂等有机添加剂混合，获得浆料，浆料经流延工艺制备厚度为30‐60μm制备的钛酸铋钠‐钛酸钡‐钛酸铋钾无铅压电织构陶瓷，组成为（1‐x‐y）Na0.5Bi0.5TiO3‐xBaTiO3‐yK0.5Bi0.5TiO3三元体系，晶粒定向效果良好，在无铅压电领域性能优良，压电常数达
钛酸铋钠钛酸钡钛酸铋钾无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法-CN202010037107.9有效
发明人：戴中华;谢景龙;樊星;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法，克服了现有技术中钛酸铋钠基储能陶瓷能量存储性能不佳的问题，制备的产品能量存储密度以及效率高、电学稳定性好。该陶瓷的制备工艺简单，可重复性高，对配方组分进行化学比例的计算，称量高纯的原料粉末，经球磨烘干、预烧结、造粒压片、高温烧结，制得具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷。该钛酸铋钠基电子陶瓷材料储能密度最大值为1.83J/cm3，储能效率为83％。
具有高储能密度效率钛酸铋钠基电子陶瓷制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠-钛酸锶亚微米棒及其制备方法和应用-CN201710621235.6有效
发明人：张斗;周学凡;罗行;吴忠;周科朝 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了钛酸铋钠‑钛酸锶的复合压电铁电材料，呈多晶亚微米棒形貌。本发明还提供了所述的复合材料的制备方法，包括步骤(1)：以钠源A和二氧化钛为反应物，按Na2Ti6O13的化学计量比称取并与熔盐混合；混合后的物料再在1000～1100℃下烧结；得钛酸钠单晶亚微米棒；步骤(2)：以二氧化钛、钠源B、铋源、锶源和钛酸钠单晶亚微米棒为反应物，按化学式本发明独创性地钛酸钠单晶亚微米棒作为前驱体，再结合后续的二段熔盐法的各关键参数的控制，通过拓扑反应；可出人意料地制得具有棒状亚微米级别的钛酸铋钠‑钛酸锶的复合压电铁电材料。
一种钛酸铋钠钛酸锶亚微米及其制备方法应用

[发明专利]钛酸铋钠系列薄膜材料及其制备方法-CN02135524.X无效
发明人：王卓;杨长红;房昌水;王民;韩建儒;陈焕矗;胡季帆 -专利权人：山东大学
申请日： 2002-09-11 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明的主要内容是钛酸铋钠系列薄膜材料是由钛、铋、钠、钡、铅、锶、钙和氧离子组成的，其组成的分子式为(1－X)(Bi0.5Na0.5)TiO3+XMTiO3，X的取值为0～0.6；M代表钡、铅、锶或钙。它克服了钛酸铋钠陶瓷在铁电区电导率偏高，烧结温度窄，易吸水等弱点。本发明具有良好的存储特性和热释电性，可广泛用于微电子，光电子，计算机，传感器，航空航天技术等领域。
钛酸铋钠系列薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用-CN202111055221.5在审
发明人：翁凌;许子祺;关丽珠;王小明 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中，超声搅拌2h，加入聚偏氟乙烯粉末，超声搅拌反应2h
一种高介电损耗击穿强度聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜及其制备方法和应用-CN201510211706.7有效
发明人：郝喜红;徐子盛;张利文;张奇伟;杨吉春;安胜利 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜及其制备方法和应用，该钛酸铋钠基0‑3无铅复合铁电厚膜的化学成份复合化学通式为(0.95Na0.5Bi0.5TiO3‑0.05SrTiO3)‑x(K0.5Na0.5)NbO3，其中0≤x≤1.8，是由(K0.5Na0.5)NbO3)粉体和0.95(Na0.5Bi0.5)TiO3‑0.05SrTiO3胶体0‑3复合而成，与现有的技术相比，钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜具有取向度高
一种钛酸铋钠基复合铁电厚膜及其制备方法应用

[发明专利]钛酸铋钠基和钛酸钡基多层复合压电薄膜及其制备方法-CN201410245430.X有效
发明人：翟继卫;李伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠基和钛酸钡基多层复合压电薄膜，其中钛酸铋钠基材料化学通式为Bi_1/2Na_1/2TiO₃-xBaTiO_{3<与现有技术相比，本发明获得了高压电活性、低损耗、低漏导的高性能钛酸铋钠基与钛酸钡基多层复合无铅压电薄膜，在微执行器和驱动器领域具有很好的实用前景。}
钛酸铋钠基钛酸钡基多复合压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基高温电容器介质陶瓷的制备方法-CN201810512551.4有效
发明人：万玉慧;任鹏荣;唐磊;党旭阳 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠基高温电容器介质陶瓷的制备方法，首先进行配方计算，将称取一定质量的原始粉料进行一次球磨，球磨后进行预烧以合成主晶相；然后将预烧后的粉料进行二次球磨，随后采用等静压工艺成型；最后在一定的升降温速率、烧结温度和保温时间下进行烧结，得到致密且晶粒尺寸均匀的钛酸铋钠基高温电容器介质陶瓷。发明原料来源广泛，成本低，采用冷等静压成型技术结合传统固相反应法可实现钛酸铋钠基高温电容器介质陶瓷的制备，制备所得的陶瓷致密、晶粒尺寸均匀且介电性能优异，制备工艺简单，成本低且重复性好。
一种钛酸铋钠基高温电容器介质陶瓷制备方法

[发明专利]一种气体传感器、其制备方法和应用-CN201910108619.7有效
发明人：初宝进;陈攀;陈彩纹 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-02-03 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种气体传感器，包括：高温化学还原处理后的钛酸铋钠基铁电陶瓷层；分别设置于所述钛酸铋钠基铁电陶瓷层两侧的电极层。本发明提供的在钛酸铋钠基铁电陶瓷层材料两端进行的非对称化学还原，使其呈现出宏观电势差。
一种气体传感器制备方法应用

[发明专利]一种钛酸铋钠－钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法-CN200610119423.0无效
发明人：李永祥;伍萌佳;杨群保 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋钠—钛酸钡无铅压电陶瓷，属于无铅压电陶瓷制备领域。该钛酸铋钠—钛酸钡无铅压电陶瓷，其化学式为(Na_1/2Bi_1/2)_1－xBa_xTiO₃，其中SUB>、Bi₂O₃和纳米TiO₂混合按化学式配制成浆料，经丝网印刷所得到的陶瓷厚膜经裁切、叠压、排塑、烧结后可得到取向度因子高达92％的钛酸铋钠在无模板条件下，采可获得取向度因子为32％的钛酸铋钠—钛酸钡陶瓷。
一种钛酸铋钠钛酸钡压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸铋纳－钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法-CN200510041601.8无效
发明人：千学著;樊慧庆;刘来君;葛伟;柯善明;张耿 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷，含有三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡，化学计量比为(1－x)[(Na_0.5Bi_0.5)TiO_{本发明还公开了上述钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷的制备方法，经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂，在轧膜机上反复轧制，最终成型为方片，再将方片放入烘箱中烘干成素片，经过排胶、烧结、烧银，在放入硅油中极化，最终形成钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷。}
钛酸铋纳钛酸钡压电陶瓷及其制备方法