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[发明专利]一种具有包覆结构的钙钛矿纳米晶及其制备方法-CN201910566124.9有效
发明人：赵高凌;李华正;卢王威;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C01G21/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有包覆结构的钙钛矿纳米晶及其制备方法，该钙钛矿纳米晶包括小粒径钙钛矿纳米晶，以及包覆在小粒径钙钛矿纳米晶外的大粒径钙钛矿纳米晶；小粒径钙钛矿纳米晶的粒径为10～20nm；大粒径钙钛矿纳米晶的粒径为100～200nm；大粒径钙钛矿纳米晶呈立方体形，由小粒径钙钛矿纳米晶组装而成。本发明公开了一种具有全新形貌的钙钛矿纳米晶材料，兼具小尺寸钙钛矿纳米晶优异的光电性能，和大尺寸钙钛矿纳米晶的高稳定性与载流子迁移距离长等优点，有望在太阳能电池以及LED等光电领域有着广泛的应用前景。
一种具有结构钙钛矿纳米及其制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201811323274.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿薄膜，其包含有钙钛矿半导体化合物，所述钙钛矿半导体化合物的化学式为ABX3，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，可以调节钙钛矿晶体的生长过程，获得均匀、致密的钙钛矿薄膜，从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和长期稳定性。本发明还公开了包含有该钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明有效的调控钙钛矿的结晶行为，得到均匀致密、结晶度高的钙钛矿薄膜，方法简单，成本低。
钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件-CN202111593199.X有效
发明人：徐觅;黄福志;程一兵 -专利权人：佛山仙湖实验室
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及制备光电材料技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、光电器件。该钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：钙钛矿前驱液在基底上形成钙钛矿前驱液液膜，钙钛矿前驱液包含第一溶剂和钙钛矿前驱材料；将混合气体或气溶胶送入风刀，干燥，制得钙钛矿干膜，混合气体包括第二溶剂的蒸汽，气溶胶包括第二溶剂及第二溶剂的蒸汽，第二溶剂与第一溶剂具有互溶性；将钙钛矿干膜进行退火处理，制得钙钛矿薄膜。将反溶剂法与风刀吹气法有合起来，促进钙钛矿材料形核生长，从而制备出结晶均匀、无孔洞、高质量的钙钛矿薄膜。
钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池光电器件

[发明专利]高稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法-CN201810039344.1有效
发明人：陈炜;朱红梅 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法，高稳定性钙钛矿薄膜包括钙钛矿吸光层及由苯甲酰氰溶液修饰形成并包覆于钙钛矿吸光层外表面的疏水界面层；制备方法包括：将苯甲酰氰配制成表面修饰溶液；将钙钛矿薄膜浸泡于表面修饰溶液中本发明对常规的钙钛矿薄膜进行浸泡式表面修饰，可钝化钙钛矿吸光层、改善钙钛矿吸光层的质量、减少钙钛矿吸光层的缺陷态密度，提高高稳定性钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率；且苯甲酰氰作为表面修饰材料，可使钙钛矿吸光层外表面形成疏水界面层，其有利于增强高稳定性钙钛矿薄膜的疏水性，进而提高制备的钙钛矿太阳能电池的稳定性。
稳定性钙钛矿薄膜及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿单晶的制备方法-CN202210965230.6在审
发明人：唐江;牛广达;胡浩 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B7/04 文献下载
摘要：本申请涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种钙钛矿单晶的制备方法，所述方法包括将钙钛矿材料前驱体与有机溶剂以及纯水混合，获取钙钛矿溶液；在所述钙钛矿溶液中加入钙钛矿籽晶；挥发所述钙钛矿溶液，获取所述钙钛矿单晶通过本申请提供的方法，制备过程中，溶质利用率高，得到的单晶质量高、尺寸大，从而满足工业对钙钛矿单晶质量和尺寸的需求。
一种钙钛矿单晶制备方法

[发明专利]一种掺杂硫氰酸钾的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201810988707.6在审
发明人：闫小琴;张汝晓;李明华;席家豪;王贯勇 -专利权人：北京科技大学;贵州中水材料科技有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明所属钙钛矿太阳能电池领域，提供了一种掺杂硫氰酸钾的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所涉及钙钛矿电池其结构从下至上分别为FTO导电玻璃、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极。本发明旨在解决钙钛矿结晶性差和钙钛矿电池滞后较大的问题。通过在钙钛矿吸光层中掺杂硫氰酸钾的方法，可以改变钙钛矿的结晶动力学，促进晶粒的长大，钝化内部缺陷态，并且可以稳定钙钛矿的相结构，抑制离子迁移，从而可以有效提高钙钛矿的结晶质量，提高钙钛矿电池光电效率和稳定性
钙钛矿硫氰酸钾太阳能电池掺杂电池吸光层制备太阳能电池领域电子传输层钙钛矿结晶结晶动力学空穴传输层晶粒光电效率金属电极离子迁移内部缺陷滞后效应钝化滞后

[发明专利]一种钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法、钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法、光伏组件-CN202110927793.1在审
发明人：解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆;刘童 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法、钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低制备钙钛矿材料旁路二极管的难度。该钙钛矿材料旁路二极管的制备方法包括：提供一层钙钛矿材料层，对钙钛矿材料层进行处理形成P型钙钛矿材料区和N型钙钛矿材料区，从而形成钙钛矿材料旁路二极管。本发明提供的钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法、钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法、光伏组件用于制备光伏组件。
一种钙钛矿材料旁路二极管及其制备方法太阳能电池组件

[发明专利]一种钙钛矿薄膜、其制备方法和钙钛矿太阳能电池-CN202211458869.1在审
发明人：于越;白建明;赵玉琢;王琪;李治学;邢增杰;赵炳阳;王峰;税荣森 -专利权人：华电重工股份有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜、其制备方法和钙钛矿太阳能电池。所述钙钛矿薄膜，包括钙钛矿薄膜本体和覆盖在所述钙钛矿薄膜本体表面的钝化层，所述钝化层具有如式Ⅰ或式Ⅱ所示的结构，通过引入钝化层，可以钝化钙钛矿薄膜表面及晶界的缺陷。同时，可以隔离钙钛矿薄膜与水汽、氧气的接触，抑制钙钛矿的降解。所述钙钛矿薄膜可以用于制备钙钛矿太阳能电池，有效提升太阳能电池的光电转化效率，并提升其工作稳定性。
一种钙钛矿薄膜制备方法太阳能电池

[发明专利]钙钛矿电池及其制备方法、及钙钛矿电池组-CN202310262066.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：旗滨新能源发展（深圳）有限责任公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿电池及其制备方法、及钙钛矿电池组，所述钙钛矿电池包括前电极叠层、背电极叠层以及钙钛矿活性层，所述钙钛矿活性层包括引料层和设于所述引料层的钙钛矿材质，所述前电极叠层、所述引料层以及所述背电极叠层从下往上依次叠加设置，其中，所述引料层设有多个通孔，所述钙钛矿材质沿着所述通孔的孔隙分布。本发明方案的钙钛矿电池实现钙钛矿的均匀涂布，以及具有较多的吸光面积，以提升钙钛矿活性层的吸光性能。
钙钛矿电池及其制备方法电池组

[发明专利]打印钙钛矿晶体的方法及其应用-CN202310829208.3在审
发明人：孙洪波;林琳涵;陈学广;李正操 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种打印钙钛矿晶体的方法及其应用，上述打印钙钛矿晶体的方法包括：(1)将钙钛矿前驱体溶液设置在密封腔室内，钙钛矿前驱体溶液的上方具有气体区域且密封腔室的至少一面为透光面；(2)采用激光穿过透光面对钙钛矿前驱体溶液的待打印区域进行光激发，以使光激发的区域生成钙钛矿晶体。由此，可以得到具有优良光电性能的钙钛矿晶体，钙钛矿晶体加工分辨率极高，且极大简化了钙钛矿晶体生长和打印工艺，有利于实现钙钛矿晶体的商业化大批打印。
打印钙钛矿晶体方法及其应用

[发明专利]一种具有复合钙钛矿吸光层的钙钛矿太阳能电池-CN201811318936.3在审
发明人：王萌;韩阳 -专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有复合钙钛矿吸光层的钙钛矿太阳能电池，包括：导电玻璃；空穴传输层，位于所述导电玻璃上；复合钙钛矿吸光层，位于所述空穴传输层上；纳米二氧化钛/聚氨酯层，位于所述复合钙钛矿吸光层上；电子传输层，位于所述纳米二氧化钛/聚氨酯层上；对电极，位于所述电子传输层上。本发明实施例设置复合钙钛矿吸光层，改善钙钛矿膜连续性和均匀性不佳的问题，为大面积钙钛矿膜的制备奠定基础；在钙钛矿吸光层上制备疏水的纳米二氧化钛/聚氨酯层，减缓了钙钛矿材料的分解，延长了钙钛矿太阳能电池的寿命
一种具有复合钙钛矿吸光层钙钛矿太阳能电池

[发明专利]钙钛矿墨水、钙钛矿薄膜的制备方法与显示面板-CN202010286502.0在审
发明人：吴永伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C09D11/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿墨水、钙钛矿薄膜的制备方法与显示面板，所述钙钛矿墨水包括：钙钛矿前驱体、热固化单体、预聚物、引发剂以及极性溶剂，其中，所述钙钛矿前驱体、热固化单体、预聚物、引发剂以及极性溶剂的质量比为使用极性溶剂可一定程度提升钙钛矿墨水中的钙钛矿含量，将该钙钛矿墨水应用于喷墨打印工艺后，通过加热，实现墨水体系的交联固化，获得均一稳定且高亮的钙钛矿薄膜。
钙钛矿墨水薄膜制备方法显示面板

[发明专利]钙钛矿薄膜层及其制备方法、钙钛矿硅叠层太阳电池及其制备方法-CN202310928947.8在审
发明人：郭盈;邢国强;张一峰;龙巍 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜层及其制备方法、钙钛矿硅叠层太阳电池及其制备方法。该钙钛矿薄膜层包括堆叠于所述钙钛矿太阳电池中氧化镍空穴传输层表面的钙钛矿埋底修饰层以及堆叠于所述钙钛矿埋底修饰层表面的钙钛矿吸光层，所述钙钛矿埋底修饰层中掺杂肼和/或肼衍生物。该钙钛矿薄膜层与氧化镍空穴传输层界面处的钝化和修饰效果较佳，缺陷较少，稳定性高，且不易发生分解。
钙钛矿薄膜及其制备方法钙钛矿硅叠层太阳电池

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池-CN202111587937.X在审
发明人：何嘉伟;戴伟;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿太阳能电池的制作方法和钙钛矿太阳能电池。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的玻璃基底、导电层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和电极，钙钛矿太阳能电池还包括第一凹槽和设于第一凹槽的钙钛矿保护层，第一凹槽贯穿电子传输层、钙钛矿光吸收层和空穴传输层，钙钛矿保护层形成有第二凹槽，电极包括第一导电部和第二导电部，第一导电部与电子传输层层叠设置，第二导电部穿设于第二凹槽并抵触导电层，钙钛矿保护层用于间隔钙钛矿光吸收层和第二导电部。如此，通过钙钛矿保护层，避免了钙钛矿光吸收层与电极直接接触导致的钙钛矿光吸收层的分解，可以提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
一种钙钛矿太阳能电池制作方法

[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202010426149.1有效
发明人：吴永伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，钙钛矿发光二极管的制备方法包括：提供一基板，在基板上形成第一电极层，在第一电极层上形成空穴传输层，在空穴传输层上设置钙钛矿前驱液层，将第一溶剂涂覆于钙钛矿前驱液层，对涂覆有第一溶剂的钙钛矿前驱液层进行第一次热处理使钙钛矿前驱液层形成钙钛矿预制层，将第二溶剂涂覆于钙钛矿预制层，对涂覆有第二溶剂的钙钛矿预制层进行第二次热处理使钙钛矿预制层形成钙钛矿发光层，在钙钛矿发光层依次层叠设置电子传输层和第二电极层在本申请中，通过二次反溶剂法制备钙钛矿发光层，延缓了结晶过程，提升结晶的规整度与可控性，进而提高了钙钛矿发光二极管的发光效率。
钙钛矿发光二极管及其制备方法