专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种单晶纳米环及其制备方法与应用-CN201910390214.7在审
  • 万立骏;陈尧轩;胡劲松 - 中国科学院化学研究所
  • 2019-05-10 - 2020-11-10 - B81B1/00
  • 本发明公开了一种单晶纳米环及其制备方法与应用。所述单晶纳米环具有环状形貌和单晶结构,是独立、连续的纳米环,形貌规则,没有可见的和孔隙等表面缺陷结构,具有好的晶体质量。本发明通过将基底形成二维限域空间,前驱溶液和极性有机溶剂形成的介稳溶液在二维限域空间生长为单晶纳米环结构,本发明通过基底二维限域空间以及溶剂调控工程制备单晶纳米环,相对于其他方法,该方法耗能小,成本低,工艺简单,产物明确,产物构形单一,适于大规模化生产;本发明单晶纳米环为单晶结构,具有较高的晶体质量,无,缺陷密度小,在激光等领域具有巨大的潜在应用价值。
  • 一种钙钛矿单晶纳米及其制备方法应用
  • [发明专利]一种薄膜缺陷的钝化方法-CN202310714193.6在审
  • 王权;程培宇;陈明明 - 江苏大学
  • 2023-06-14 - 2023-08-04 - H10K71/15
  • 本发明公开了一种薄膜缺陷的钝化方法,属于光电器件技术领域。本发明在前驱液中添加ZIF‑67,其规则的支架结构可使在结晶的初始阶段有序排列,从而有效调控薄膜生长,减少。此外,ZIF‑67释放部分Co离子填补铅空位,与卤素离子形成强健结合,可以有效减少薄膜的缺陷态形成,降低载流子传输过程中的非辐射复合损耗,提高载流子寿命近1.7倍,具有很强的实用性。
  • 一种钙钛矿薄膜缺陷钝化方法
  • [发明专利]一种离子凝胶掺杂的薄膜、光电器件-CN202210676200.3在审
  • 董庆锋;康一飞 - 吉林大学
  • 2022-06-15 - 2022-09-06 - H01L51/42
  • 本发明公开了一种离子凝胶掺杂的薄膜、光电器件,属于光电器件领域,本发明所要解决的技术问题在于克服现有易受应力破坏及柔性器件抗弯折能力差的问题,寻求一种更有效的添加剂可以同时提升电池的效率和机械稳定性,本发明中将离子凝胶引入薄膜,将显著提升的断裂能,并钝化缺陷。其中离子液体的质量分数为30%‑80%,高分子有机聚合物的单体包括具有刚性的聚合物的单体A和柔性的聚合物的单体B,质量比A:B为(1:10)~(1:2);此外,离子液体和聚合物官能团对机械性能的调控可以与及表面的钝化相结合,以此来同时提升光电器件尤其是柔性器件的光电转换效率和机械稳定性。
  • 一种离子凝胶掺杂钙钛矿薄膜光电器件
  • [发明专利]一种准单晶薄膜的制备方法-CN201910666066.7有效
  • 杨冠军;楚倩倩;丁斌;李长久;李成新 - 西安交通大学
  • 2019-07-23 - 2021-08-13 - H01L51/48
  • 本发明公开一种准单晶薄膜的制备方法,包括:步骤1,在基体表面制备得到晶粒尺寸小于或等于300nm的小晶粒ABX3薄膜;步骤2,将含有步骤1制备的小晶粒ABX3薄膜的基体转移到含有AX的饱和气氛的密闭装置中,加热到50‑400℃的温度保温5‑90min;这段保温时间内晶粒在扩散作用下发生快速长大,制备得到准单晶薄膜。本发明将制备的小晶粒薄膜放置在含有AX饱和蒸气压的密闭环境中,使得薄膜在AX的饱和蒸汽中,再溶解结晶成准单晶薄膜,大大减少了缺陷,降低了缺陷密度。而且避免了在制备准过程中由于从中逸出的有机阳离子或卤化物阴离子造成的表面和缺陷。
  • 一种准单晶钙钛矿薄膜制备方法
  • [发明专利]一种从铅卤材料中提取残余碘化铅的方法-CN202210145785.6在审
  • 方国家;王海兵 - 武汉大学
  • 2022-02-17 - 2022-06-03 - C09K11/06
  • 本发明公开了一种从铅卤材料中提取残余碘化铅的方法,包括以下步骤:将铅盐前驱体溶液涂覆在基底上,退火结晶处理,形成铅盐薄膜;将胺盐前驱体溶液、油胺盐前驱体溶液依次涂覆在铅盐薄膜上,以形成前体薄膜;将基底和前体薄膜在大气环境中退火结晶处理,以形成材料。该方法将铅卤材料中的残余碘化铅从间提取至晶粒表面,降低了缺陷态密度,制备的材料可使太阳能光伏器件的光电转化效率有效提升,最高可达24.28%,并且器件的稳定性得到明显提升
  • 一种铅卤钙钛矿材料提取残余碘化方法
  • [发明专利]一种压力协助制备高质量薄膜的方法-CN201910821531.X有效
  • 罗军生;贾春阳;万中全 - 电子科技大学
  • 2019-09-02 - 2021-08-06 - H01L51/48
  • 一种压力协助制备高质量薄膜的方法,属于光电薄膜制备技术领域。首先,在基底上制备前驱体薄膜;然后,将两个带前驱体薄膜的基底相对放置,使前驱体薄膜紧贴在一起,并在顶部薄膜上方施加压力,底部薄膜上加热退火,缓慢生长晶体;退火结束后,取下顶部带薄膜的基底,即可得到所述高质量的底部薄膜。本发明方法制备得到的薄膜具有微米级的晶粒、微秒级的载流子寿命、高的结晶性、少的和低的缺陷态密度,有效提升了薄膜的光电性能及长期稳定性,相应地提升器件性能。
  • 一种压力协助制备质量钙钛矿薄膜方法

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