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[发明专利]金属通孔熔丝-CN201210533653.7有效
发明人：林松杰;许国原;廖唯理;陈昀翰;洪哲民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本文公开的方法和结构的实施例提供了形成和编程金属通孔熔丝的机制。金属通孔熔丝和编程晶体管形成一次性可编程(OTP)存储单元。金属通孔熔丝具有高阻抗并且可以以低编程电压进行编程，这扩展了编程窗口。
金属通孔熔丝

[实用新型]非金属通孔成型器-CN201821892456.3有效
发明人：左明璐;王继林;妙丛;汤梦希;祁兵霞 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： B26F1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了非金属通孔成型器，该装置包括上盖、中套杆、冲头组件，按压部件，冲头组件又包括N个活动梁盖板、活动梁、N个弹簧、N个冲头，N≥1，按压部件固定在上盖板的一端，上盖的另一端与中套杆的一端枢轴连接，中套杆的一端的另一端底部设置有通孔，中套杆为开口朝上的凹槽结构，活动梁也为开口朝上的凹槽结构，活动梁嵌入在中套杆凹槽结构底部，活动梁顶部依次固定安装有N个活动梁盖板，活动梁盖板中心设有一侧开口的U型凹槽，冲头套在弹簧中，两端露出弹簧外，弹簧一端通过卡扣方式固定在活动梁盖板U型凹槽上，另一端通过一个圆环紧箍在冲头外周，N个冲头安装后排列在中套杆的中心轴线上，冲头被按压部件按下时从中套杆底部通孔伸出。
活动梁中套杆弹簧冲头凹槽结构盖板通孔按压部件冲头组件开口朝上成型器上盖被按压部件本实用新型底部通孔盖板中心卡扣方式枢轴连接中心轴线冲头套上盖板按下紧箍套杆外周圆环嵌入开口伸出

[发明专利]硅通孔的超导金属-CN201780090283.5有效
发明人： D·亚伯拉罕;J·M·科特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体结构和形成该半导体结构的方法通常包括提供夹在第一硅衬底和第二硅衬底之间的热压结合的超导金属层。第二衬底包括到热压结合的超导金属层的多个硅通孔。在电镀过程中，使用热压结合的超导金属层作为底部电极，将第二种超导金属电镀到硅通孔中，其中填充是从底部向上进行的。
硅通孔超导金属

[实用新型]金属通孔电阻的测试结构-CN201620585899.2有效
发明人：徐俊杰;张前江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属通孔电阻的测试结构，所述测试结构包括：四个金属块组，分别为第一金属块组、第二金属块组、第三金属块组和第四金属块组；在每一个所述金属块组中，包括自下至上依次堆叠的N层金属块和一顶层金属块，所述顶层金属块与第N层金属块通过金属通孔连通，N为正整数；第N层桥接金属条和顶层桥接金属条；待测金属通孔，位于所述第N层桥接金属条和所述顶层桥接金属条之间。本实用新型提供的测试结构能够精确测量多层结构晶片中待测金属通孔的电阻值，从而准确判断和分析出晶片结构中顶层金属层和顶层下方的金属层之间的电路导通情况。
金属电阻测试结构

[实用新型]金属铸件细长通孔铸造装置-CN200520079720.8无效
发明人：马海印;朱建军;倪祖荣 -专利权人：陕西柴油机重工有限公司
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： B22D25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属铸件细长通孔铸造装置，它包括砂箱和设置在砂箱内的无缝钢管，所述无缝钢管内中心部位横穿有一根金属芯管，无缝钢管内壁与金属芯管外壁之间填充有树脂砂，无缝钢管两端设置有将金属芯管支撑在无缝钢管中心部位的开口堵头，金属芯管的两端通过螺栓锁紧在砂箱上，金属芯管上位于无缝钢管管腔段开有进气孔，金属芯管上位于开口堵头外侧端设置有销子，螺栓内开有与金属芯管管腔相通的排气孔。
金属铸件细长铸造装置

[发明专利]陶瓷通孔基板、金属化陶瓷通孔基板、它们的制造方法-CN201180034230.4有效
发明人：高桥直人;山本泰幸 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种能够采用简便方法制造的陶瓷通孔基板，其是在陶瓷烧结体基板上形成导电性通孔而成的陶瓷通孔基板，该陶瓷通孔基板具有在贯通孔中密填充导电性金属而得到的所述导电性通孔，所述导电性金属包含熔点为600℃以上且1100℃以下的金属（A）、熔点高于该金属（A）的金属（B）、以及活性金属，所述导电性通孔与所述陶瓷烧结体基板的界面形成有活性层。
陶瓷通孔基板金属化它们制造方法

[发明专利]金属层间通孔形成方法-CN202210057474.4在审
发明人：叶晓 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属层间通孔形成方法，在介质凹槽侧壁上保留一定厚度的绝缘层材料，在后续对介质凹槽及对应通孔实施金属层间介质一体化刻蚀时，由于介质凹槽侧壁有绝缘层材料残余的保护，介质凹槽的开口尺寸保持不变不会变大，同时也是介质凹槽侧壁的残余绝缘层材料的作用，通孔相对底层金属即使有移位也不会偏移出相应的位线的底层金属外面，不会因通孔移位造成的某一边的金属间距更小，避免相邻通孔之间出现金属短接风险，增加了底层金属的通孔区域的工艺窗口，增加了次工艺的窗口边距，从而提升了金属层间通孔形成工艺的健康度。
金属层间通孔形成方法

[发明专利]硅通孔金属柱背面互联方法-CN201410459812.2有效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种硅通孔金属柱背面互联方法，包括：以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在凸点表面形成凸点下金属层，该硅基板上包括至少一个硅通孔金属柱；在相邻的固定数目的凸点对应的凸点下金属层上形成锡球，该锡球环包所述固定数目的凸点下金属层，以实现对应的硅通孔金属柱背面互联。
硅通孔金属背面方法

[发明专利]改善通孔金属连接缺陷的方法-CN200610119157.1有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种改善通孔金属连接缺陷的方法，包括下列步骤：在金属层上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成图案化第一光阻层；以第一光阻层为掩膜，蚀刻氧化硅层至露出金属层，形成接触孔；去除第一光阻层；在氧化硅层形成抗反射层，且抗反射层填充满接触孔；在抗反射层上形成图案化第二光阻层；以第二光阻层为掩膜，蚀刻抗反射层和氧化硅层，形成开口宽度大于等于500nm的沟槽，与接触孔连通构成通孔；去除第二光阻层和抗反射层；在通孔内填充满金属经过上述步骤，后续沉积的材料，不会陷于通孔内的孔洞中，进而实现提高元件之间电性能。
改善金属连接缺陷方法

[发明专利]具有金属通孔的半导体器件-CN201810576623.1有效
发明人：洪瑟气;申宪宗;全辉璨;郭玟燦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：金属通孔位于所述衬底上方的比所述接触塞的上表面高的第一水平高度且与所述有源鳍间隔开。金属线位于所述衬底上方的比所述第一水平高度高的第二水平高度且连接到所述金属通孔。通孔连接层从所述接触塞的上部部分延伸且连接到所述金属通孔。本公开提供一种具有新颖的互连结构的半导体器件，所述新颖的互连结构与相邻组件之间的短接缺陷的量减少。
具有金属半导体器件

[发明专利]硅圆片通孔金属填充工艺-CN201210017864.5无效
发明人：刘胜;陈照辉;陈润 -专利权人：刘胜
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅圆片通孔金属填充工艺，其特征在于所述硅圆片通孔内通过电镀金属，并通过热处理工艺在硅圆片上的通孔内形成填充金属，工艺步骤为：在硅圆片上刻蚀孔；在硅圆片表面形成一层绝缘层；在绝缘层表面溅射一层粘附层、阻挡层、种子层；采用光刻工艺暴露出孔；经电镀在孔内壁形成金属；利用光刻胶保护通孔填充金属部分，去除圆片表面的种子层和粘附层；在惰性气体的保护下进行热处理，形成通孔内填充金属。本发明的优点是工艺简单、具有高电导率、高可靠性的硅圆片通孔金属填充的方法，为硅通孔(TSV)技术提供了一条新的解决方案。
硅圆片通孔金属填充工艺

[发明专利]穿硅通孔的铜金属填充-CN200880109795.2有效
发明人：托马斯·B·理查德森;张云;王晨;文森特·潘卡索;王材;林璇;理查德·赫特拜斯;约瑟夫·A·阿贝斯 -专利权人：恩索恩公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种对半导体集成电路元件基材中的穿硅通孔进行金属填充的方法，该方法包括将所述半导体集成电路元件之基材浸渍于一种电解铜沉积组合物中，该组合物包含一种铜离子源，一种有机磺酸或无机酸，或者一种或多种选自于极化剂及
穿硅通孔金属填充

[发明专利]一种金属化硅通孔的制备方法、金属化硅通孔及滤波器-CN202211059901.9有效
发明人：王矿伟;钱盈;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州臻芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属化硅通孔的制备方法、金属化硅通孔及滤波器。该金属化硅通孔的制备方法包括提供衬底；在衬底的表面形成硅通孔；对硅通孔进行金属化处理，以在硅通孔内形成导电层，其中，导电层延伸至衬底的表面；在衬底表面设置有导电层的一侧形成钝化层；对钝化层进行图形化，以在钝化层形成第一开口结构，其中，第一开口结构包括第一子开口结构，第一子开口结构和硅通孔连通；对钝化层进行坚膜处理。本申请实施例提供的技术方案，避免了钝化层在坚膜处理过程中，钝化层在金属化硅通孔内挥发的气体的作用下出现鼓起或者破裂的现象，进而提高了钝化层和滤波器的良率。
一种金属化硅通孔制备方法滤波器

[发明专利]通孔-CN202110285711.8在审
发明人：卢孟珮;郭子骏;杨士亿;李明翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种通孔。通孔包括中间部分，位于内连线层介电层中的通孔开口中；顶部，包含顶端延伸高于通孔开口并横向延伸出通孔开口的上侧边缘；以及底部，包含底端延伸低于通孔开口并横向延伸出通孔开口的下侧边缘。通孔的组成可为耐火材料。
通孔

[发明专利]通孔及通孔形成方法-CN200710094495.9有效
发明人：陈国海;苏娜;聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔形成方法，包括：在半导体基底上形成介质层；图形化所述介质层，以形成接触孔；形成覆盖所述接触孔的粘接金属层和第一合金层；在所述第一合金层上形成第二合金层，所述第二合金层中的碳、氧含量高于所述第一合金层中的碳、氧含量；形成覆盖所述第二合金层并填充所述接触孔的连接金属层，形成通孔。可减小形成的通孔中产生孔洞的可能性。还提供了一种通孔，形成所述通孔时可减小产生孔洞的可能性。
形成方法

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