专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]金属-绝缘-金属电容器-CN201520792014.1有效
  • 陈俭;张智侃 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2015-10-13 - 2016-04-20 - H01L23/522
  • 本实用新型提供一种金属-绝缘-金属电容器,适于应用于集成电路的片内电容,包括:第一金属,于第一金属上定义有非电容区域、电容区域;于电容区域中的第一金属表面上设置的若干围堰侧墙,围堰侧墙包括位于底部的第一介质及位于第一介质上的第一阻挡,围堰侧墙对应有凹槽;于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质、电容上极板;于电容上极板上设置的导电塞;于导电塞上设置的第二金属
  • 金属绝缘电容器
  • [实用新型]金属-绝缘-金属电容器-CN201520800265.X有效
  • 张智侃;陈俭;张斌 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2015-10-13 - 2016-03-02 - H01L23/522
  • 本实用新型提供一种金属-绝缘-金属电容器,适于用于集成电路的片内电容,包括:第一金属;位于第一金属表面的第一介质,第一介质上定义有电容器区域;位于电容区域的第一介质中的若干通孔或沟槽,通孔或沟槽暴露出第一金属表面;于第一介质表面、通孔或沟槽的侧壁以及暴露出的第一金属表面依次形成的电容下极板、电容介质、电容上极板;填充于通孔或沟槽中的导电塞;位于第一介质上的第二金属
  • 金属绝缘电容器
  • [实用新型]金属-绝缘-金属电容器-CN201721112455.8有效
  • 丁启源;王富中;杨双越;李建明 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2017-09-01 - 2018-05-01 - H01L23/522
  • 本实用新型提出一种金属‑绝缘金属电容器,适于应用于集成电路的片内电容,由下至上包括第一金属金属、第二金属,各金属之间由绝缘彼此间隔;第一金属包括第一金属A区域和第一金属B区域,金属包括金属A区域和金属B区域;MIM­_A电容器的下极板第一金属A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属B区域通过第二金属的部分连线相连,MIM­_A电容器的上极板层间金属A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属B区域通过第二金属的另一部分连线相连,降低了电容器上极板的连线阻抗,因此不再需要大面积的第二金属来降低上极板的连线阻抗,从而节省了第二金属的占用面积,提高了芯片面积的利用效率
  • 金属绝缘电容器
  • [发明专利]在线探测连接光缆金属护套的装置-CN201010112983.X无效
  • 郑云松 - 中国电信股份有限公司扬州分公司
  • 2010-01-29 - 2010-08-25 - G01V11/00
  • 本发明涉及一种在线探测连接光缆金属护套的装置,属于光纤通信设备技术领域,由V型托板机构、V形压板机构、旋转机构和固定有穿刺刀头的穿刺盒体构成,在V形压板和V型托板间相应槽内放入光缆,按下开关,转动把手使螺旋内轴带动穿刺盒体上升,穿刺盒体推进V型压板向V型托板靠近,在弹簧的作用力下,不断紧固光缆,当弹簧被压缩到一定程度后,两穿刺刀头通过V型压板中的进刀孔,刺向光缆外皮,进一步转动把手,推进刀头,两刀头刺穿光缆外皮接触到铝箔,此时可将光缆路由探测仪的放音线插入本发明中的信号插孔,将信号输入光缆铝箔,实现路由探测。
  • 在线探测连接光缆金属护套装置
  • [发明专利]MEMS产品中钛金属连接刻蚀去胶工艺-CN202311064172.0在审
  • 朱景春;李海涛;王玮;高玉波;周思豪;陈国雪;姚祥 - 安徽光智科技有限公司
  • 2023-08-22 - 2023-10-10 - B81C1/00
  • 一种MEMS产品中钛金属连接刻蚀去胶工艺包括步骤:步骤一,提供待刻蚀的复合膜,复合膜包括从硅衬底、氮化硅膜、钛薄膜以及铝膜;步骤二,图形化设置光刻胶铝膜上,以使光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜且使光刻胶露出与光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜相邻两侧的部分的顶层的铝膜;步骤三,将复合膜置于湿法刻蚀的第一腔室中,在第一腔室中从露出的顶层的铝膜的部位刻蚀;步骤四,采用湿法去胶;步骤五,将步骤四完成的复合膜图形化设置光刻胶,形成沟槽;步骤六,将步骤五完成的复合膜置于第二腔室中,沿着沟槽进行钛薄膜刻蚀;步骤七,光刻胶去除设备中去胶;步骤八,在钛薄膜以及铝膜上长膜形成氮化硅覆盖层。
  • mems产品金属连接刻蚀工艺
  • [发明专利]金属连接孔包裹程度的检查方法-CN201811607229.6有效
  • 赵璇;王丹;于世瑞 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-12-27 - 2020-10-02 - H01L21/66
  • 本发明提供一种金属连接孔包裹程度的检查方法,提供金属目标图形并生成其外轮廓的目标曲线;提供连接孔图形并标记该连接孔图形四边的中心位置;设定一安全阈值,根据所述连接孔图形四边的中心位置分别到所述目标曲线的距离,标记所述距离中小于所述安全阈值的边的个数;对每个连接孔小于安全阈值的不同的边的个数,设定不同的单边、邻边或相对边的计算方法及过滤阈值,最终筛选出金属连接孔的包裹程度不好的点。本发明能够达到与在生成光罩后用模拟图形验证同样的效果,提早发现问题,快速检验出金属连接孔包裹程度,减少脚本总运算时间,提高OPC处理效率。
  • 金属连接包裹程度检查方法
  • [发明专利]改善金属-绝缘介质-金属失配参数的方法-CN201310217820.1有效
  • 胡友存;姬峰;李磊;陈玉文 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-06-03 - 2013-09-18 - H01L21/768
  • 一种改善金属-绝缘介质-金属失配参数的方法,包括:对具有所述金属铜填充的基底进行化学机械研磨,并淀积刻蚀阻挡;对刻蚀阻挡进行光刻、刻蚀、清洗,以形成接触区域;在所述刻蚀阻挡和所述接触区域淀积第一氮化钽;对所述第一氮化钽进行化学机械研磨;淀积绝缘介质,以形成第一接触界面;在所述绝缘介质上淀积第二氮化钽;对所述第二氮化钽进行光刻、刻蚀、清洗,以形成第二接触界面;在所述器件区和所述互连区处实现铜互连。本发明通过在所述器件区的第一金属铜上沉积第一氮化钽,并与所述绝缘介质相邻,使得第二接触界面和第一接触界面具有相同材质,且表面粗糙度得到改善,从而在电学性能上改善了失配参数。
  • 改善金属绝缘介质失配参数方法
  • [实用新型]金属-CN202120967436.3有效
  • 向纯斌;叶满林;王成钢;罗贤 - 惠州市诚业家具有限公司
  • 2021-05-07 - 2022-06-17 - A47B96/20
  • 本实用新型提供一种金属板,包括呈方形的主体板,主体板两端分别呈直角折弯形成有端板,每一端板的两端均呈直角折弯形成有竖向折边及水平折边,水平折边与主体板平行设置,每一竖向折边的一端抵持于对应的水平折边表面本实用新型提供的金属板制造简单便捷,制造成本较低,结构强度较高,且易于实现大批量自动化生产。
  • 金属

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