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- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202010401650.2有效
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熊伟;陈华伦;徐晓俊;张剑
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华虹半导体(无锡)有限公司
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2020-05-13
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2022-06-07
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H01L21/336
- 本申请公开了一种半导体器件的制造方法,涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底,衬底的存储器件区域形成有闪存器件的栅极结构;对逻辑器件区域进行阱区离子注入;依次形成栅氧化层和多晶硅层;通过光刻工艺打开存储器件区域,封闭逻辑器件区域;去除存储器件区域对应的多晶硅层、栅氧化层和氮化硅层;对逻辑器件区域对应的多晶硅层进行N型掺杂;刻蚀逻辑器件区域对应的多晶硅层形成逻辑器件的多晶硅栅。本申请通过合理的工艺方法包括工艺顺序,可在嵌入式闪存工艺集成中特别是有N型多晶硅注入掺杂的先进工艺中,避免因集成嵌入式闪存而对逻辑区域栅极多晶硅的厚度及POLY电阻带来的显著影响而产生功能失效。
- 半导体器件制造方法
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