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[发明专利]多通路触摸接触跟踪-CN201210052934.0有效
发明人：赵伟东;D.A.斯蒂芬斯;A.乌泽莱克 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：在多通路触摸接触跟踪的实施例中，触摸输入传感器数据被辨识为触摸屏显示器上接触的一系列分量。可以基于包括分量的正向最近邻近者接触映射和分量的反向最近邻近者接触映射的多通路最近邻近者接触映射来确定分量与接触相关。可以随后关联分量以表示接触的轨迹。还可以确定接触的后续分量并使之与接触的先前分量相关联以进一步表示接触的轨迹。
通路触摸接触跟踪

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202110587998.X在审
发明人：李昇珉;金俊亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：外围电路结构包括：在衬底上的下布线；在下布线上的停止绝缘层；在下布线上的接触通路；停止绝缘层上的浮置通路；以及，在接触通路上的上布线。浮置通路不接触下布线。接触通路穿过停止绝缘层中的通路孔接触下布线。上布线接触接触通路。
三维半导体存储器件

[发明专利]节点接触的电阻测量方法及设备-CN202210871073.2在审
发明人：姜焕德 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种节点接触的电阻测量方法及设备，该方法包括：从DRAM上确定至少三条通路，每条通路依次包括：第一部件、DRAM上晶体管的衬底以及第二部件，第一部件为DRAM的第一主体，第二部件为DRAM的节点接触或第二主体，不同通路包括不同长度的衬底；对通路进行测试以获取通路的通路电阻；根据通路电阻确定节点接触的电阻。每条通路的通路电阻与通路中包括的各个结构的电阻构成一个方程式，从而得到多个这样的方程式。这样，可以结合多个方程式求解得到通路中的节点接触的电阻。求解得到的节点接触的电阻就是从通路的通路电阻中提取的节点接触的电阻，并不包括通路中主体的电阻和衬底的电阻，提高了节点接触的电阻准确度。
节点接触电阻测量方法设备

[发明专利]压缩机中的流体通路封闭系统-CN201210033996.7有效
发明人：米田正人;永井宏幸;清水厚视 -专利权人：株式会社丰田自动织机
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：一种压缩机中的流体通路封闭系统，该流体通路封闭系统包括流体通路、密封盖单元以及流动空间。形成在压缩机的壳体中的流体通路包括大直径通路、小直径通路、形成在大直径通路与小直径通路之间的圆筒形凸出部以及形成于圆筒形凸出部中的平坦部。大直径通路形成在流体通路的开口侧并连接于小直径通路。封闭流体通路的密封盖单元包括平坦密封表面以及压接触表面。平坦密封表面与平坦部接触以封闭流体通路。压接触表面形成为压靠于周壁表面，从而使得密封盖单元保持在流体通路中。流动空间形成在压接触表面与周壁表面之间。
压缩机中的流体通路封闭系统

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201811561259.8在审
发明人：俞宗铉;金恩美;金俊;金昶和;朴商秀;边炅来;宋相勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
绝缘层图像传感器像素区域光电转换器件透明电极保护膜开口存储节点通路接触电连接光电层滤色器上表面基板填充制造穿过暴露

[发明专利]设有多个通路接触装置的衬底-CN200510092179.9无效
发明人：吉冈丰吉;伊藤和彦 -专利权人：株式会社太空思科
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底，其中设置有多个通路接触装置，且其中每个通路接触装置包括作为通孔而形成于衬底中的通路孔；沉积在通路孔的内周面上的金属膜；以及填充在由金属膜限定的空腔中的焊料。
设有通路接触装置衬底

[发明专利]形成集成电路器件的方法-CN202010993772.5在审
发明人：裵泰龙;徐训硕;朴气玄;李学善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：形成集成电路器件的方法可以包括在衬底上形成第一绝缘层和通路接触。衬底可以包括面对通路接触的上表面，通路接触可以在第一绝缘层中并且可以包括面对衬底的下表面以及与下表面相反的上表面。该方法还可以包括在通路接触上形成第二绝缘层和金属线。金属线可以在第二绝缘层中，并且可以包括面对衬底并且与通路接触的上表面接触的下表面。金属线的下表面和金属线与通路接触之间的界面均可以在与衬底的上表面平行的水平方向上具有第一宽度。
形成集成电路器件方法

[发明专利]电通路连接和关联的接触部件以及它们的制造方法-CN200580031326.X无效
发明人： R·利尔杰达尔;G·古斯塔夫森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：在有机电子电路，具体地说是存储电路中，提供一种电通路连接和关联的接触部件，与包含各种有机化合物的活性有机介电材料层对接。通路连接是提供在延伸过活性介电材料的通路开口中，并与其两侧的第一和第二电接触部件连接。第二接触部件包含直接沉积在活性介电层上的第一层化学惰性和不反应导电材料、以及作为第一层之上的第二层并在向下至第一接触部件的通路开口中提供的导电材料，创建穿过活性介电层的通路连接并连接第一和第二接触部件。在制造这种电通路连接和此类关联的接触部件的方法中，将第二接触部件中的第一层沉积在活性介电层上。第一层由化学惰性和不反应导电材料组成。通路开口形成为穿过第二接触部件的活性介电层，第二接触部件由沉积在第一层之上和通路开口中的导电材料组成，以建立通过它们的期望通路连接。
通路连接关联接触部件以及它们制造方法

[发明专利]包括通路的集成电路器件及其形成方法-CN202310174654.5在审
发明人：崔宰铭;徐康一;李长根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：集成电路器件可以包括下金属通路、上金属通路、包括接触下金属通路的下表面和接触上金属通路的上表面的下金属线、以及在上金属通路上的上金属线。上金属通路位于下金属线和上金属线之间，并且下金属通路、下金属线和上金属通路中的每个包括钌(Ru)或钼(Mo)。
包括通路集成电路器件及其形成方法

[发明专利]一种闪存卡及其读卡设备插座和数据传输方法-CN200810104386.5有效
发明人：曹会扬;姜涌;杨光敏 -专利权人：普天信息技术研究院有限公司
申请日： 2008-04-22 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G06F3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存卡及其读卡设备插座和数据传输方法，在所述闪存卡上设置至少一组扩展管脚，在读卡设备的插座上设置对应所述扩展管脚的扩展接触针；所述闪存卡插入读卡设备的插座后，主管脚与接触针相接触形成主总线传输通路，所述扩展管脚与扩展接触针相接触形成扩展总线传输通路；读卡设备通过所述主总线传输通路，向闪存卡发送指示命令，指示所述主总线传输通路与所述扩展总线传输通路的使用方式；读卡设备和闪存卡按照所述使用方式，通过主总线传输通路和/或扩展总线传输通路进行数据传输。本发明闪存卡具有灵活的总线传输通路工作机制，并且相对于常用闪存卡接口来说大幅提高了所能提供的最大数据传输速度。
一种闪存卡及其设备插座数据传输方法

[发明专利]打入机-CN202080082369.5在审
发明人：藤泽洸平 -专利权人：工机控股株式会社
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B25C1/04 文献下载
摘要：本发明提供能抑制相对于阀座接触及离开的阀芯的强度降低的打入机。一种打入机(10)，具有能够工作的冲击部(13)、利用气体的压力使冲击部(13)工作的活塞上室(32)、壳体(11)、设于壳体(11)内的头盖(27)、设于头盖(27)的通路(29)、以及以能够工作的方式设于壳体(11)内且开闭通路(29)的排气阀(30)，其中，排气阀(30)具备接触部(80)以及非接触部(81)，接触部(80)在通路(29)的径向上相比通路(29)在外侧相对于头盖(27)接触及离开，非接触部(81)在通路(29)的径向上相比接触部(80)设于内侧，在接触部(80)与头盖(27)接触的状态下，非接触部(81)设于从头盖(27)离开的位置。
打入

[发明专利]用于燃料电池的分隔件-CN202210990668.X在审
发明人：青野晴之;河边聪 -专利权人：丰田纺织株式会社
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01M8/0265 文献下载
摘要：一种用于燃料电池的分隔件，其包括接触表面。槽通路并排配置在接触表面中。槽通路包括在配置方向上彼此相邻的第一槽通路和第二槽通路。接触表面包括位于第一槽通路和第二槽通路之间的肋。肋包括至少一个宽区段。第一槽通路包括与所述至少一个宽区段相邻的至少一个第一邻接区段。第二槽通路包括与所述至少一个宽区段相邻的至少一个第二邻接区段。第一邻接区段的通流截面积小于第二邻接区段的通流截面积。
用于燃料电池分隔

[发明专利]包括具有集成的隔热装置的平行通路接触器的吸附器-CN201280021469.2有效
发明人： B·达维迪安 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： B01D53/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于吸附流体的吸附器，包括具有至少两个平行通路接触器的塔柱，该至少两个平行通路接触器沿要被吸附的流体的流向串连布置，并且都包括内隔热装置。每个平行通路接触器都具有通道，所述通道从平行通路接触器的外周开始在20cm的向心径向距离上至少部分地被阻塞。
包括具有集成隔热装置平行通路接触器吸附

[实用新型]一种改进的电子式接触器控制回路-CN200920139318.2有效
发明人：李卫红;陈春发;刘剑锋 -专利权人：厦门士林电机有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01H47/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子式接触器的控制回路，尤其涉及主要应用于低压电器领域的电子式接触器线圈的控制回路，特别是对线圈施加脉冲或脉动电压的控制回路。本实用新型的电子式接触器控制回路，包括接入接触器线圈两端的电压源，并联于接触器线圈的反向通路，以及快速关断控制通路，所述的快速关断控制通路是串联于接触器线圈上，所述的反向通路是反向并联于接触器线圈和快速关断控制通路的二极管本实用新型的方案，解决了原有技术中接触器的释放缓慢的问题和发热问题。并且电路结构简单有效，可通过改变参数方便的对接触器的释放延迟时间进行控制。
一种改进电子接触器控制回路

[发明专利]底稿传送装置和图像读取装置-CN02120429.2无效
发明人：武井章 -专利权人：尼司卡股份有限公司
申请日： 2002-05-24 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：一种底稿传送装置和图像读取装置，底稿传送装置将底稿传送到设置于接触玻璃一端的底稿停止基准位置，底稿传送装置包括供纸口，供纸口设置于接触玻璃的另一端；第1供纸通路，其沿接触玻璃，将从供纸口插入的底稿导向下游侧；接触玻璃覆盖机构，接触玻璃覆盖机构形成第1供纸通路，并覆盖接触玻璃的一部分；第2供纸通路，其在接触玻璃覆盖机构的下游侧端部附近，与第1供纸通路汇合；传送机构，其按照与接触玻璃覆盖机构的下游侧相邻接的方式设置，通过沿一个方向旋转的方式，将来自第1供纸通路或第2供纸通路的底稿传送到底稿停止基准位置，并且覆盖接触玻璃的剩余部分。
底稿传送装置图像读取

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