专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]无色差的图案化碳纳米管透明导电薄膜及其制备方法-CN201310204887.1有效
  • 陈新江;其他发明人请求不公开姓名 - 苏州汉纳材料科技有限公司
  • 2013-05-29 - 2013-09-04 - H01B5/14
  • 本发明公开了一种无色差的图案化碳纳米管透明导电薄膜及其制备方法。该导电薄膜包括:透明基底,至少分布在透明基底表面的可视区内的图案化碳纳米管薄膜,以及分布在透明基底表面的图案化绝缘材料层;并且至少在可视区内绝缘材料层与碳纳米管薄膜交错互补且两者透光率亦基本一致。该制备方法包括:在透明基底表面形成图案化绝缘材料层;至少在透明基底表面的可视区内形成图案化碳纳米管薄膜。优选的,绝缘材料层可主要由疏水性绝缘材料形成,其中还可掺有颜料。本发明可实现无色差图案化碳纳米管透明导电薄膜的高效率、大面积、连续制备,工艺简单可控,所需设备简单,成本低廉,且产品的光、电性能优良,具有广泛的应用前景。
  • 色差图案纳米透明导电薄膜及其制备方法
  • [实用新型]透明导电板材及电子设备-CN202122068037.6有效
  • 黎锦龙 - 江门市鸿彩广告有限公司
  • 2021-08-30 - 2022-03-08 - H01B5/00
  • 本实用新型公开了一种透明导电板材及电子设备,包括透明基板、第一导电线和第二导电线,透明基板包括第一透明板材、中间透明绝缘材料和第二透明板材,第一透明板材靠近中间透明绝缘材料的侧面电镀有第一导电膜,第二透明板材靠近中间透明绝缘材料的侧面电镀有第二导电膜;第一导电线穿设于第一透明板材,第一导电线的一端与第一导电膜电连接,另一端伸设至第一透明板材的表面以供电给用电设备;第二导电线穿设于第一透明板材和中间透明绝缘材料,第二导电线的一端与第二导电膜电连接,另一端伸设至第一透明板材的表面以供电给用电设备
  • 透明导电板材电子设备
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列基板及液晶面板-CN201310443447.1无效
  • 付延峰;高冬子 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2013-09-26 - 2013-12-25 - H01L27/12
  • 所述薄膜晶体管阵列基板包括:透明基板(20),包括非像素区域(202)和像素区域(201);多个薄膜晶体管(30),阵列排布在所述像素区域(201)内;对位标志(50),设置在所述非像素区域(202)内本发明由于将对位标志上的绝缘材料层刻蚀去除掉,使得对位标志上不覆盖有任何绝缘材料层,可避免当对位标志在非像素区域内距离透明基板的边缘小于绝缘材料层保护区(即对位标志超出绝缘材料层保护区以外)时,第二层绝缘材料层和第四层绝缘材料层因膜厚不均匀而出现膜色差异而引起的对位差异
  • 薄膜晶体管阵列液晶面板
  • [发明专利]触摸面板以及用于制造这种触摸面板的方法和设备-CN202080087308.8在审
  • 格里戈里奥斯-帕纳吉奥蒂斯·里加斯 - 万佳雷射有限公司
  • 2020-12-10 - 2022-08-02 - G06F3/044
  • 一种触摸面板,该触摸面板包括:透明基板;透明导电材料的层,透明导电材料的层位于透明基板上,透明导电材料的层以包括多个电极单元的图案提供,多个电极单元沿着第一方向连接在一起,并且在层中在第二方向上通过电极单元之间的间隙彼此隔离;透明绝缘材料的图案,透明绝缘材料的图案设置在透明导电材料的层上以提供透明绝缘材料的桥接部分,该桥接部分在第二方向上横跨电极单元之间的间隙的至少一个子集。该触摸面板还包括:多个透明导电轨道,每个透明导电轨道包括多个纳米线、纳米管和纳米片中的至少一个。每个轨道设置在桥接部分中的相应的一个桥接部分上,以对电极单元中的相应的两个电极单元进行电连接。
  • 触摸面板以及用于制造这种方法设备
  • [发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法-CN201710083705.8在审
  • 黄龙杰;马双彪;陈骁;罗刚;顾小云 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2017-02-16 - 2017-08-18 - H01L33/00
  • 包括在衬底上生长外延层;沉积一层第一绝缘材料;在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第一绝缘材料,形成电流阻挡层;去除光刻胶;沉积一层透明导电材料;在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀透明导电材料,形成透明导电层;刻蚀外延层,形成凹槽;采用第一腐蚀溶液对透明导电层的边缘进行腐蚀,使透明导电层的边缘和凹槽的边缘的距离为1~2μm;采用第二腐蚀溶液对电流阻挡层进行腐蚀,形成通孔;去除光刻胶;沉积一层第二绝缘材料;在第三道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第二绝缘材料,形成钝化层;铺设电极材料;去除光刻胶。
  • 一种发光二极管芯片制备方法

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