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- [发明专利]半导体器件-CN201110278110.0有效
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木村肇;梅崎敦司
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株式会社半导体能源研究所
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2011-09-09
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2012-04-04
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G09G3/20
- 提供一种半导体器件，其中降低在选择期间中输出到栅极信号线的信号的延迟或失真。半导体器件包括栅极信号线、向栅极信号线输出选择信号和非选择信号的第一和第二栅极驱动电路以及电连接到栅极信号线并且被提供这两种信号的像素。在选择栅极信号线的期间中，第一和第二栅极驱动电路均向栅极信号线输出选择信号。在没有选择栅极信号线的期间中，第一和第二栅极驱动电路其中之一向栅极信号线输出非选择信号，而另一个栅极驱动电路既不向栅极信号线输出选择信号也不向栅极信号线输出非选择信号。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN201610335245.9有效
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木村肇;梅崎敦司
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株式会社半导体能源研究所
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2011-09-09
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2018-09-21
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G09G3/36
- 提供一种半导体器件，其中降低在选择期间中输出到栅极信号线的信号的延迟或失真。半导体器件包括栅极信号线、向栅极信号线输出选择信号和非选择信号的第一和第二栅极驱动电路以及电连接到栅极信号线并且被提供这两种信号的像素。在选择栅极信号线的期间中，第一和第二栅极驱动电路均向栅极信号线输出选择信号。在没有选择栅极信号线的期间中，第一和第二栅极驱动电路其中之一向栅极信号线输出非选择信号，而另一个栅极驱动电路既不向栅极信号线输出选择信号也不向栅极信号线输出非选择信号。
- 半导体器件
- [发明专利]电阻变化型存储器-CN201810113348.X有效
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犬塚雄贵;稻场恒夫;宫崎隆行;杉本刚士
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铠侠股份有限公司
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2018-02-05
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2022-11-04
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G11C13/00
- 实施方式的电阻变化型存储器包含：存储单元，设置在第1及第2位线与字线之间；第1晶体管，设置在第1位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGa)；第2晶体管，设置在第2位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGb)；以及第3晶体管，连接在与第1选择栅极线(SGa)相邻的虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGa)的情况下，将电压VSG施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGA(＜VSG)施加至虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGb)的情况下，将电压VSGA或电压VSGU施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGU施加至虚设选择栅极线(DSG)。
- 电阻变化存储器
- [发明专利]显示装置及电子纸显示装置-CN201611092199.0有效
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郭文瑜;朱晓彤;庄博钧;黄霈霖
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元太科技工业股份有限公司
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2016-12-01
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2021-04-23
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G02F1/167
- 本发明公开了一种显示装置及电子纸显示装置，显示装置包括：第一像素电极、第一选择开关、第一区域开关、第一选择栅极线、第二像素电极、第二选择开关、第二区域开关、第二选择栅极线、以及区域栅极线。第一选择栅极线用以提供第一选择栅极信号至第一选择开关的控制端，以导通或关断第一选择开关。第二选择栅极线用以提供第二选择栅极信号至第二选择开关的控制端，以导通或关断第二选择开关，其中当第一选择开关导通时，第二选择开关关断，且当第二选择开关导通时，第一选择开关关断。区域栅极线用以提供区域栅极信号至第一区域开关的控制端以及第二区域开关的控制端。借此，即可减少栅极线的数量，又能增加像素电极的设置空间。
- 显示装置电子
- [发明专利]半导体存储器装置-CN202010273125.7有效
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细村嘉一
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铠侠股份有限公司
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2020-04-09
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2023-08-29
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H10B41/35
- 根据本实施例，一种半导体存储器装置包含第一存储器束，其包含第一源极线、第一源极侧选择栅极晶体管、第一源极侧选择栅极线、多个第一非易失性存储器单元、多个第一字线、第一漏极侧选择栅极晶体管、第一漏极侧选择栅极线及第一位线；第二存储器束，其包含第二源极线、第二源极侧选择栅极晶体管、第二源极侧选择栅极线、多个第二非易失性存储器单元、多个第二字线、第二漏极侧选择栅极晶体管、第二漏极侧选择栅极线及第二位线；共用位线；第一位线转移晶体管；及第二位线转移晶体管。
- 半导体存储器装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202110086718.7在审
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中川知己;加藤光司;桥本寿文
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铠侠股份有限公司
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2021-01-22
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2022-03-18
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G11C16/04
- 实施方式提供一种能够将选择栅极线高速地设定为所期望的电压的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个存储单元；字线，连接于所述多个存储单元的栅极；位线，经由分别连接于所述多个存储单元的一端的多个选择栅极晶体管电连接于所述多个存储单元的一端；2条外部选择栅极线，分别连接于区块两端的2个所述选择栅极晶体管的栅极；1条以上的内部选择栅极线，连接于所述区块的两端以外的1个以上的所述选择栅极晶体管的栅极；以及电压生成电路，在读出记录在所述多个存储单元中的数据时，能够个别地控制对所述外部选择栅极线与内部选择栅极线的电压供给
- 半导体存储装置
- [发明专利]半导体存储装置-CN202211696276.9在审
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小迫宽明
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铠侠股份有限公司
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2022-12-28
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2023-10-17
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G11C5/06
- 实施方式的半导体存储装置具备沿第一方向(Z)排列的多条字线(WL)、相对于多条字线设置于第一方向的一侧的位线、设置于多条字线和位线之间且沿第一方向排列的多条选择栅极线(SGD1、SGD2、SGD3)和与多条字线及多条选择栅极线对置的半导体层多条选择栅极线包含第一选择栅极线(SGD3)和第二选择栅极线(SGD1)。第一选择栅极线设置于多条选择栅极线中的最靠近多条字线的位置，在第一方向上具有第一长度(LZSGD3)。第二选择栅极线设置于第一选择栅极线和位线之间，在第一方向上具有第二长度(LZSGD1)。第一长度小于第二长度。
- 半导体存储装置
- [发明专利]显示装置-CN201910339581.4有效
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堀内智;业天诚二郎
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夏普株式会社
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2019-04-25
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2021-04-27
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G09G3/36
- 一种显示装置，能迅速且可靠地进行栅极线向非选择状态的转变。显示装置针对显示面板中的多条栅极线中的每一条栅极线而具有多个驱动电路和多个辅助电路。驱动电路将驱动用信号的电位输出到栅极线。栅极线的选择期间包含预充电期间和正式充电期间，相互相邻的2个栅极线中在先的栅极线的正式充电期间与在后的栅极线的预充电期间是重复的。辅助电路至少在对应的栅极线的正式充电期间和下一级的栅极线的正式充电期间进行驱动，在栅极线的正式充电期间输出驱动用信号的第1电位电平(选择电位)，在下一级的栅极线的正式充电期间输出驱动用信号的第2电位电平(非选择电位)。
- 显示装置
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