[发明专利]电阻变化型存储器有效
| 申请号： | 201810113348.X | 申请日： | 2018-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN109524041B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 犬塚雄贵;稻场恒夫;宫崎隆行;杉本刚士 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高可靠性的电阻变化型存储器。实施方式的电阻变化型存储器包含：存储单元，设置在第1及第2位线与字线之间；第1晶体管，设置在第1位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGa)；第2晶体管，设置在第2位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGb)；以及第3晶体管，连接在与第1选择栅极线(SGa)相邻的虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGa)的情况下，将电压VSG施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGA(＜VSG)施加至虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGb)的情况下，将电压VSGA或电压VSGU施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGU施加至虚设选择栅极线(DSG)。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 变化 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种电阻变化型存储器，其特征在于具备：衬底；第1及第2位线，在相对于所述衬底的表面垂直的第1方向延伸，在相对于所述衬底的表面平行的第2方向相邻；第1及第2字线，在相对于所述衬底的表面平行的第3方向延伸；第1存储单元，设置在所述第1位线与所述第1字线之间；第2存储单元，设置在所述第2位线与所述第2字线之间；第1选择晶体管，设置在所述第1位线与所述衬底之间，且具有第1通道部及连接在第1选择栅极线的第1栅极；第2选择晶体管，设置在所述第2位线与所述衬底之间，且具有第2通道部及连接在第2选择栅极线的第2栅极；以及第3选择晶体管，连接于在所述第2方向与所述第1选择栅极线相邻的虚设选择栅极线，且具有第3栅极；且在选择了所述第1选择栅极线的情况下，将第1电压施加至所述第1选择栅极线，将小于所述第1电压的第2电压施加至所述虚设选择栅极线，在选择了所述第2选择栅极线的情况下，将所述第1电压施加至所述第2选择栅极线，将所述第2电压或所述第2电压以下的第3电压施加至所述第1选择栅极线，将所述第3电压施加至所述虚设选择栅极线。
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