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[发明专利]砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202210311792.9在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法，砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管包括：硅衬底；砷化镓高电子迁移率晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层上；砷化镓异质结双极型晶体管外延层，设置在所述硅衬底上；砷化镓异质结双极型晶体管，设置在所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层上；以及隔离带，设置在所述硅衬底上，且设置在所述砷化镓高电子迁移率晶体管外延层与所述砷化镓异质结双极型晶体管外延层之间
砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于应力分布的电子收集器实现方法-CN201410814988.5有效
发明人：周济;兰楚文;李勃 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于应力分布的电子收集器实现方法，包括以下内容：1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离，确定电子收集区域；2)根据收集效果，采用光学变换原理设定三个电子迁移率值；3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u_r和环向电子迁移率u_θ分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的电子迁移率分布；4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布，通过半导体的迁移率大小和应力大小的关系
一种基于应力分布电子收集实现方法

[发明专利]载流子迁移率的提取方法-CN201010177642.0有效
发明人：许军;梁仁荣;王敬 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出一种载流子迁移率的提取方法，包括：测量给定MOS器件的转移特性以及输出特性；根据栅源电压Vgs的初始值和沟道横向电场Ex的初始值获得载流子迁移率的计算值；根据载流子迁移率的计算值计算对应的漏极电流的测量值进行比较，判断两者误差是否满足精度要求；如果两者误差不满足精度要求，则进一步调整沟道横向电场Ex的值，并重复上述步骤，直至满足精度要求；如果两者误差满足精度要求，则获得Vgs的初始值对应的载流子迁移率值，并按照预定步长继续调整所述Vgs的值，重复上述步骤，直至获得给定Vgs的范围内载流子迁移率的曲线。通过本发明实施例能够获得准确的载流子迁移率μeff的曲线。
载流子迁移率提取方法

[发明专利]阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法-CN201610025150.7有效
发明人：唐超;翟文娟;窦国生;徐慧;邱少亚;刘瑞兰;戎舟;姜兵;庞宗强;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件，测试、拟合阻抗实部和虚部，得到有机半导体材料的迁移率μ，厚度越厚，迁移率越大。最后从λ_Trap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系，即dG＝λ_Trap.dA。发明优点：(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能，如色散参数；(2)与传统的TOF技术相比，能够节约成本：TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级，对于许多新材料而言，代价十分昂贵；(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响，更简洁和具有说服力。
阻抗确定有机半导体厚度依赖迁移率方法

[发明专利]利用离子迁移率谱仪检测油脂的方法-CN201310061131.6有效
发明人：颜毅坚;徐翔;刘立秋;刘军;马军 -专利权人：武汉矽感科技有限公司;上海矽感信息科技有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用离子迁移率谱仪检测油脂的方法，包括：取再生油脂样品和非再生油脂样品，分别放入离子迁移率谱仪中直接测量，获得样品标准离子迁移率谱，生成指纹图谱，建立数据库；对待检测油脂取样，并直接进样到离子迁移率谱仪中进行检测，获得离子迁移率谱，并利用该数离子迁移率谱生成相应的指纹图谱；通过指纹图谱数据对比，得出结论，并显示检测结果。
利用离子迁移率检测油脂方法

[发明专利]测试结构、其制造方法及应用其的方法-CN201811557772.X有效
发明人：汪雪娇;徐翠芹;刘巍;王昌锋;陈蓓 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：且各组半导体器件间的沟道长度不同，并测试至少一组半导体器件的带阱掺杂的器件的阈值电压和不带阱掺杂的器件的阈值电压，得到阈值电压数据库，分析阈值电压数据库得到阱掺杂对阈值电压的影响；提取每组带阱掺杂器件的沟道载流子迁移率和不带阱掺杂器件的沟道载流子迁移率，得到沟道载流子迁移率数据库，分析沟道载流子迁移率数据库得到阱掺杂对沟道载流子迁移率的影响，如此，可评估阱掺杂对器件阈值电压(Vt)和沟道中载流子迁移率(Ion/Ioff)的影响，且成本低，节约资源。
测试结构制造方法应用

[发明专利]高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法-CN202111656493.0在审
发明人：阿布舍克·班纳吉;皮特·莫昂;赫伯特·德维利斯古威尔;彼得·科庞 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明描述了高电子迁移率晶体管器件及制作高电子迁移率晶体管的方法，该高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有环形栅极、设置在环形栅极内的漏极区以及设置在环形栅极周围的环形源极区。
电子迁移率晶体管器件制作方法

[发明专利]监测工业流体的方法及工业流体的处理-CN201380022055.6在审
发明人： S·R·皮纳普;B·G·哈瑞里;R·G·瑞彻蒂恩;J·J·维尔斯;C·L·桑多;J·M·布朗 -专利权人：贝克休斯公司
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：通过采用微分离子迁移率光谱仪对工业流体采样，可以监测工业流体。该方法还可以包括利用场非对称离子迁移率光谱仪的输出结果，控制工业设备或工业过程。该方法还包括在把样本引入场非对称离子迁移率光谱仪中之前，利用设备调节样本。
监测工业流体方法处理

[发明专利]离子迁移率分析装置-CN202110429155.7在审
发明人：张小强;王珂珂;孙文剑 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01J49/16 文献下载
摘要：本发明属于离子迁移谱领域，公开了一种高占空比离子迁移率分析装置及分析方法，包括：离子源、第一离子存储区域、第二离子存储区域、离子迁移率分析器。离子迁移率分析器包括第一、第二两个通道，通道内包含与离子迁移方向同轴的气流及与气流方向反向的直流电场，且两通道内直流电场强度不同，在一个连续扫描周期内，将未到合适扫描条件或已经错过合适扫描条件，而不能通过该迁移率分析器的离子，暂时存储在两个独立的离子存储区域中而不会被损失掉，等到该扫描周期或者下个扫描周期条件合适时，再通过迁移率分析器进行分析。本发明能够提高过滤型离子迁移谱仪的占空比，从而提高其灵敏度和实际分析时的定性能力。
离子迁移率分析装置

[发明专利]一种检验差分电迁移率分析仪性能的实验装置-CN202210314107.8在审
发明人：于明州;蔡昂阳;刘岳燕;曹衍龙 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种检验差分电迁移率分析仪性能的实验装置。本发明包括第一差分电迁移率分析仪、第二差分电迁移率分析仪、第一冷凝粒子计数器、第二冷凝粒子计数器和高压电源模块。本发明通过第一差分电迁移率分析仪以固定的流量和电压运行，筛分出近似单分散的气溶胶粒子，检测出此时的气溶胶粒子数浓度N1，接着第二差分电迁移率分析仪以固定的流量和扫描的电压运行，通过调节三通阀门来选择气路的流向，一路可直接流向下游冷凝粒子计数器，浓度记为N3，另一路先经过待检测的差分电迁移率分析仪，再流向下游冷凝粒子计数器,浓度记为N2。若此期间数浓度N1无显著波动，则通过N3与N2的浓度比，获得第二差分电迁移率分析仪的性能参数。
一种检验差分电迁移率分析性能实验装置

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN201910245261.2在审
发明人：黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括硅衬底、沟道层、势垒层、介电层和栅极，所述硅衬底、所述沟道层、所述势垒层和所述介电层沿所述高电子迁移率晶体管的厚度方向依次层叠设置，所述介电层上形成有最终栅极槽本发明还提供一种高电子迁移率晶体管的制造方法。所述高电子迁移率晶体管性能良好、且成本低。
高电子迁移率晶体管势垒层介电层栅极槽沟道层硅衬底依次层叠制造开口

[发明专利]一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法-CN202010544310.5在审
发明人：冯旗 -专利权人：冯旗
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明属有机发光显示领域，特别涉及一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法。本发明提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物，其结构如式(I)所示。本发明还提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物的制备方法，包括将式(II)所示化合物和2,2'‑(9,9‑二辛基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂硼烷)通过Suzuki本发明提供的一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法，解决了现有的PLED器件空穴迁移率较低的技术问题。
一种具有空穴迁移率 pled 聚合物及其制备方法

[发明专利]栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型-CN202010075961.4在审
发明人：王盛凯;郭子晗 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，其中，该优化方法包括：基于表面势计算，建立高电子迁移率器件模型；建立栅电流模块；结合高电子迁移率器件模型的内部模块对栅电流模块进行分段近似和拟合；以及，在栅漏电模型中加入变温反馈模块，并与所述高电子迁移率器件模型相对接。本发明提供的该栅漏电模型的优化方法及基于其的高电子迁移率器件模型，实现了对不同栅漏电机制的数学整合，能够在兼顾物理意义和准确性的前提下对器件栅漏电机制进行有效的拟合；同时其变温函数的引入也使得模型对变温的预测性更加准确
漏电模型优化方法基于电子迁移率器件

[发明专利]具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管-CN202180010221.5在审
发明人：杨斌;杨海宁;李夏 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件(200)，该半导体器件包括具有高电荷迁移率沟道材料的N型金属氧化物半导体(NMOS)全环绕栅极(GAA)晶体管(206)和P型金属氧化物半导体(PMOS)GAA晶体管(222)。第一沟道材料可以具有大于硅(Si)的电子迁移率的电子迁移率，并且第二沟道材料可以具有大于Si的空穴迁移率的空穴迁移率。
具有电荷迁移率沟道材料环绕栅极晶体管

[发明专利]调控氧化锌的电子迁移率的方法-CN202011640967.8在审
发明人：吴龙佳;张天朔;李俊杰;郭煜林;童凯 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请涉及功能材料技术领域，提供了一种调控氧化锌的电子迁移率的方法。所述调控氧化锌的电子迁移率的方法，包括以下步骤：制备氧化锌，且在制备所述氧化锌的过程中，通过控制所述氧化锌的表面羟基量，来调控氧化锌的电子迁移率。本申请提供的调控氧化锌的电子迁移率的方法，只需要通过调控氧化表面羟基量即可实现量子点发光二极管器件的载流子注入平衡或提高电子迁移率，无需改变器件结构(插入电子阻挡层)，也无需通过掺杂等手段对氧化锌薄膜进行改性
调控氧化锌电子迁移率方法