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[发明专利]纳米线电极和电容电极及纳米线电极和电容电极的制备方法-CN202011382114.9有效
发明人：武青青;朱建军;林威豪 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米线电极和电容电极及纳米线电极和电容电极的制备方法，所述纳米线电极包括位于金属层上的纳米线阵列；所述纳米线阵列包括多个纳米线结构，所述纳米线结构包括：金属纳米线中间核，且所述金属纳米线中间核垂直于所述衬底；包覆层，所述包覆层包覆所述金属纳米线中间核；赝电容层，所述赝电容层覆盖所述包覆层的表面,所述纳米线电极为核壳结构，为赝电容层附着提供支持提高赝电容材料的负载量，从而带来更高的赝电容容量的电容电极。
纳米电极电容制备方法

[发明专利]核壳结构氧化镍/聚苯胺超级电容器电极材料及制备方法-CN201711144805.3有效
发明人：刘健 -专利权人：合肥师范学院
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构氧化镍/聚苯胺超级电容器电极材料的制备方法，包括：将L‑缬氨酸和氧化镍加入去离子水中搅拌均匀，加入苯胺单体后搅拌均匀，加入过硫酸铵水溶液搅拌均匀得到混合反应溶液；将混合反应溶液在静置条件下进行反应本发明所述核壳结构氧化镍/聚苯胺超级电容器电极材料的制备方法制备工艺简单、成本易控，得到的电极材料相对于现有超级电容器电极材料增大了其比表面积，重点在于氧化镍具有金属氧化物赝电容作用，聚苯胺的多层核壳结构增强了对电荷的富集及赝电容存储作用
结构氧化苯胺超级电容器电极材料制备方法

[发明专利]一种磷化镍复合电极及其制备方法和应用-CN202111425486.X有效
发明人：陈柯宇;王骏哲;张丰;刘延斌;吴胜华;刘幸;张俊哲;胡亦良;贾强;李燕;张小涵 -专利权人：中国人民解放军空军预警学院雷达士官学校
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种磷化镍复合电极及其制备方法和应用,该复合电极包括镍纳米线核层、包覆于核层外的磷化镍壳层以及位于磷化镍壳层表面的磷化镍纳米片。本发明的制备方法，工艺简单可控、易于生产，复合电极各组分附着牢固，展现出良好的循环性能；富含活性位点的氢氧化镍纳米片和镍纳米线在后续退火工步中实现同步磷化，避免了多次磷化对电极材料的损伤；该方法将不提供赝电容性能的高导电单质镍组分可控地部分转化为具有高赝电容性能的磷化镍，降低复合电极中非电容活性材料质量占比的同时，实现了导电性能和容量的可控平衡；表层生成的磷化镍壳与磷化镍纳米片构成同质结或异质结结构，展现出了高额的电化学性能，具有良好的比容量和倍率性能。
一种磷化复合电极及其制备方法应用

[发明专利]核磁共振同核三比特赝纯态制备方法及系统-CN202010756558.8有效
发明人：冯冠儒;施巍;邹宏洋;项金根 -专利权人：深圳量旋科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本发明公开一种核磁共振同核多比特赝纯态制备方法及系统，在方案中，尽量减小零阶相干项的产生，有一半的零阶相干项都可以被削弱，并在梯度场之前将较大的零阶相干项转变为非零阶相干项。这样，在很好的近似下，梯度场就可以将核磁量子态中除了赝纯态外的所有相干项去除。而且，在同核三比特系统中，只需要一个梯度场，就可以制备出一个高理论保真度的赝纯态。
核磁共振比特赝纯态制备方法系统

[发明专利]一种具有赝核壳结构的TiB/TC4材料制备方法-CN202311071725.5在审
发明人：张朝晖;程兴旺;孙元昊;王强;贾晓彤 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B22F1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有赝核壳结构的TiB/TC4材料的制备方法，属于金属基复合材料制备技术领域。所述方法制得的TiB晶须增强钛基复合材料的钛基体的相组织由α相和β相组成，整体上呈现出细晶包围粗晶的赝核壳结构，提高了所述TiB晶须增强钛基复合材料的综合力学性能。
一种具有赝核壳结构 tib tc4 材料制备方法

[发明专利]基于射频场不均匀性的赝纯态制备方法和赝纯态制备装置-CN202310092050.6在审
发明人：林子栋;施巍;项金根;孟铁军 -专利权人：深圳量旋科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于射频场不均匀性的赝纯态制备方法和赝纯态制备装置。该赝纯态制备方法包括：对核磁共振样品的热平衡态进行第一次幺正操作，得到第一量子态；对第一量子态进行第二次幺正操作，使第一量子态的密度矩阵中对角元所对应的核自旋极化分量旋转至由初始方向与预设方向平行且使非对角元所对应的核自旋极化分量旋转至预设方向垂直，得到第二量子态；利用射频线圈对第二量子态施加预定参数的射频场，进行非幺正操作，得到第三量子态；对第三量子态进行第三次幺正操作，以将第三量子态中的核自旋极化分量旋转至初始方向，得到核磁共振样品的赝纯态。
基于射频不均匀赝纯态制备方法装置

[发明专利]一种镍钴硫化物/氮掺杂有序介孔碳核壳异质结构纳米棒材料及其制备方法和应用-CN201910262785.2在审
发明人：张红博;孙志鹏;贾殿赠 -专利权人：新疆大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01G11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍钴硫化物/氮掺杂有序介孔碳核壳异质结构纳米棒材料及其制备方法和应用。本发明采用一步水热法制备了原位负载在氮掺杂有序介孔碳上的镍钴硫化物，得到了均匀分散、高稳定性的镍钴硫化物/氮掺杂有序介孔碳核壳异质结构纳米棒材料。镍钴硫化物与氮掺杂有序介孔碳之间存在强的相互作用和镶嵌结构使得碳层和镍钴硫化物之间产生协同效应，优势相互结合，缺陷相互减弱，同时发挥双电层电容和赝电容储能特性，制备出了具有高比容量、优异倍率性和循环稳定性的核壳异质结构电极材料该核壳异质结构电极材料用于超级电容器电极时综合性能优异，且具有制备工艺安全、简单、环保和成本低等优点，有望在超级电容器领域拥有广泛的应用。
硫化物镍钴异质结构氮掺杂介孔碳核壳制备方法和应用电极材料棒材超级电容器电极超级电容器纳米棒材料双电层电容循环稳定性储能特性高稳定性水热法制镶嵌结构协同效应原位负载制备工艺综合性能倍率性比容量赝电容碳层制备环保应用安全

[发明专利]一种基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料的制备方法和应用-CN202211097921.5有效
发明人：闫慧君;白建伟;姜艳丽;孙红镱;吴勇;李思龙 -专利权人：哈尔滨学院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料的制备方法和应用，它涉及一种电极材料的制备方法和应用。方法：一、碳布前处理；二、碳布上生长Ag纳米线；三、在碳布上生长Ag@MnO2核壳复合电极材料。一种基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料作为超级电容器的电极材料使用。本发明制备的基于碳布生长的银@二氧化锰核壳复合电极材料改善了材料的导电性，使氧化锰的赝电容得到充分的发挥，从而大幅提高复合材料的电化学性能，具有广阔应用前景。
一种基于生长二氧化锰复合电极材料制备方法应用

[发明专利]一种LDH基超级电容器复合电极材料及制备方法与用途-CN201910118475.3有效
发明人：徐雨艳;全威;陈敏;姜德立;徐箐;孟素兹 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-02-16 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：通过水热法首先制备得到以泡沫镍为基底的MnCo‑LDH纳米线阵列；然后再经过煅烧炭化制备得到以泡沫镍为基底的MnCo LDH/C粗糙纳米线阵列；再经原位生长法使NiMn‑LDH纳米片与MnCo‑LDH/C纳米线复合形成三维核壳结构，相对于其他纳米结构例如纳米颗粒等,形成三维核壳纳米线阵列有利于充分发挥其电化学活性；该复合材料作为超级电容器电极材料应用时,可用作赝电容电极材料,具有较高的比电容量和倍率充放电性能；同时也可用作超级电容器器件的正极材料
一种 ldh 超级电容器复合电极材料制备方法用途

[发明专利]一种碳微球/镍钴氢氧化物核壳结构的电极复合材料的设计-CN201711004818.0在审
发明人：曲玉宁;王静;张焦;王静茹;刘林 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳微球/镍钴氢氧化物核壳结构的电极复合材料的设计的方法。电极材料作为超级电容器的主要组成部分，是决定其性能的重要因素。使用金属化合物作为电极材料可以提供额外的赝电容，从而大幅提高超级电容器的比电容。α‑Ni(OH)2和α‑Co(OH)2是具有水滑石层状结构的材料，有很高的理论比电容，但导电性一般，因此本发明通过设计碳微球/镍钴氢氧化物核壳结构来提高材料的导电性，同时获得镍钴协同效应，实现更高的比电容与更好的稳定性主要采用简单的两步合成碳微球/镍钴氢氧化物核壳结构的材料。首先对碳微球进行不同温度的预处理以增加碳微球表面的含氧官能团，然后通过原位沉淀法合成碳微球/镍钴氢氧化物核壳结构的电极材料，有望在未来作为电极材料应用于超级电容器中。
一种碳微球氢氧化物结构电极复合材料设计

[发明专利]一种壳核型纳米复合粒子的制备方法及其应用-CN201510789516.3有效
发明人：黄昊;王玲玲;拉蒙;余洁意;董星龙;吴爱民 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种壳核型碳包覆锰及其合金氧化物纳米复合粒子的制备方法，首先使用自动控制直流电弧金属纳米粉体生产设备，加入适量金属锰或锰合金原料，在一定比例的惰性气体和含碳气体的混合气氛中蒸发块状金属锰或锰合金原料用该方法制备的纳米复合粒子具有石墨碳为壳，锰及锰合金的氧化物为核的壳‑核型结构，兼有双电层电容和赝电容两种特性，大大提高了超级电容器电极的容量。
纳米复合粒子锰合金碳包覆制备前驱体氧化物种壳超级电容器电极金属纳米粉体合金氧化物双电层电容惰性气体反应气氛含碳气体混合气氛加热氧化块状金属锰氧化物生产设备直流电弧金属锰石墨碳赝电容蒸发应用

[发明专利]一种水滑石-聚（3,4-乙撑二氧噻吩）核壳结构超电容材料的制备方法-CN201210082778.2有效
发明人：韩景宾;卫敏;豆义波;段雪 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了属于超电容材料制备技术领域的一种水滑石-聚(3,4-乙撑二氧噻吩)核壳结构超电容材料及其制备方法。该超电容材料由电化学活性的水滑石和具有良好导电性的聚(3,4-乙撑二氧噻吩)组成。其制备方法：首先制备水滑石阵列薄膜，然后采用电化学沉积法在水滑石纳米晶阵列上包覆一层聚(3,4-乙撑二氧噻吩)，形成核壳结构。本发明的优点在于：阵列结构的水滑石纳米晶可有效抑制活性组分的聚集，并且为电子的传递提供了通道，保证了快速充放电过程中电子的有效转移；聚(3,4-乙撑二氧噻吩)壳层的引入改善了常规赝电容材料倍率性能差的缺点
一种滑石二氧噻吩结构电容材料制备方法

[发明专利]一种新型三维电极材料及其制备方法和在超级电容器中的应用-CN201911356271.X在审
发明人：万厚钊;姚佳;王浩;季杰;甘億;汪汉斌;张军 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明电极材料为镍@活性组分纳米片核壳结构阵列，是以泡沫金属基底自支撑的单质空心镍纳米管阵列为核，以在所述单质空心镍纳米管阵列上生长的活性组分纳米片为壳形成。为电化学反应与吸附提供更多的空间和活性位点，并且电活性材料依附于镍纳米管阵列表面进行原位生长，具有更完美的纳米结构和较好的机械稳定性，另外，本发明的新型三维电极材料可直接用作超级电容器电极，其界面内阻小，能量密度高，赝电容高
一种新型三维电极材料及其制备方法超级电容器中的应用

[发明专利]一种赝磁性隧道结单元-CN201910290616.X在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种赝磁性隧道结单元，其包括赝磁性隧道结参考层，赝磁性隧道结势垒层，赝磁性隧道结记忆层及其覆盖在赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层和赝磁性隧道结记忆层周围的赝磁性隧道结侧墙。赝磁性隧道结参考层、赝磁性隧道结势垒层和赝磁性隧道结记忆层的膜层和磁性隧道结参考层、磁性隧道结势垒层、磁性隧道结记忆层的膜层的组成材料完全相同，并且在物理气相沉积工艺腔中同时完成沉积。在本发明中作为电路连接的赝磁性隧道结单元，由于与磁性隧道结膜层同时制作，这无疑降低工艺的复杂程度，有利于生产成本的降低。
一种磁性隧道单元

[发明专利]照明赝象的图像相减-CN200480040765.2无效
发明人：里昂·巴尔德温 -专利权人：电科学工业公司
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：一种从物体图像中去除成像系统的同轴照明装置产生赝象的方法。该方法包括步骤：利用第一赝象照度级得到第一赝象图像，和利用成像系统对物体成像，其中照明装置是利用物体照度级。赝象图像与物体无关，但它有与照度级有关的像素值。因此，在逐个像素寻址的基础上，从物体图像的相应数值中减去赝象图像的相应像素值可以去除赝象。不同的照度级可用于建立多个赝象图像。用于减法操作的赝象图像可以是一个拍摄的图像或可以是一个按比例缩放的图像，其中赝象图像按比例缩放到物体照度级。
照明图像

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