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[发明专利]一种蓝光激光器-CN202310514271.8在审
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张会康;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光激光器，该蓝光激光器包括从下到上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，还包括：第一应力调制层和第二应力调制层；下限制层，包括：第一下限制层和第二下限制层；下限制层从下到上设置有第一下限制层、第一应力调制层、第二下限制层；第二下限制层与下波导层之间设置有第二应力调制层；第一应力调制层和第二应力调制层共同用于释放衬底与下限制层之间的晶格失配应力和衬底与下限制层之间的热失配应力采用本发明实施例，通过在下限制层以及下限制层与下波导层之间设置应力调制层，实现双应力调制，从而抑制衬底模式泄露、改善激光器折射率色散，提升了激光器的电激射增益。
一种激光器

[发明专利]空间光调制器及其制备方法-CN202310913477.8在审
发明人：田立飞;李智勇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种空间光调制器及其制备方法，该空间光调制器包括：调制单元层，调制单元层包括阵列式排布的多个像素调制单元；电极组层，设置在调制单元层的第一表面上，电极组层包括多个间隔设置的电极组，每个电极组包括第一电极和第二电极，电极组的第一电极和第二电极设置在一个相应的像素调制单元两侧，电极组适用于向位于第一电极和第二电极之间的像素调制单元施加电信号；其中，来自外部的空间光信号自电极组层入射，并透过调制单元层，在电极组层施加的电信号的作用下，像素调制单元的光学性质发生变化，以使透过像素调制单元的空间光信号的光学参量发生变化，实现对空间光信号的调控。
空间调制器及其制备方法

[发明专利]适用于调制激光器系统的可变频带间隙调制器-CN201380000582.7有效
发明人：马克·海姆巴赫;尼尔·马格里特 -专利权人：索尔思光电（成都）有限公司
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种调制激光器系统通常包括发光区域，配备多个半导电层的调制区域，和分隔发光区域和调制区域的隔离区域，其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层。所述激光器可以是电吸收调制激光器，所述发光区域可包含分布反馈激光器，而所述调制区域可包含电吸收调制器。所述激光器的制造步骤包括：在基板上塑造下半导电缓冲层，在下半导电缓冲层上塑造活性层（包含带能带间隙的可变一个或多个量子井层），在活性层上塑造上半导电缓冲层，在上半导电缓冲层塑造接触层，和塑造隔离发光区域和调制区域的隔离区域
半导电缓冲层调制区域发光区域塑造调制激光器半导电层隔离区域量子井层能带间隙激光器活性层可变电吸收调制激光器分布反馈激光器电吸收调制器可变频带调制器接触层基板分隔隔离配备制造

[发明专利]一种太赫兹波的光学调制器件、调制方法及装置-CN201410349829.2有效
发明人：黄维;周源;杨涛;沈骁;李兴鳌;周馨慧;刘亚丽;何浩培;严怀成 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种太赫兹波的光学调制器件，用于对太赫兹波进行调制。该光学调制器件包括由金属层以及附着于所述金属层一侧表面的本征半导体层所构成的复合层，该本征半导体在照射其表面的光强调制下的最大等离子体频率小于调制范围内的太赫兹波的频率；复合层上设置有亚波长孔阵列结构。本发明还公开了一种太赫兹波的光学调制方法，令太赫兹波由光学调制器件的本征半导体层一侧向另一侧发射；通过改变照射在光学调制器件的本征半导体层表面的光强，使得穿过光学调制器件后的太赫兹波的强度随之变化，实现太赫兹波的调制本发明可在正常温度下实现太赫兹波的强度调制，且调制的频率和幅度范围大、调制速度快，实现成本低。
一种赫兹光学调制器件方法装置

[发明专利]光谱芯片-CN202110667526.5在审
发明人：王宇;黄志雷 -专利权人：北京与光科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种光谱芯片，包括：图像传感器、被保持于所述图像传感器的感光路径上的第一光调制层和第二光调制层，这样，所述光谱芯片通过多层调制的方式降低了对单层调制层的微纳结构单元的设计要求以利于单层光调制结构的工艺实施，并且，通过多层光调制层之间的配合实现相对更佳的光调制效果。
光谱芯片

[实用新型]一种光调制微纳结构及微集成光谱仪-CN201921223201.2有效
发明人：崔开宇;蔡旭升;朱鸿博;黄翊东;刘仿;张巍;冯雪 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型涉及光谱设备技术领域，尤其涉及一种光调制微纳结构及微集成光谱仪。该光调制微纳结构包括位于光电探测层上面的光调制层，光调制层能够对入射光进行调制，从而在光电探测层上形成差分响应，以便于重构得到原光谱，从而解决现有的光谱仪过于依赖精密光学部件而使得光谱仪体积庞大、很重且昂贵的缺陷该光调制层包括底板和至少一个调制单元，底板设在光电探测层上，各个调制单元位于底板上，每个调制单元内分别设有若干个穿于底板内的调制孔，同一调制单元内的各个调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构，利用不同的二维图形结构实现对不同波长的光的调制作用
一种调制结构集成光谱仪

[发明专利]具有功能分子的光学器件-CN201910586530.1有效
发明人：约翰尼斯·赛德尔;梁康宁;雅罗斯拉夫·齐巴;C·托拉瓦尔 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：光学器件包括：反射体层；选择性光调制剂层，所述选择性光调制剂层在反射体层的外部；以及功能分子，所述功能分子存在于选择性光调制剂层、在选择性光调制剂层的表面的外部的功能层、在外表面附近的选择性光调制剂层、在反射体层附近的选择性光调制剂层以及在反射体层的外部的功能层中的至少一个中。
具有功能分子光学器件

[发明专利]具有功能分子的光学器件-CN202110661859.7有效
发明人：约翰尼斯·赛德尔;梁康宁;雅罗斯拉夫·齐巴;C·托拉瓦尔 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：光学器件包括：反射体层；选择性光调制剂层，所述选择性光调制剂层在反射体层的外部；以及功能分子，所述功能分子存在于选择性光调制剂层、在选择性光调制剂层的表面的外部的功能层、在外表面附近的选择性光调制剂层、在反射体层附近的选择性光调制剂层以及在反射体层的外部的功能层中的至少一个中。
具有功能分子光学器件

[发明专利]量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法-CN201010591447.2无效
发明人：邵永波;赵玲娟;于红艳;潘教青;王宝军;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层，在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层、放大器多量子阱、放大器下限制层和n型InP光限制因子调整层；在放大器区和电吸收调制器区上生长p型InP包层和p型InGaAs电极接触层
量子偏移放大器吸收调制器制作方法

[发明专利]有机发光二极管显示基板及其制备方法、显示装置-CN201811442151.7有效
发明人：闫光;吴长晏;尤娟娟;王琳琳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光二极管显示基板包括发光层、光调制层和色转化层，所述发光层用于出射第一颜色光线，所述光调制层和色转化层设置在所述发光层不同的出光路径上，所述色转化层用于将所述第一颜色光线分别转化为第二颜色光线和第三颜色光线，所述光调制层用于对所述第一颜色光线的出射方向进行调制。本发明通过在发光层的出光路径上设置光调制层，光调制层用于对第一颜色光线的出射方向进行调制，有效改善了视角特性，消除了视角色偏，提高了显示品质。
有机发光二极管显示及其制备方法显示装置

[发明专利]减少衍射图案的阶-CN201780011820.2有效
发明人： A·乔治欧;J·S·科林 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：涉及减少相位调制设备中衍射图案的阶的示例被公开。示例相位调制设备包括具有相对的第一侧和第二侧的相位调制层、与相位调制层的第一侧相邻的公共电极、与相位调制层的第二侧相邻的多个像素电极、以及被设置在相位调制层和像素电极之间模糊材料。在相位调制设备的示例中，模糊材料被配置为平滑相位调制层中的、与像素电极相关联的局部区域之间的相变，像素电极具有像素间距，像素电极通过像素间距沿着相位调制层被分布，并且像素电极通过像素间间隙(g)被彼此分开
减少衍射图案

[发明专利]数据处理的方法、装置和设备-CN201480083322.5有效
发明人：吴艺群;张舜卿;陈雁 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H04L1/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数据处理的方法，包括：发送端设备对L层信息比特进行映射处理，以生成L层调制符号序列，每层调制符号序列包括U个调制符号，L层调制符号序列对应同一时频资源，U个调制符号包括至少一个非零调制符号和至少一个零调制符号；根据L个预编码矩阵中每层调制符号序列所对应的预编码矩阵，对每层调制符号序列进行预编码处理，以生成L层调制符号序列矩阵；对L层调制符号序列矩阵进行叠加处理，以生成待发送符号序列矩阵，其中，待发送符号序列矩阵在第一维度上包括
数据处理方法装置设备

[发明专利]一种片上多物理场调控装置-CN202211006958.2在审
发明人：徐小川;李艳梅;冯玚;丁卢炜;颜利康;姚勇;何枫 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种片上多物理场调控装置，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接，信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器，光源输出光载波至异质集成光调制器，异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，电光材料层覆盖在光波导层的表面，电极层设于电光材料层的表面，光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构，电光材料层的折射率低于光波导层的折射率。该调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺，可以融合多介质材料的优势，结构上基于微纳结构的空隙结构，可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用，提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
一种片上多物理调控装置

[发明专利]一种动态背光三维显示器及其显示方法-CN201910221039.9在审
发明人：赵建 -专利权人：句容福芯电子有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种动态背光三维显示器及其显示方法，所述显示器包括光源层、光线调制层和液晶显示层，所述光线调制层设在光源层和液晶显示层之间，所述光源层、光线调制层和液晶显示层相互平行且间隔设置；所述光源层上随机布置有若干发光单元，且每个所述发光单元的亮/暗状态均是单独驱动的；所述光线调制层上随机排布有若干小孔阵列，设定离发光单元距离最近的小孔为该发光单元的主瓣孔，其余的小孔为该发光单元的旁瓣孔；所述光源层发出的光线经过光线调制层后，光线的传播方向获得了动态调制；调制后的光线经过所述液晶显示层时，液晶显示层上的像素分别向不同方向传播，从而形成了三维光场。
液晶显示层发光单元光线调制光源层三维显示器动态背光小孔传播方向单独驱动动态调制间隔设置距离最近三维光场随机排布小孔阵列暗状态旁瓣像素主瓣显示器调制平行传播

[实用新型]一种动态背光三维显示器-CN201920369997.6有效
发明人：赵建 -专利权人：句容福芯电子有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G02B27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开一种动态背光三维显示器，所述显示器包括光源层、光线调制层和液晶显示层，所述光线调制层设在光源层和液晶显示层之间，所述光源层、光线调制层和液晶显示层相互平行且间隔设置；所述光源层上随机布置有若干发光单元，且每个所述发光单元的亮/暗状态均是单独驱动的；所述光线调制层上随机排布有若干小孔阵列，设定离发光单元距离最近的小孔为该发光单元的主瓣孔，其余的小孔为该发光单元的旁瓣孔；所述光源层发出的光线经过光线调制层后，光线的传播方向获得了动态调制；调制后的光线经过所述液晶显示层时，液晶显示层上的像素分别向不同方向传播，从而形成了三维光场。
液晶显示层发光单元光线调制光源层三维显示器动态背光小孔本实用新型传播方向单独驱动动态调制间隔设置距离最近三维光场随机排布小孔阵列暗状态旁瓣像素主瓣显示器调制平行传播