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[发明专利]读出电路-CN202010196957.3在审
发明人：杨蕙菁;张道生 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本揭露提供一种读出电路包含第一开关电路、第一放大电路以及第一电流转电压电路。所述第一开关电路接收第一电流信号。所述第一放大电路通过所述第一电路节点耦接所述第一开关电路。所述第一放大电路依据所述第一电路节点的第一电压来输出第一读出电流。所述第一电流转电压电路耦接所述第一放大电路，并且将所述第一读出电流转换为第一读出电压，其中所述第二电流转电压电路将所述第一读出电压经由所述第一电流转电压电路与所述第一放大电路之间的第二电路节点输出。
读出电路

[发明专利]读出电路-CN202010657043.2在审
发明人：郑国韦;陈季廷 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本发明提出一种读出电路。所述读出电路耦接到像素电路，用于从所述像素电路读出信号。所述读出电路包括偏置电路。所述偏置电路包括共源共栅晶体管及偏置晶体管。所述共源共栅晶体管的第一端耦接到所述偏置电路的输出端及所述像素电路。所述共源共栅晶体管的第二端耦接到所述偏置晶体管的第一端。所述偏置晶体管的第二端耦接到负电压。本发明的读出电路能够有效地从像素电路的浮动扩散节点读出信号。
读出电路

[发明专利]读出电路-CN201310041874.7有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，其包括参考支路镜像恒流源、参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，其中，该参考支路镜像恒流源包括第一参考管、第二参考管及电压隔离电路，该电压隔离电路接于该第一参考管的栅极与漏极之间，用于将该第一参考管的栅漏隔开以利于提高该第一参考管饱和导通，本发明通过在参考支路镜像恒流源参考管间接入一电压隔离电路将第一参考管的栅漏隔开以提高第一参考管饱和导通，从而使得本发明可适合于低电压如小于1.2V时工作，扩展了闪存的读出电压。
读出电路

[发明专利]读出电路-CN201210414688.9有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，包括可控电流镜电路、参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，该可控电流镜电路与该参考存储单元、该传输电路及该输出电路连接，同时该可控电流镜电路还连接一读写控制信号，以在该读写控制信号控制下，使得在不进行读操作时，该参考存储单元上无电流，本发明通过一可控电流镜电路使得在不进行读存储单元时参考存储单元上无电流，减少了电流的损耗，节省了电能，同时，本发明的参考电压产生电路在不进行读存储单元操作时不消耗电流
读出电路

[发明专利]读出电路-CN03145718.5无效
发明人： S·谭 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：一种读出电路，包括一个充电积分读出放大器4，串联耦合到鉴别器6。该读出电路可以用于检测包括铁电RAM的随机存取存储器(RAM)系统中的单元的逻辑状态。充电积分读出放大器的使用可以克服RAM电路固有的比特线电容，并提供高效的电荷－电压转换。
读出电路

[发明专利]读出电路-CN97118298.1无效
发明人：金东均 -专利权人： LG半导体株式会社
申请日： 1997-09-17 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：一种采用半直接方式来简化电路系统的读出电路。该读出电路包括具有供读操作和/或写操作用的数据线和数据非线的数据总线；控制间接读操作的第一晶体管；第二和第三晶体管，分别与数据线连接，每一个还与所述第一晶体管的同一端连接，有选择地把数据线之一连接到第一晶体管
读出电路

[实用新型]读出电路-CN202123175821.3有效
发明人：唐海铭;顾鹏;朱伟平 -专利权人：奕瑞影像科技成都有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种读出电路，所述读出电路包括：放大器、负载电阻、接地电阻及反馈电阻；其中，所述放大器的同相输入端连接所述负载电阻的第一端并接入光电流信号，反相输入端连接所述接地电阻的第一端及所述反馈电阻的第一端通过本实用新型提供的读出电路，解决了现有现有SiPM读出电路采用跨阻放大电路实现时，存在电路恢复时间长的问题。
读出电路

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器的列读出电路校准系统及方法-CN202010613941.8在审
发明人：李婷;吴龙胜;何杰;时光;张曼;李闯泽 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的列读出电路校准系统及方法，通过在CMOS图像传感器上集成与有效列读出电路通过选通开关并联的校准列读出电路；利用有效列读出电路的读出数据判断CMOS图像传感器上有效列读出电路列的失效情况；通过校准列读出电路获取CMOS图像传感器上校准列读出电路的读出数据，根据校准列读出电路的读出数据判断校准列读出电路列的失效情况；利用校准列读出电路的有效列电路替换有效列读出电路的失效列电路，实现CMOS图像传感器的列读出电路校准，通过测试确定有效列读出电路中失效列，利用校准列读出电路实现失效列校准，可有效降低坏列影响，提升电路成品率。
一种用于 cmos 图像传感器读出电路校准系统方法

[发明专利]一种读出电路及其工作方法-CN201910356754.3有效
发明人：施薛优;陈光毅 -专利权人：北京安酷智芯科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01J5/22 文献下载
摘要：本发明公开一种读出电路及其工作方法，涉及一种读出电路及其工作方法。其中读出电路包括：M列×N行像素电路、N行行级测试电阻电路、M列列级测试电阻电路及M列列级读出电路；其中M、N均为自然数且M≥2，N≥2；行级测试电阻电路、列级测试电阻电路、列级读出电路均与像素电路连接；列级测试电阻电路与列级读出电路连接；其中，列级读出电路中包含测试列子电路；列级读出电路还与一电流源连接。采用本读出电路，不仅可以实现无MEMS传感器的情况下进行整个读出电路所有行列的功能测试，还能在有MEMS传感器情况下，得到更为精确的各个MEMS电阻阻值，且测试结果更准确，提升测试效率。
一种读出电路及其工作方法

[发明专利]X射线CT装置、辐射检测器和用于读出辐射检测器的电信号的方法-CN200510081714.0有效
发明人：宮崎博明;荒馆博 -专利权人：株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：辐射检测器23包含被放置在二维位置并被分离在多个读出模块中的多个检测元件、用于从在各个读出模块中的检测元件读出电信号的读出电路、用于切换从读出模块中的检测元件读出至读出电路的电信号的开关电路26、和开关控制电路27；该开关控制电路27用于控制开关电路26，以使从读出模块的公共读出模块中相应的检测元件分时地读出电信号至读出电路，以及使得以并行方式从至少两个检测元件读出相应的电信号至读出电路，二者彼此在不同的读出模块中
射线 ct 装置辐射检测器用于读出电信号方法

[发明专利]一种读出电路-CN201910677974.6有效
发明人：施薛优;陈光毅 -专利权人：北京安酷智芯科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本发明公开一种读出电路，涉及非制冷红外探测器领域；其中，读出电路至少包括像素电路、差分电流产生电路、列读出电路、镜像偏置电路、温漂校正电路、行选产生电路和读出模式控制电路；像素电路、差分电流产生电路、镜像偏置电路及温漂校正电路均与列读出电路连接；像素电路还与差分电流产生电路、行选产生电路连接；读出模式控制电路与行选产生电路、列读出电路连接；像素电路包括测辐射热计传感子电路和像素级衬底温度传感子电路。采用本发明的读出电路不仅能感测衬底温度，节省电路使用面积，还大大提高了数据读出精度、温漂校正的精度和准确度，噪声贡献小。
一种读出电路

[发明专利]读取电路、参考电路和半导体存储装置-CN03152362.5有效
发明人：森康通;吉本贵彦;安西伸介;野岛武 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种读取电路，用于从多个存储单元中的一个存储单元中读取数据，读取电路包括：多个分割读出电路，多个分割读出电路中的每一个通过多条读出线中对应的一条读出线与所述的一个存储单元连接；以及电流电压转换电路，用于将流经每一条读出线的电流转换为表示对应的读出线的电位的读出电压每一个分割读出电路包括：电流负载电路，用于通过对应的读出线向所述的一个存储单元提供电流；以及读出放大器，用于读出对应的读出线和多条参考线中对应的参考线之间的电位差。在至少一个分割读出电路包括的电流负载电路具有与在另一分割读出电路中包括的电流负载电路的电流提供能力不同的电流提供能力。
读取电路参考半导体存储装置

[发明专利]通道信号读出方法、通道信号读出电路及芯片-CN202210867147.5在审
发明人：栗成智;刁建国;赵庆中;吉宇 -专利权人：上海联影微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种通道信号读出方法、通道信号读出电路及芯片。该方法包括：分时获取各读出通道的电压阈值数值，对各读出通道的电压阈值数值进行数模转换处理，分别得到各读出通道的电压阈值，根据各读出通道的电压阈值和各读出通道的信号，确定通道信号读出电路输出值。采用本方法能够通过通道信号读出电路中内部仅设置的一个数模转换器能够获取到所有读出通道的电压阈值，从而能够减少通道信号读出电路中数模转换器的数量以及通道信号读出电路的规模，由于通道信号读出电路集成于芯片中，在通道信号读出电路规模减少的基础上，上述通道信号读出电路还可以减小芯片的面积以及减少芯片在工作过程中的功耗。
通道信号读出方法电路芯片

[发明专利]红外焦平面读出电路-CN200710019476.X有效
发明人：孙伟锋;夏晓娟;徐申;李海松;谢亮;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：为了解决现有技术中红外焦平面读出电路只有一种读出顺序、且像素单元电路中的积分电容固定的问题，本发明提供一种红外焦平面读出电路，包含行读出顺序选择及行选择信号产生电路(1)、列读出顺序选择及列选择信号产生电路(2)、积分电容可选的像素单元电路(3)、列读出级电路(4)和输出缓冲级(5)。其中行读出顺序控制信号(LS)、行选择输入信号(Lin)接行读出顺序选择及行选择信号产生电路(1)，列读出顺序控制信号(CS)、列选择输入信号(Cin)接列读出顺序选择及列选择信号产生电路(2)。它能够提供四种不同的像素单元读出顺序，同时像素单元的积分电容可选。
红外平面读出电路

[发明专利]固体图像传感装置和图像传感系统-CN200810094956.7有效
发明人：冲田彰;樋山拓己;藤村大 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：该固体图像传感装置包括：第一读出电路，该第一读出电路被配置为从包含多个像素的像素阵列中读出信号；信号保持单元，该信号保持单元被配置为保持从所述第一读出电路读出的信号；第二读出电路，该第二读出电路被配置为读出保持在所述信号保持单元中的信号；以及电流控制单元，该电流控制单元被配置为在所述第一读出电路读出信号的同时控制流过所述第一读出电路中的至少部分的电流。所述电流控制单元控制在运动图像拍摄模式中流过所述第一读出电路中的至少部分的电流使其小于在静止图像拍摄模式中流过所述第一读出电路中的至少部分的电流。
固体图像传感装置系统

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